公开(公告)号：CN102544027A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110418419.5

申请日：2005-09-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 桧垣欣成 ,  坂仓真之 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/45

CPC classification number: H01L29/78669 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3248 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明涉及具有包括薄膜晶体管(TFT)的电路的半导体器件及其制造方法。本发明的目的是连接用两种不相容的膜(ITO膜和铝膜)构成的引线、电极等，同时不增大该引线的横截面面积，并且即使屏幕尺寸变得更大也能够实现低功耗。本发明提供了一种包括上层和下层的双层结构，下层宽度大于上层宽度。第一导电层是用Ti和Mo构成的，第二导电层是用铝(纯净的铝)构成的，第二导电层具有低电阻且位于第一导电层上。从上层的端部突出来的那部分下层与ITO接合。

公开(公告)号：CN102544027B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201110418419.5

申请日：2005-09-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 桧垣欣成 ,  坂仓真之 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/45

CPC classification number: H01L29/78669 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3248 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明涉及具有包括薄膜晶体管(TFT)的电路的半导体器件及其制造方法。本发明的目的是连接用两种不相容的膜(ITO膜和铝膜)构成的引线、电极等，同时不增大该引线的横截面面积，并且即使屏幕尺寸变得更大也能够实现低功耗。本发明提供了一种包括上层和下层的双层结构，下层宽度大于上层宽度。第一导电层是用Ti和Mo构成的，第二导电层是用铝(纯净的铝)构成的，第二导电层具有低电阻且位于第一导电层上。从上层的端部突出来的那部分下层与ITO接合。

公开(公告)号：CN101044627A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200580030578.0

申请日：2005-09-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 桧垣欣成 ,  坂仓真之 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/78669 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3248 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的目的是连接用两种不相容的膜(ITO膜和铝膜)构成的引线、电极等，同时不增大该引线的横截面面积，并且即使屏幕尺寸变得更大也能够实现低功耗。本发明提供了一种包括上层和下层的双层结构，下层宽度大于上层宽度。第一导电层是用Ti和Mo构成的，第二导电层是用铝(纯净的铝)构成的，第二导电层具有低电阻且位于第一导电层上。从上层的端部突出来的那部分下层与ITO接合。

公开(公告)号：CN101044627B

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN200580030578.0

申请日：2005-09-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 桧垣欣成 ,  坂仓真之 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/78669 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3248 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的目的是连接用两种不相容的膜(ITO膜和铝膜)构成的引线、电极等，同时不增大该引线的横截面面积，并且即使屏幕尺寸变得更大也能够实现低功耗。本发明提供了一种包括上层和下层的双层结构，下层宽度大于上层宽度。第一导电层是用Ti和Mo构成的，第二导电层是用铝(纯净的铝)构成的，第二导电层具有低电阻且位于第一导电层上。从上层的端部突出来的那部分下层与ITO接合。