公开(公告)号：CN102498553A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201080041232.1

申请日：2010-08-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂仓真之 ,  渡边了介 ,  坂田淳一郎 ,  秋元健吾 ,  宫永昭治 ,  广桥拓也 ,  岸田英幸

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种具有有利的电特性和高可靠性的晶体管以及包括该晶体管的显示设备。该晶体管是将氧化物半导体用于沟道区而形成的底栅晶体管。经过通过热处理进行的脱水或脱氢的氧化物半导体层被用作活动层。该活动层包括微晶化的浅表部分的第一区以及其余部分的第二区。通过使用具有该结构的氧化物半导体层，能够抑制归因于湿气进入浅表部分或者氧自浅表部分排除的转变为n型以及寄生沟道的产生。另外，还能够降低在氧化物半导体层与源极和漏极电极之间的接触电阻。

公开(公告)号：CN101044627B

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN200580030578.0

申请日：2005-09-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 桧垣欣成 ,  坂仓真之 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/78669 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3248 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的目的是连接用两种不相容的膜(ITO膜和铝膜)构成的引线、电极等，同时不增大该引线的横截面面积，并且即使屏幕尺寸变得更大也能够实现低功耗。本发明提供了一种包括上层和下层的双层结构，下层宽度大于上层宽度。第一导电层是用Ti和Mo构成的，第二导电层是用铝(纯净的铝)构成的，第二导电层具有低电阻且位于第一导电层上。从上层的端部突出来的那部分下层与ITO接合。

公开(公告)号：CN1599523B

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200410078766.8

申请日：2004-09-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂仓真之 ,  永井雅晴 ,  松田丰 ,  秋元健吾 ,  藤井严 ,  山口哲司

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56 ,  H05B33/12 ,  H05B33/08 ,  H05B33/22 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/529 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/66757 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5246 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/5323

Abstract: 本发明涉及显示器件及其制造方法，目的是提供一种可靠性高的显示器件以及实现了在制作该显示器件时简化工序且提高成品率的制作方法。本发明的显示器件的结构是：一种包括多个显示元件的显示器件，所述显示元件包括第一电极；含有有机化合物的层；以及第二电极，所述显示器件包括在具有绝缘表面的衬底上的：耐热性平整膜；形成在所述耐热性平整膜上的第一电极；覆盖所述第一电极边缘的布线；覆盖所述第一电极边缘和布线的分割墙；形成在所述第一电极上的含有有机化合物的层；以及形成在所述含有有机化合物的层上的第二电极。

公开(公告)号：CN101515571B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200910132593.6

申请日：2005-03-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂仓真之 ,  高桥修平 ,  池田佳寿子 ,  二村智哉

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/31 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/5253 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H05B33/04

Abstract: 本发明的一个目的是提供光发射装置的一种结构和制造方法，其降低保留在光发射装置内的水的量。本发明的另一个目的是提供一种光发射装置的结构和制造方法，其抑制光发射装置由于保留在光发射装置内的水而引起的恶化。本发明的光发射装置包括薄膜晶体管，覆盖薄膜晶体管的绝缘层，通过绝缘层上形成的接触孔而电连接至薄膜晶体管的电极，通过将光发射层置于电连接至第二电极的第一电极和第二电极之间而形成的光发射元件。该光发射装置进一步包括仅在电极和第一电极之间的绝缘层上，由与绝缘层不同的材料形成的层，和绝缘层。

公开(公告)号：CN101996989A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010246771.0

申请日：2010-08-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂仓真之 ,  坂田淳一郎 ,  津吹将志 ,  秋元健吾 ,  细羽幸 ,  及川欣聪

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/32 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明的目的之一在于提供一种发光装置以及该发光装置的制造方法，在该发光装置中，在同一衬底上形成有多种电路，并具备分别对应于多种电路的特性的多种薄膜晶体管。作为用于像素的薄膜晶体管，使用具有重叠于源电极层及漏电极层上的氧化物半导体层的反共面型。作为用于驱动电路的薄膜晶体管，使用沟道停止型。在与用于像素的薄膜晶体管电连接的发光元件重叠的位置上且在薄膜晶体管和发光元件之间设置滤色片层。

