公开(公告)号：CN1630024B

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN200410048959.9

申请日：1997-01-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  寺本聪 ,  小山润 ,  尾形靖 ,  早川昌彦 ,  纳光明 ,  大谷久 ,  滨谷敏次

IPC: H01L21/00 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 通过除去或者减少利用金属元素得到结晶硅膜中的该金属元素，得到具有优良特性的结晶硅膜，并且利用该结晶硅膜得到具有优良特性的半导体器件。通过第1加热处理，在非晶硅膜中，掺入促进硅结晶的金属元素，得到使该非晶硅膜结晶的结晶硅膜以后，在氧化气氛中进行第2加热处理、除去或者减少在该结晶硅膜中存在的金属元素，除掉形成的热氧化膜，在除掉该热氧化膜区域的表面上，再次进行热氧化，通过形成热氧化膜等得到半导体器件及其制造方法。该氧化气氛，采用含氧的氧化气氛，和含有卤素的氧化气氛等。

公开(公告)号：CN100505312C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200610099650.1

申请日：1997-01-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  寺本聪 ,  小山润 ,  尾形靖 ,  早川昌彦 ,  纳光明 ,  大谷久 ,  滨谷敏次

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种便携式信息终端，该信息终端包括一个半导体装置，所述半导体装置具有多个N沟道和P沟道薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：在一个基板的绝缘表面上形成的结晶性硅膜作为有源层，所述有源层具有至少一个沟道区和源、漏区，并包括一种卤族元素；其中所述结晶性硅膜包括结晶性硅晶粒，每个结晶性硅晶粒的晶体结构在预定方向上延伸，并且晶界在所述预定预定方向上扩展；其中所述预定方向与所述薄膜晶体管的沟道区中的载流子移动方向成一预定角度，且其中所述薄膜晶体管的S值小于等于100mV/dec。

公开(公告)号：CN1881595A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610099677.0

申请日：1997-01-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  寺本聪 ,  小山润 ,  尾形靖 ,  早川昌彦 ,  纳光明 ,  大谷久 ,  滨谷敏次

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/15 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明目的是获得具有良好的特性的薄膜晶体管。使镍元素与非晶质膜203的特定的区域205保持选择性地接连。采用施行加热处理的办法使之结晶化，再在含卤族元素的氧化性气氛中施行加热处理的办法形成热氧化膜。这时进行结晶性的改善和镍元素的吸杂。这种结晶性硅膜将变成具有从多点放射状地进行了结晶生长的那样的构造。于是可得到具有良好的特性的TFT。

公开(公告)号：CN1218403C

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN97102281.X

申请日：1997-01-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  寺本聪 ,  小山润 ,  尾形靖 ,  早川昌彦 ,  纳光明 ,  大谷久 ,  滨谷敏次

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/3226 ,  H01L29/04 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的目的是要得到具有良好的特性的薄膜晶体管。使非晶硅膜203的特定的区域205保持有选择地与镍元素相接。然后通过加热处理，进行用207示出的那种朝向与基板平行的方向的结晶生长。再通过在含有卤素元素的氧化性气氛中的加热处理，形成热氧化膜209。此时，进行结晶性的改善、镍元素的吸杂。然后使上述结晶生长方向与源/漏区的联结方向一致来制造薄膜晶体管。通过这样做，可得到迁移率为200(cm2/Vs)以上，S值为100(mV/dec)以下的那种具有良好特性的TFT。

公开(公告)号：CN1553507A

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：CN200410069451.7

申请日：1995-08-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  寺本聪

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78654

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，包括：在衬底上的多个象素；用于驱动所述多个象素的一个驱动器电路，包括至少一个缓存电路；在所述至少一个缓存电路中的至少两个晶体管；连接所述至少两个晶体管的一个公共栅极布线；连接所述至少两个晶体管的一个公共源极布线；所述至少两个晶体管的一个公共漏极布线；其中所述至少两个晶体管在所述公共栅极布线、公共源极布线、公共漏极布线的连接下是彼此并联的；和其中所述至少两个晶体管的沟道形成区被分别提供在至少两个分开的半导体层中。

公开(公告)号：CN1146015C

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN96110486.4

申请日：1996-06-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  寺本聪 ,  小山润 ,  宫永昭治

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2022

Abstract: 在制造薄膜晶体管(TFT)中，在玻璃衬底上形成氧化硅膜作为底膜，然后在其中形成非晶硅膜。设置与非晶硅膜表面接触的促进硅结晶的金属元素，在高于非晶硅膜的结晶温度的温度热处理非晶硅膜。热处理时，把玻璃衬底放在有恒定平整性的基体上。通过冷却，获得不损坏不变形衬底的结晶硅膜。

公开(公告)号：CN1421726A

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN02127863.6

申请日：1995-08-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  寺本聪

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/136 ,  G09G3/36 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78654

Abstract: 本发明披露了有源矩阵型显示设备。在其中的一个技术方案中，有源矩阵型显示设备，包括：多个排成矩阵形设置在衬底上的像素；一驱动器电路，用于驱动在所述衬底上的多个像素，所述驱动器电路包括至少一个缓冲器电路；至少两个晶体管，在所述至少一个缓冲器电路中；其中，借助公共栅极引线、公共源极引线、和公共漏极引线与至少两个晶体管的连接，至少两个晶体管彼此并联连接，以及其中，至少两个晶体管的沟道形成区域独立地分别设置在至少两个独立的半导体层中。

公开(公告)号：CN1095090C

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN95107158.0

申请日：1995-05-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山润 ,  河崎祐司 ,  寺本聪

IPC: G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/13624 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/3659 ,  G09G2300/0809

Abstract: 一种有源矩阵型液晶显示器件中，将液晶布置在一对基板间，两个薄膜晶体管与在所述基板上形成的每一个相应的电极(对于一个象素而言)相连。所述液晶由该二薄膜晶体管驱动并开关。由于加于液晶上的电压被该二薄膜晶体管平分，所以可给液晶加上比薄膜晶体管的耐压高的电压，因而加给薄膜晶体管的电压，也即加在每个薄膜晶体管源、漏极间的电压被减小了。所述电压各具相反的位相。

公开(公告)号：CN1360349A

公开(公告)日：2002-07-24

申请号：CN00104152.5

申请日：1994-06-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫永昭治 ,  大谷久 ,  寺本聪

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 在非晶硅膜中引入一种或多种选自III、IV或V族的元素,然后在600℃或更低的温度下加热晶化。在平行于基片的方向上,晶体在已引入元素的区域生长。在结晶半导体层的一个部位,按以下方式形成半导体器件的有源区,即根据所期望的有源区迁移率,来选取晶体生长方向与器件电流方向之间的关系。

公开(公告)号：CN1360338A

公开(公告)日：2002-07-24

申请号：CN00104151.7

申请日：1994-06-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫永昭治 ,  大谷久 ,  寺本聪

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 在非晶硅膜中引入一种或多种选自III、IV或V族的元素,然后在600℃或更低的温度下加热晶化。在平行于基片的方向上,晶体在已引入元素的区域生长。在结晶半导体层的一个部位,按以下方式形成半导体器件的有源区,即根据所期望的有源区迁移率,来选取晶体生长方向与器件电流方向之间的关系。