-
公开(公告)号：CN100585868C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200610009053.5
申请日：2006-02-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/32 , H01L21/822 , C23C14/22
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L27/322 , H01L27/3248 , H01L51/0011 , H01L51/5052 , H01L51/5206 , H01L51/5209 , H01L51/5218 , H01L51/56 , H01L2251/5315
Abstract: 本发明提供一种在制造有源矩阵型发光器件时，能够在比常规更短的时间内实现以低成本和高成品率制造的结构和方法。在本发明中，作为和在有源矩阵型发光器件的像素部分上排列的TFT的半导体层连接或电连接而形成的金属电极采用叠层结构，而且对该金属电极进行部分地蚀刻。然后，该部分地被蚀刻了的金属电极用作发光元件的第一电极，并在其上形成缓冲层、含有机化合物的层和第二电极。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101499477A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200810185584.9
申请日：2006-02-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/24 , H01L27/32
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L27/322 , H01L27/3248 , H01L51/0011 , H01L51/5052 , H01L51/5206 , H01L51/5209 , H01L51/5218 , H01L51/56 , H01L2251/5315
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明提供一种在制造有源矩阵型发光器件时，能够在比常规更短的时间内实现以低成本和高成品率制造的结构和方法。在本发明中，作为和在有源矩阵型发光器件的像素部分上排列的TFT的半导体层连接或电连接而形成的金属电极采用叠层结构，而且对该金属电极进行部分地蚀刻。然后，该部分地被蚀刻了的金属电极用作发光元件的第一电极，并在其上形成缓冲层、含有机化合物的层和第二电极。
-
公开(公告)号：CN100479016C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200510056546.X
申请日：2005-01-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/3291 , G09G2300/0465 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2310/0251 , G09G2310/0256 , G09G2320/0295 , G09G2320/043 , H01L27/1296 , H01L27/3262 , H01L27/3276
Abstract: 本发明提供一种发光装置，其中电容器占据的区域减少，由驱动TFT的特性变化或栅电压Vgs的波动所引起的发光元件的亮度变化可以抑制。若干像素中的每一个包括发光元件、决定向其提供的电流值的第一晶体管、根据视频信号选择其发光/不发光的第二晶体管、第一电源线和由该若干像素共享的第二电源线。另外，提供补偿电路，其中每个包括栅极和漏极连接到第二电源线的第三晶体管、和用于控制第三电源线和第三晶体管栅极和漏极之间连接的第四晶体管。第一和第二晶体管串联连接在发光元件和第一电源线之间，且第一晶体管的栅极连接第二电源线。
-
公开(公告)号：CN101499477B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN200810185584.9
申请日：2006-02-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/24 , H01L27/32
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L27/322 , H01L27/3248 , H01L51/0011 , H01L51/5052 , H01L51/5206 , H01L51/5209 , H01L51/5218 , H01L51/56 , H01L2251/5315
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明提供一种在制造有源矩阵型发光器件时，能够在比常规更短的时间内实现以低成本和高成品率制造的结构和方法。在本发明中，作为和在有源矩阵型发光器件的像素部分上排列的TFT的半导体层连接或电连接而形成的金属电极采用叠层结构，而且对该金属电极进行部分地蚀刻。然后，该部分地被蚀刻了的金属电极用作发光元件的第一电极，并在其上形成缓冲层、含有机化合物的层和第二电极。
-
公开(公告)号：CN1822384A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610009053.5
申请日：2006-02-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/32 , H01L21/822 , C23C14/22
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L27/322 , H01L27/3248 , H01L51/0011 , H01L51/5052 , H01L51/5206 , H01L51/5209 , H01L51/5218 , H01L51/56 , H01L2251/5315
Abstract: 本发明提供一种在制造有源矩阵型发光器件时，能够在比常规更短的时间内实现以低成本和高成品率制造的结构和方法。在本发明中，作为和在有源矩阵型发光器件的像素部分上排列的TFT的半导体层连接或电连接而形成的金属电极采用叠层结构，而且对该金属电极进行部分地蚀刻。然后，该部分地被蚀刻了的金属电极用作发光元件的第一电极，并在其上形成缓冲层、含有机化合物的层和第二电极。
-
公开(公告)号：CN1652186A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200510056546.X
申请日：2005-01-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/3291 , G09G2300/0465 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2310/0251 , G09G2310/0256 , G09G2320/0295 , G09G2320/043 , H01L27/1296 , H01L27/3262 , H01L27/3276
Abstract: 本发明提供一种发光装置，其中电容器占据的区域减少，由驱动TFT的特性变化或栅电压Vgs的波动所引起的发光元件的亮度变化可以抑制。若干像素中的每一个包括发光元件、决定向其提供的电流值的第一晶体管、根据视频信号选择其发光/不发光的第二晶体管、第一电源线和由该若干像素共享的第二电源线。另外，提供补偿电路，其中每个包括栅极和漏极连接到第二电源线的第三晶体管、和用于控制第三电源线和第三晶体管栅极和漏极之间连接的第四晶体管。第一和第二晶体管串联连接在发光元件和第一电源线之间，且第一晶体管的栅极连接第二电源线。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.023 seconds)
