公开(公告)号：CN1282232C

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN01143297.7

申请日：2001-12-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  石川岛播磨重工业株式会社

Inventor： 田中幸一郎 ,  中节男 ,  八木武人 ,  石井干人 ,  西田健一郎 ,  河口纪仁 ,  正木美由纪 ,  芳之内淳

IPC: H01L21/324 ,  G02F1/00 ,  H01S3/00

CPC classification number: G02B27/108 ,  G02B27/145

Abstract: 一种运行成本比传统装置低的激光辐照装置，以及使用该装置的激光辐照方法。其形成的晶粒大小与传统的同数量级或更大。半导体薄膜冷却速度更低，而且可以形成与用输出时间长的激光辐照半导体薄膜时所形成的颗粒大小同数量级或更大颗粒的晶粒。通过在用短输出时间的固态激光器作光源时，相对于另一个激光延迟一个激光，组合这些激光，并将其辐照在半导体薄膜上，可以实现这个效果。

公开(公告)号：CN1280871C

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN01139471.4

申请日：1995-09-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中节男 ,  山崎舜平 ,  楠本直人 ,  寺本聪

IPC: H01L21/00 ,  G02F1/133 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/423 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/016 ,  Y10S148/093

Abstract: 在制造一种薄膜晶体管中，在一个衬底上形成一个非晶硅膜之后，通过利用含有作为促进硅结晶的金属元素的镍的溶液(乙酸镍溶液)的旋涂和通过热处理来形成一个硅化镍层。该硅化镍层选择地被构图以便形成岛状硅化镍层。非晶硅膜被构图。在移动激光器时辐照激光，以致于从硅化镍层被形成的区域产生晶体生长，和获得一个等效于单晶(单域区)的区域。

公开(公告)号：CN1127423A

公开(公告)日：1996-07-24

申请号：CN95118410.5

申请日：1995-09-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中节男 ,  山崎舜平 ,  楠本直人 ,  寺本聪

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/423 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/016 ,  Y10S148/093

Abstract: 在制造一种薄膜晶体管中，在一个衬底上形成一个非晶硅膜之后，通过利用含有作为促进硅结晶的金属元素的镍的溶液(乙酸镍溶液)的旋涂和通过热处理来形成一个硅化镍层。该硅化镍层选择地被构图以便形成岛状硅化镍层。非晶硅膜被构图。在移动激光器时辐照激光，以致于从硅化镍层被形成的区域产生晶体生长，和获得一个等效于单晶(单域区)的区域。