公开(公告)号：CN1873933B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200610092457.5

申请日：2006-06-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  挂端哲弥 ,  大沼英人 ,  永井雅晴 ,  纳光明 ,  坂仓真之 ,  小森茂树

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/02683 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1288

Abstract: 提供一种具有高工作性能和高可靠性的电路的半导体器件，并提高了半导体器件的可靠性，从而提高具有该半导体器件的电子设备的可靠性。上述目标通过结合下面的步骤来实现，即在沿一个方向扫描的同时，通过用连续波激光束或重复频率为10MHz或更大的脉冲激光束的辐射来使半导体层结晶的步骤；使用包括辅助图形的光掩膜或掩膜原版的光刻步骤，所述辅助图形由具有降低光强度功能的衍射光栅图形或半透射膜构成；以及通过使用具有低电子温度的高密度等离子体，对半导体膜、绝缘膜或导电膜的表面进行氧化、氮化或表面改性的步骤。

公开(公告)号：CN100585868C

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200610009053.5

申请日：2006-02-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂仓真之 ,  野田刚司 ,  桑原秀明 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/822 ,  C23C14/22

CPC classification number: H01L27/3244 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3248 ,  H01L51/0011 ,  H01L51/5052 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5209 ,  H01L51/5218 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5315

Abstract: 本发明提供一种在制造有源矩阵型发光器件时，能够在比常规更短的时间内实现以低成本和高成品率制造的结构和方法。在本发明中，作为和在有源矩阵型发光器件的像素部分上排列的TFT的半导体层连接或电连接而形成的金属电极采用叠层结构，而且对该金属电极进行部分地蚀刻。然后，该部分地被蚀刻了的金属电极用作发光元件的第一电极，并在其上形成缓冲层、含有机化合物的层和第二电极。

公开(公告)号：CN100530278C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200410045160.4

申请日：2004-04-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂仓真之 ,  长尾里筑子 ,  纳光明 ,  安西彩 ,  山崎优 ,  棚田好文

IPC: G09F9/30

CPC classification number: H01L27/3276 ,  H01L27/12

Abstract: 一种具有高清晰度的显示器件，其中由于布线中的电压降引起的显示不均匀和TFT特性差异引起的显示不均匀被抑制。本发明的显示器件包括用于传输视频信号的第一布线和用于向发光元件提供电流的第二布线。第一和第二布线彼此平行延伸，并形成为至少部分重叠绝缘层插在其间。

公开(公告)号：CN100492712C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200510059473.X

申请日：2005-03-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂仓真之 ,  高桥修平 ,  池田佳寿子 ,  二村智哉

IPC: H01L51/52 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/5253 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H05B33/04

Abstract: 本发明的一个目的是提供光发射装置的一种结构和制造方法，其降低保留在光发射装置内的水的量。本发明的另一个目的是提供一种光发射装置的结构和制造方法，其抑制光发射装置由于保留在光发射装置内的水而引起的恶化。本发明的光发射装置包括薄膜晶体管，覆盖薄膜晶体管的绝缘层，通过绝缘层上形成的接触孔而电连接至薄膜晶体管的电极，通过将光发射层置于电连接至第二电极的第一电极和第二电极之间而形成的光发射元件。该光发射装置进一步包括仅在电极和第一电极之间的绝缘层上，由与绝缘层不同的材料形成的层，和绝缘层。

公开(公告)号：CN1983586A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610137422.9

申请日：2006-10-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂仓真之 ,  大沼英人 ,  桑原秀明

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/1244 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/528 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3276 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种包括具有高驱动性能和可靠性的电路的半导体装置及其制造方法。本发明的一个目的是在不增加步骤数的情况下防止断裂或不良接触，从而形成具有高驱动性能和可靠性的集成电路。本发明将各自设有衍射光栅图案或由具有光强减小功能的半透明膜形成的辅助图案的光掩模或光罩应用于在引线的重叠部分中形成引线的光刻步骤。并且形成用作两层结构的下引线的导电膜，然后，形成抗蚀剂图案以形成下引线的第一层和窄于第一层的第二层来减缓陡直阶梯。