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公开(公告)号：CN101047033B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200710092186.8
申请日：2007-03-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C16/14
CPC classification number: G11C16/3436 , G11C16/26
Abstract: 本发明提供了一种可以低功耗工作的非易失性半导体存储装置。在非易失性半导体存储装置中，多个非易失性存储元件串联连接。该多个非易失性存储元件包括半导体层，该半导体层包括沟道形成区域以及与该沟道形成区域重叠的控制栅。对非易失性存储元件的数据验证操作中的写入、擦除、第一读取和第二读取操作可通过改变对非易失性存储元件的控制栅施加的电压而执行。在擦除操作之后的验证操作中的第二读取是通过改变选自多个非易失性存储元件的仅一个非易失性存储元件的控制栅的电势而执行，该电势使用与第一读取的电势不同的电势。
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公开(公告)号：CN100578590C
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200680013041.8
申请日：2006-04-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/30 , G09G3/20 , G09F9/30 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/12 , G09G3/3258 , G09G2300/0842 , G09G2310/0251 , G09G2310/0262 , G09G2330/021
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置及其驱动方法，其中，降低了数据线的幅度，以降低功耗。在复位周期内，复位晶体管和开关晶体管导通。在所述复位周期内，来自复位晶体管的电势输入在节点D内占据主导，当节点D的电势变得高于选择晶体管的栅极电势时，选择晶体管截止。因而，即使数据线的电势变化，节点G的电势也不变。由于并非将数据线的电势直接写入到驱动晶体管的栅极内，因而有可能单独设置施加至驱动晶体管的栅极的导通/截止电势和数据线的幅度。
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公开(公告)号：CN102403319B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201110257312.7
申请日：2007-03-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/115 , G11C16/14
CPC classification number: G11C16/14 , G11C8/10 , G11C16/0483 , G11C16/08 , H01L21/28273 , H01L27/105 , H01L27/11519 , H01L27/11526 , H01L27/11529 , H01L27/11546
Abstract: 本发明的目的在于提供不使用P阱或N阱等衬底端子，而放出对非易失性存储元件的电荷存储层注入的电荷的方法，作为NAND型非易失性存储器的数据擦除方法。在NAND型非易失性存储器的数据擦除方法中，通过对位线和源线施加第一电位，对第一非易失性存储元件的控制栅极施加第二电位，而且对第二非易失性存储元件的控制栅极施加与第二电位不同的第三电位，而放出存储在第一非易失性存储元件的电荷存储层中的电荷。
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公开(公告)号：CN102783030A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201180011903.4
申请日：2011-02-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H03K19/0175 , H03K19/094 , H03K19/0952
CPC classification number: G11C19/28 , G09G3/3677 , G09G3/3696 , G09G2300/0809 , G09G2310/0286 , G11C19/184 , H01L25/03 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L2924/0002 , H03K19/0013 , H05K7/02 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够稳定地操作的脉冲信号输出电路和一种包括脉冲信号输出电路的移位寄存器。根据本公开的发明的一个实施例的脉冲信号输出电路包括第一晶体管至第十晶体管。第一晶体管的沟道宽度W与沟道长度L的比率W/L和第三晶体管的W/L各大于第六晶体管的W/L。第五晶体管的W/L大于第六晶体管的W/L。第五晶体管的W/L等于第七晶体管的W/L。第三晶体管的W/L大于第四晶体管的W/L。利用这样的结构，脉冲信号输出电路能够稳定地操作，并且能够提供包括脉冲信号输出电路的移位寄存器。
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公开(公告)号：CN105553462B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201510910099.3
申请日：2011-02-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H03K19/0175 , H03K19/0944 , H03K23/44 , H01L21/288 , H01L27/12 , H01L27/32 , H01L29/04 , H01L29/786 , G09F9/30 , G09G3/36
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够稳定地操作的脉冲信号输出电路和一种包括脉冲信号输出电路的移位寄存器。根据本公开的发明的一个实施例的脉冲信号输出电路包括第一晶体管至第十晶体管。第一晶体管的沟道宽度W与沟道长度L的比率W/L和第三晶体管的W/L各大于第六晶体管的W/L。第五晶体管的W/L大于第六晶体管的W/L。第五晶体管的W/L等于第七晶体管的W/L。第三晶体管的W/L大于第四晶体管的W/L。利用这样的结构，脉冲信号输出电路能够稳定地操作，并且能够提供包括脉冲信号输出电路的移位寄存器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105553462A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510910099.3
