公开(公告)号：CN102709478B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201210187148.1

申请日：2004-03-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 纳光明 ,  安西彩 ,  山崎优 ,  福本良太

IPC: G09G3/3233 ,  G09G3/3291

CPC classification number: H01L27/3262 ,  G09G3/2022 ,  G09G3/3233 ,  G09G3/3291 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2310/0251 ,  G09G2320/0219 ,  G09G2320/0233 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/78675 ,  H01L51/52 ,  H01L2251/5323 ,  H04M1/0266

Abstract: 本发明提出一种发光装置及元件基板，可将开关用晶体管的截止电流抑制得低，不必增大电容元件的容量，就能抑制起因于驱动用晶体管的特性偏差的像素之间的发光元件的亮度不匀。在本发明中预先固定驱动用晶体管的栅极电位，使所述驱动用晶体管在饱和区工作，处于通常使电流流动的状态。设置与所述驱动用晶体管串联的在线性区工作的电流控制用晶体管，经由开关用晶体管将传送像素发光/不发光光信号的视频信号输入到所述电流控制用晶体管的栅极。

公开(公告)号：CN104637459A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201510009771.1

申请日：2006-10-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 福本良太 ,  纳光明 ,  三宅博之 ,  棚田好文 ,  天野圣子

IPC: G09G3/36 ,  G09G3/20

CPC classification number: G09G3/20 ,  G02F1/1345 ,  G09G3/3225 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2310/0275 ,  G09G2330/02 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其中电源线不受由于缓冲部分瞬间消耗大电流导致的电压降而发生的嗓音的影响，从而逻辑部分不会不正常工作。本发明在将相同电势供给逻辑部分和缓冲部分的情况下可以通过以下方法来防止逻辑部分受由于缓冲部分瞬间消耗大电流导致的电源线的电压降而发生的嗓音的影响，其方法如下：将FPC端子自身分离的方法；或共同使用FPC端子而在离FPC端子近的地点将电源线分支的方法。

公开(公告)号：CN101593487B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200910138927.0

申请日：2005-12-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 福本良太 ,  木村肇 ,  纳光明 ,  山崎舜平

IPC: G09G3/32

CPC classification number: G09G3/3275 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2310/0251 ,  G09G2320/0223 ,  G09G2320/029 ,  G09G2320/043 ,  G09G2330/028 ,  G09G2360/18

Abstract: 本发明提供装置、电子设备及装置的驱动方法。取决于发光元件的特性，当环境温度变化或发生经时变化时，亮度会产生差异。本发明的目的在于提供一种显示装置，抑制环境温度的变化与经时变化所引起的、发光元件的电流值变动所造成的影响。具有将由多个晶体管构成的象素配置成矩阵状的象素部的第1基板包括：提供图像信号的源极驱动器、选择象素的栅极驱动器、电源电路、和补偿发光元件的特性变动的补偿电路。第1基板经连接布线与第2基板连接，第2基板具有控制器、和视频存储器。控制器根据从CPU等外部输入的图像数据，根据需要使用视频存储器，制作出能以显示装置显示所需的信号。

公开(公告)号：CN101006488B

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN200580027537.6

申请日：2005-08-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 纳光明 ,  安西彩

IPC: G09G3/30 ,  H01L51/50 ,  G09G3/20

CPC classification number: G09G3/3258 ,  G09G3/2022 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2310/0251 ,  G09G2310/0256 ,  G09G2320/0242 ,  G09G2320/029 ,  G09G2320/043 ,  G09G2330/08 ,  G09G2330/10 ,  H01L27/3244

Abstract: 问题是用新方法解决发光元件的随时间的退化。本发明的发光装置具有连接到监控元件的限制器晶体管、和反相器，该反相器的输出端子连接到限制器晶体管的栅电极并且该反相器的输入端子连接到限制器晶体管和监控元件的一个电极。在监控元件短路的情况下，可以通过反相器关断限制器晶体管以校正监控元件的缺陷。

公开(公告)号：CN101009322B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200710085012.9

申请日：2002-11-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宇田川诚 ,  早川昌彦 ,  小山润 ,  纳光明 ,  安西彩

IPC: H01L27/32 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供一个TFT，它的沟道长度比目前的长，具体地说，比目前的要长几十倍到几百倍，因而，能在比目前高得多的驱动栅电压下进入接通状态，并具有一个低的沟道电导gd。根据本发明，不但接通电流的简单离散而且其归一化离散可以被减小，除了在各TFT之间的离散的减少以外，OLED自身的离散，和由于OLED损坏引起的离散也可以被减少。

公开(公告)号：CN101076942B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200580042706.3

申请日：2005-12-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 纳光明 ,  岩渊友幸 ,  木村肇

