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公开(公告)号：CN1079987C
公开(公告)日：2002-02-27
申请号：CN95118410.5
申请日：1995-09-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02532 , H01L21/2026 , H01L21/423 , H01L27/1277 , H01L27/1281 , H01L29/66757 , Y10S148/016 , Y10S148/093
Abstract: 在制造一种薄膜晶体管中，在一个衬底上形成一个非晶硅膜之后，通过利用含有作为促进硅结晶的金属元素的镍的溶液(乙酸镍溶液)的旋涂和通过热处理来形成一个硅化镍层。该硅化镍层选择地被构图以便形成岛状硅化镍层。非晶硅膜被构图。在移动激光器时辐照激光，以致于从硅化镍层被形成的区域产生晶体生长，和获得一个等效于单晶(单域区)的区域。
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公开(公告)号：CN1258806C
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN01125338.X
申请日：2001-12-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/324 , H01L21/477 , G02F1/35 , H01S3/16
CPC classification number: B23K26/067 , B23K26/0604 , B23K26/0613 , H01L21/32136 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 在与常规装置相比具有低运行成本的激光照射装置和使用这种装置的激光照射方法中，形成具有等于或大于常规粒径的粒径的晶粒的结晶半导体膜，并利用结晶半导体膜制造TFT，因而实现了能高速操作TFT。在来自作为光源的固体激光器的短输出时间的激光光束照射到半导体膜上的情况下，另一激光光束延迟于一个激光光束，并且激光光束合成以便照射到半导体膜上，因而半导体膜的冷却速度缓慢，并且可以形成具有等于或大于具有长输出时间的激光光束照射到半导体膜上的情况下的粒径大的粒径的晶粒的结晶半导体膜。通过用结晶半导体膜制造TFT，可实现能高速操作的TFT。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100416762C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200610073760.0
申请日：2001-12-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/336 , B23K26/06
CPC classification number: B23K26/067 , B23K26/0604 , B23K26/0613 , H01L21/32136 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件的制造方法。在与常规装置相比具有低运行成本的激光照射装置和使用这种装置的激光照射方法中，形成具有等于或大于常规粒径的粒径的晶粒的结晶半导体膜，并利用结晶半导体膜制造TFT，因而实现了能高速操作TFT。在来自作为光源的固体激光器的短输出时间的激光光束照射到半导体膜上的情况下，另一激光光束延迟于一个激光光束，并且激光光束合成以便照射到半导体膜上，因而半导体膜的冷却速度缓慢，并且可以形成具有等于或大于具有长输出时间的激光光束照射到半导体膜上的情况下的粒径大的粒径的晶粒的结晶半导体膜。通过用结晶半导体膜制造TFT，可实现能高速操作的TFT。
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公开(公告)号：CN1841662A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610073760.0
申请日：2001-12-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/336 , B23K26/06
CPC classification number: B23K26/067 , B23K26/0604 , B23K26/0613 , H01L21/32136 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件的制造方法。在与常规装置相比具有低运行成本的激光照射装置和使用这种装置的激光照射方法中，形成具有等于或大于常规粒径的粒径的晶粒的结晶半导体膜，并利用结晶半导体膜制造TFT，因而实现了能高速操作TFT。在来自作为光源的固体激光器的短输出时间的激光光束照射到半导体膜上的情况下，另一激光光束延迟于一个激光光束，并且激光光束合成以便照射到半导体膜上，因而半导体膜的冷却速度缓慢，并且可以形成具有等于或大于具有长输出时间的激光光束照射到半导体膜上的情况下的粒径大的粒径的晶粒的结晶半导体膜。通过用结晶半导体膜制造TFT，可实现能高速操作的TFT。
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公开(公告)号：CN1395286A
公开(公告)日：2003-02-05
申请号：CN01139471.4
申请日：1995-09-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , G02F1/133 , H01L21/20 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02532 , H01L21/2026 , H01L21/423 , H01L27/1277 , H01L27/1281 , H01L29/66757 , Y10S148/016 , Y10S148/093
Abstract: 在制造一种薄膜晶体管中，在一个衬底上形成一个非晶硅膜之后，通过利用含有作为促进硅结晶的金属元素的镍的溶液(乙酸镍溶液)的旋涂和通过热处理来形成一个硅化镍层。该硅化镍层选择地被构图以便形成岛状硅化镍层。非晶硅膜被构图。在移动激光器时辐照激光，以致于从硅化镍层被形成的区域产生晶体生长，和获得一个等效于单晶(单域区)的区域。
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公开(公告)号：CN1362729A
公开(公告)日：2002-08-07
申请号：CN01143297.7
申请日：2001-12-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 石川岛播磨重工业株式会社
IPC: H01L21/324 , G02F1/00 , H01S3/00
CPC classification number: G02B27/108 , G02B27/145
Abstract: 一种运行成本比传统装置低的激光辐照装置,以及使用该装置的激光辐照方法。其形成的晶粒大小与传统的同数量级或更大。半导体薄膜冷却速度更低,而且可以形成与用输出时间长的激光辐照半导体薄膜时所形成的颗粒大小同数量级或更大颗粒的晶粒。通过在用短输出时间的固态激光器作光源时,相对于另一个激光延迟一个激光,组合这些激光,并将其辐照在半导体薄膜上,可以实现这个效果。
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公开(公告)号：CN1362728A
公开(公告)日：2002-08-07
申请号：CN01125338.X
申请日：2001-12-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/324 , H01L21/477 , G02F1/35 , H01S3/16
CPC classification number: B23K26/067 , B23K26/0604 , B23K26/0613 , H01L21/32136 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 在与常规装置相比具有低运行成本的激光照射装置和使用这种装置的激光照射方法中,形成具有等于或大于常规粒径的粒径的晶粒的结晶半导体膜,并利用结晶半导体膜制造TFT,因而实现了能高速操作TFT。在来自作为光源的固体激光器的短输出时间的激光光束照射到半导体膜上的情况下,另一激光光束延迟于一个激光光束,并且激光光束合成以便照射到半导体膜上,因而半导体膜的冷却速度缓慢,并且可以形成具有等于或大于具有长输出时间的激光光束照射到半导体膜上的情况下的粒径大的粒径的晶粒的结晶半导体膜。通过用结晶半导体膜制造TFT,可实现能高速操作的TFT。
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