申请日：2011-02-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H03K19/0175 , H03K19/0944 , H03K23/44 , H01L21/288 , H01L27/12 , H01L27/32 , H01L29/04 , H01L29/786 , G09F9/30 , G09G3/36
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够稳定地操作的脉冲信号输出电路和一种包括脉冲信号输出电路的移位寄存器。根据本公开的发明的一个实施例的脉冲信号输出电路包括第一晶体管至第十晶体管。第一晶体管的沟道宽度W与沟道长度L的比率W/L和第三晶体管的W/L各大于第六晶体管的W/L。第五晶体管的W/L大于第六晶体管的W/L。第五晶体管的W/L等于第七晶体管的W/L。第三晶体管的W/L大于第四晶体管的W/L。利用这样的结构，脉冲信号输出电路能够稳定地操作，并且能够提供包括脉冲信号输出电路的移位寄存器。
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公开(公告)号：CN101025890B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN200710002004.3
申请日：2007-01-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 宫崎彩
IPC: G09G3/20 , G09G3/3266 , G11C19/00
CPC classification number: G09G3/3266 , G09G3/20 , G09G3/2022 , G09G2310/0216 , G09G2310/0262 , G09G2310/0267 , G09G2320/029 , G09G2320/041 , G09G2320/043 , G09G2330/021 , G11C19/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种可以抑制耗电量并提高灰度数的显示装置，而不将扫描线驱动电路提供在像素部的两侧。本发明的技术要点如下：一种具备扫描线驱动电路的显示装置，其中，构成所述扫描线驱动电路的移位寄存器根据m(m为自然数)个扫描线具备至少4m级触发器电路，并且，由不同的起始脉冲输出在一个扫描线选择期间的前一部分中选择所述扫描线的信号和在所述一个扫描线选择期间的后一部分中选择所述扫描线的信号。
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公开(公告)号：CN102783030B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201180011903.4
申请日：2011-02-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H03K19/0175 , H03K19/094 , H03K19/0952
CPC classification number: G11C19/28 , G09G3/3677 , G09G3/3696 , G09G2300/0809 , G09G2310/0286 , G11C19/184 , H01L25/03 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L2924/0002 , H03K19/0013 , H05K7/02 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够稳定地操作的脉冲信号输出电路和一种包括脉冲信号输出电路的移位寄存器。根据本公开的发明的一个实施例的脉冲信号输出电路包括第一晶体管至第十晶体管。第一晶体管的沟道宽度W与沟道长度L的比率W/L和第三晶体管的W/L各大于第六晶体管的W/L。第五晶体管的W/L大于第六晶体管的W/L。第五晶体管的W/L等于第七晶体管的W/L。第三晶体管的W/L大于第四晶体管的W/L。利用这样的结构，脉冲信号输出电路能够稳定地操作，并且能够提供包括脉冲信号输出电路的移位寄存器。
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公开(公告)号：CN101164094A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200680013041.8
申请日：2006-04-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/30 , G09G3/20 , G09F9/30 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/12 , G09G3/3258 , G09G2300/0842 , G09G2310/0251 , G09G2310/0262 , G09G2330/021
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置及其驱动方法，其中，降低了数据线的幅度，以降低功耗。在复位周期内，复位晶体管和开关晶体管导通。在所述复位周期内，来自复位晶体管的电势输入在节点D内占据主导，当节点D的电势变得高于选择晶体管的栅极电势时，选择晶体管截止。因而，即使数据线的电势变化，节点G的电势也不变。由于并非将数据线的电势直接写入到驱动晶体管的栅极内，因而有可能单独设置施加至驱动晶体管的栅极的导通/截止电势和数据线的幅度。
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公开(公告)号：CN102403319A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110257312.7
申请日：2007-03-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/115 , G11C16/14
CPC classification number: G11C16/14 , G11C8/10 , G11C16/0483 , G11C16/08 , H01L21/28273 , H01L27/105 , H01L27/11519 , H01L27/11526 , H01L27/11529 , H01L27/11546
Abstract: 本发明的目的在于提供不使用P阱或N阱等衬底端子，而放出对非易失性存储元件的电荷存储层注入的电荷的方法，作为NAND型非易失性存储器的数据擦除方法。在NAND型非易失性存储器的数据擦除方法中，通过对位线和源线施加第一电位，对第一非易失性存储元件的控制栅极施加第二电位，而且对第二非易失性存储元件的控制栅极施加与第二电位不同的第三电位，而放出存储在第一非易失性存储元件的电荷存储层中的电荷。
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