IPC: H03K19/0175

CPC classification number: G09G3/30 ,  G09G2310/0275 ,  G09G2320/041 ,  G09G2320/043 ,  G09G2360/148 ,  H01L27/12 ,  H03K19/0013 ,  H03K19/0016

Abstract: 一种具有较小功耗的半导体装置和使用该半导体装置的电子用品。本发明的半导体装置被供以来自高电势电源的第一电势和来自低电势电源的第二电势。在将第一信号输入到输入节点时，输出节点输出第二信号。对于本发明的半导体装置而言，可以控制第二信号的电势差使之小于第一电势和第二电势之间的电势差，由此可以降低为线路充电/放电所需的功耗。

公开(公告)号：CN1881594B

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN200610099676.6

申请日：1997-01-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  寺本聪 ,  小山润 ,  尾形靖 ,  早川昌彦 ,  纳光明 ,  大谷久 ,  滨谷敏次

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明目的是获得具有良好的特性的薄膜晶体管。使镍元素与非晶质膜203的特定的区域205保持选择性地接连。采用施行加热处理的办法使之结晶化，再在含卤族元素的氧化性气氛中施行加热处理的办法形成热氧化膜。这时进行结晶性的改善和镍元素的吸杂。这种结晶性硅膜将变成具有从多点放射状地进行了结晶生长的那样的构造。于是可得到具有良好的特性的TFT。

公开(公告)号：CN101047028B

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200710089633.4

申请日：2007-03-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 纳光明 ,  三宅博之 ,  宫崎彩 ,  山崎舜平

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/14 ,  H01L27/115

CPC classification number: G11C16/14 ,  G11C8/10 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11546

Abstract: 本发明的目的在于提供不使用P阱或N阱等衬底端子，而放出对非易失性存储元件的电荷存储层注入的电荷的方法，作为NAND型非易失性存储器的数据擦除方法。在NAND型非易失性存储器的数据擦除方法中，通过对位线和源线施加第一电位，对第一非易失性存储元件的控制栅极施加第二电位，而且对第二非易失性存储元件的控制栅极施加与第二电位不同的第三电位，而放出存储在第一非易失性存储元件的电荷存储层中的电荷。

公开(公告)号：CN102208163A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110101336.3

申请日：2005-05-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 早川昌彦 ,  山崎优 ,  安藤由香里 ,  宮川恵介 ,  小山润 ,  纳光明 ,  安西彩 ,  山崎舜平 ,  瀬尾哲史 ,  安部宽子

IPC: G09G3/30 ,  G09G3/20 ,  H05B33/08

CPC classification number: G09G3/3233 ,  G09G3/006 ,  G09G2300/08 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2310/0256 ,  G09G2310/0275 ,  G09G2310/061 ,  G09G2320/029 ,  G09G2320/041 ,  G09G2320/043 ,  G09G2330/02 ,  G09G2330/12 ,  H01L27/3244 ,  H01L2251/5323

Abstract: 一种显示装置和电子装置，其中由于环境温度的改变和随时间改变导致的光发射元件的电流变化的影响可抑制。本发明的显示装置具有光发射元件，串联至光发射元件的驱动晶体管，监视光发射元件，串联至监视光发射元件的限制晶体管，用于供应恒流至监视光发射元件的恒流源，和用于输出等于输入电势的电势的电路。光发射元件的第一电极经驱动晶体管连接至电路的输出端，经限制晶体管连接至电路输入端的监视光发射元件的第一电极。驱动晶体管的沟道长度L1和沟道宽度W1，和限制晶体管的沟道长度L2和沟道宽度W2满足L1/W1∶L2/W2＝1∶2到1∶10。

公开(公告)号：CN1953021B

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200610136264.5

申请日：2006-10-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  纳光明 ,  岩渊友幸 ,  高桥圭 ,  野泽亮 ,  佐藤瑞季 ,  福本良太

IPC: G09G3/30 ,  G09G3/32 ,  G09G3/36 ,  G09G3/20 ,  H05B33/08 ,  H05B33/14 ,  H05B37/02

CPC classification number: G02F1/0123 ,  G02F2001/134345 ,  G02F2201/58 ,  G09G3/3275 ,  G09G2320/029 ,  G09G2320/041 ,  G09G2320/043 ,  H01L27/3269

Abstract: 发光元件具有根据周围温度(以下称为环境温度)改变其电阻值(内部电阻值)的性质。本发明的目的在于使监视元件小型化，所述监视元件修正发光元件的电流值的变动造成的影响，所述发光元件的电流值的变动是环境温度的变化和随时间变化所造成的。在本发明中，像素由多个子像素构成，提供在每个子像素中的发光元件的面积不同，并且监视元件的面积与子像素中的任何的发光元件的面积相同，从而利用监视元件对像素的发光进行修正。