公开(公告)号：CN101515571A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200910132593.6

申请日：2005-03-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂仓真之 ,  高桥修平 ,  池田佳寿之 ,  二村智哉

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/31 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/5253 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H05B33/04

Abstract: 本发明的一个目的是提供光发射装置的一种结构和制造方法，其降低保留在光发射装置内的水的量。本发明的另一个目的是提供一种光发射装置的结构和制造方法，其抑制光发射装置由于保留在光发射装置内的水而引起的恶化。本发明的光发射装置包括薄膜晶体管，覆盖薄膜晶体管的绝缘层，通过绝缘层上形成的接触孔而电连接至薄膜晶体管的电极，通过将光发射层置于电连接至第二电极的第一电极和第二电极之间而形成的光发射元件。该光发射装置进一步包括仅在电极和第一电极之间的绝缘层上，由与绝缘层不同的材料形成的层，和绝缘层。

公开(公告)号：CN101064347A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200710100942.7

申请日：2007-04-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  铃木幸惠 ,  荒井康行 ,  守屋芳隆 ,  池田佳寿子 ,  棚田好文 ,  高桥修平

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/42368 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/13 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7881

Abstract: 一种半导体器件，其具有半导体层、覆盖所述半导体层的端部的栅电极和用于使所述半导体层和所述栅电极绝缘的绝缘层。使所述半导体层与所述栅电极相互重叠的区域绝缘的绝缘层的膜厚度大于覆盖所述半导体层的中央部分绝缘层的膜厚度。

公开(公告)号：CN102693919B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201210162478.5

申请日：2007-04-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  铃木幸惠 ,  荒井康行 ,  守屋芳隆 ,  池田佳寿子 ,  棚田好文 ,  高桥修平

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42368 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/13 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7881

Abstract: 一种半导体器件，其具有半导体层、覆盖所述半导体层的端部的栅电极和用于使所述半导体层和所述栅电极绝缘的绝缘层。使所述半导体层与所述栅电极相互重叠的区域绝缘的绝缘层的膜厚度大于覆盖所述半导体层的中央部分绝缘层的膜厚度。

公开(公告)号：CN102693919A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210162478.5

申请日：2007-04-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  铃木幸惠 ,  荒井康行 ,  守屋芳隆 ,  池田佳寿子 ,  棚田好文 ,  高桥修平

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42368 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/13 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7881

Abstract: 一种半导体器件，其具有半导体层、覆盖所述半导体层的端部的栅电极和用于使所述半导体层和所述栅电极绝缘的绝缘层。使所述半导体层与所述栅电极相互重叠的区域绝缘的绝缘层的膜厚度大于覆盖所述半导体层的中央部分绝缘层的膜厚度。

公开(公告)号：CN101515571B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200910132593.6

申请日：2005-03-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂仓真之 ,  高桥修平 ,  池田佳寿子 ,  二村智哉

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/31 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/5253 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H05B33/04

Abstract: 本发明的一个目的是提供光发射装置的一种结构和制造方法，其降低保留在光发射装置内的水的量。本发明的另一个目的是提供一种光发射装置的结构和制造方法，其抑制光发射装置由于保留在光发射装置内的水而引起的恶化。本发明的光发射装置包括薄膜晶体管，覆盖薄膜晶体管的绝缘层，通过绝缘层上形成的接触孔而电连接至薄膜晶体管的电极，通过将光发射层置于电连接至第二电极的第一电极和第二电极之间而形成的光发射元件。该光发射装置进一步包括仅在电极和第一电极之间的绝缘层上，由与绝缘层不同的材料形成的层，和绝缘层。

公开(公告)号：CN100492712C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200510059473.X

申请日：2005-03-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂仓真之 ,  高桥修平 ,  池田佳寿子 ,  二村智哉

IPC: H01L51/52 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/5253 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H05B33/04

Abstract: 本发明的一个目的是提供光发射装置的一种结构和制造方法，其降低保留在光发射装置内的水的量。本发明的另一个目的是提供一种光发射装置的结构和制造方法，其抑制光发射装置由于保留在光发射装置内的水而引起的恶化。本发明的光发射装置包括薄膜晶体管，覆盖薄膜晶体管的绝缘层，通过绝缘层上形成的接触孔而电连接至薄膜晶体管的电极，通过将光发射层置于电连接至第二电极的第一电极和第二电极之间而形成的光发射元件。该光发射装置进一步包括仅在电极和第一电极之间的绝缘层上，由与绝缘层不同的材料形成的层，和绝缘层。

公开(公告)号：CN1684557A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN200510059473.X

申请日：2005-03-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂仓真之 ,  高桥修平 ,  池田佳寿子 ,  二村智哉

IPC: H05B33/04 ,  H05B33/12 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/5253 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H05B33/04

Abstract: 本发明的一个目的是提供光发射装置的一种结构和制造方法，其降低保留在光发射装置内的水的量。本发明的另一个目的是提供一种光发射装置的结构和制造方法，其抑制光发射装置由于保留在光发射装置内的水而引起的恶化。本发明的光发射装置包括薄膜晶体管，覆盖薄膜晶体管的绝缘层，通过绝缘层上形成的接触孔而电连接至薄膜晶体管的电极，通过将光发射层置于电连接至第二电极的第一电极和第二电极之间而形成的光发射元件。该光发射装置进一步包括仅在电极和第一电极之间的绝缘层上，由与绝缘层不同的材料形成的层，和绝缘层。

公开(公告)号：CN101064347B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200710100942.7

申请日：2007-04-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  铃木幸惠 ,  荒井康行 ,  守屋芳隆 ,  池田佳寿子 ,  棚田好文 ,  高桥修平

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/42368 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/13 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7881

Abstract: 一种半导体器件，其具有半导体层、覆盖所述半导体层的端部的栅电极和用于使所述半导体层和所述栅电极绝缘的绝缘层。使所述半导体层与所述栅电极相互重叠的区域绝缘的绝缘层的膜厚度大于覆盖所述半导体层的中央部分绝缘层的膜厚度。