公开(公告)号：CN103339733B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201280006501.X

申请日：2012-01-23

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社 ,  富士电机株式会社

Inventor： 寺本章伸 ,  神林宏 ,  上田博一 ,  两角友一朗 ,  原田豪繁 ,  长谷部一秀 ,  大见忠弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/02274 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/28264 ,  H01L23/564 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体器件的制造方法是具有构成半导体层的GaN（氮化镓）的半导体器件的制造方法，其包括栅极绝缘膜形成工序（F），在具有GaN的氮化物层上，使用微波等离子体，形成由SiO2膜和Al2O3膜构成的组之中的至少一种膜，使所形成的膜成为栅极绝缘膜的至少一部分。

公开(公告)号：CN103299405A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201280004925.2

申请日：2012-01-23

Applicant: 先进动力设备技术研究协会 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 神林宏 ,  寺本章伸 ,  大见忠弘

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/20 ,  H01L21/306 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/302 ,  H01L21/30621 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7827

Abstract: 提供一种用于制造氮化镓系半导体装置的半导体装置的制造方法，所述制造方法包括以下工序：第1半导体层形成工序，形成由氮化镓系半导体形成的第1半导体层；以及凹进部形成工序，使用溴系气体通过微波等离子工艺对第1半导体层的一部分进行干式蚀刻，从而形成凹进部。

公开(公告)号：CN102057483B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN200980121220.7

申请日：2009-05-22

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  今井纮 ,  寺本章伸

IPC: H01L23/12 ,  H01P3/08 ,  H05K3/46

CPC classification number: H05K1/0218 ,  H01L23/66 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2223/6688 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/19032 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/025 ,  H05K1/0265 ,  H05K3/4652 ,  H05K2201/0191 ,  H05K2201/0352 ,  H05K2201/0715 ,  H05K2201/096 ,  H05K2201/09618 ,  H05K2201/09727 ,  H05K2201/09972 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种多层配线基板。多层配线基板(100)具有：第一配线区域(101)，其中配线(103a)和绝缘层(104a，104b)交替地层叠；以及第二配线区域(102)，其中相对于第一配线区域(101)的绝缘层的厚度H1，绝缘层(104)的厚度H2是2倍以上，并且相对于配线宽度W1，配线(103b)的宽度W2为2倍以上。第一配线区域(101)和第二配线区域(102)被一体地形成在同一基板上。

公开(公告)号：CN101512774B

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN200780031903.4

申请日：2007-06-21

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  程炜涛

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78654 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78648

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，通过对支承SOI层的硅基板的杂质浓度进行调整，并控制在与SOI层相接的硅基板表面形成的嵌入绝缘层的厚度，可得到能够调整阈值的晶体管。

公开(公告)号：CN102741977A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201180008182.1

申请日：2011-02-02

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  诹访智之

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/324 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/0201 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67757 ,  H01L29/34 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明为表面由单原子层的台阶形成有呈阶梯状的多个平台的硅晶片，在所述晶片中不存在滑移线。

公开(公告)号：CN101238566B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200580051329.X

申请日：2005-08-18

Applicant: 爱德万测试株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 冈安俊幸 ,  须川成利 ,  寺本章伸

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L23/544 ,  G01R31/31718 ,  G11C2029/4402 ,  H01L21/76254 ,  H01L22/14 ,  H01L2223/5444 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/49004 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供电子器件的器件识别方法，是识别具有电子器件实际工作时工作的实际工作电路；以及设有多个测试用元件，在测试电子器件时工作的测试用电路的电子器件的器件识别方法；该方法具有：特性测量步骤，其测试多个测试用元件的电特性；识别信息存储步骤，其作为电子器件的识别信息存储各个测试用元件的电特性；识别信息取得步骤，其为了识别所需的电子器件，测量该电子器件中包含的多个测试用元件的电特性，取得该电子器件的识别信息；匹配步骤，其将识别信息取得步骤取得的前述识别信息与识别信息存储步骤存储的识别信息进行比较，当识别信息一致的情况下，判定为同一电子器件。

公开(公告)号：CN101322240B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200680045389.5

申请日：2006-11-30

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1211 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/845 ,  H01L29/045 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7857

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，为了使构成CMOS电路的p型MOS晶体管和n型MOS晶体管的动作速度实质上相同，对n型MOS晶体管采取在(100)面和(110)面双方都具有沟道区域的三维构造，对p型MOS晶体管采取仅在(110)面上具有沟道区域的平面构造。进而构成为使两个晶体管的沟道区域和栅极绝缘膜面积相等。由此，可以使栅极绝缘膜等的面积相等，并且，也可以使栅极容量相等。

公开(公告)号：CN102017161A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980115221.0

申请日：2009-04-10

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  黑田理人

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L27/0883 ,  H01L27/092 ,  H01L29/045 ,  H01L29/458 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78696

Abstract: 在反型晶体管或本征型晶体管、以及半导体层的积累层电流控制型积累型晶体管中，由于杂质原子浓度的统计偏差，阈值电压的偏差在微细化世代变大，难以确保LSI的可靠性。可以得到通过控制半导体层的膜厚和杂质原子浓度而形成的大电流控制积累型晶体管，使得耗尽层的厚度大于半导体层的膜厚。例如，通过使半导体层的膜厚为100nm并且杂质浓度高于2×1017[cm-3]，阈值偏差的标准偏差可以小于电源电压的偏差。

公开(公告)号：CN101589443A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200880002769.X

申请日：2008-01-22

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  住友大阪水泥股份有限公司 ,  株式会社友华

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  石塚雅之 ,  日高宣浩 ,  白方恭

IPC: H01F1/26 ,  H01F1/147 ,  H01F1/24 ,  H01F1/37 ,  H01F41/02 ,  H05K1/02 ,  H05K1/03 ,  H05K9/00

CPC classification number: H01F41/0246 ,  H01F1/26 ,  H01F1/37 ,  H05K1/0233

Abstract: 本发明提供在数百MHz～数GHz的频率下磁损耗足够小的复合磁性体及其制造方法。在将磁性粉末分散在绝缘性材料中而构成的复合磁性体中，所述磁性粉末为球状或扁平状，所述复合磁性体具有下面的(a)～(c)中的任意一种特性。(a)1GHz或500MHz的频率下，相对磁导率μr大于1，并且介质损耗角正切tanδ为0.1以下，(b)在1.2GHz以下的频率下的复磁导率的实部μr’大于10，且介质损耗角正切tanδ为0.3以下，以及(c)复磁导率的实部μr’在4GHz以下的频率下大于1，且在1GHz以下的频率下介质损耗角正切tanδ为0.1以下。

公开(公告)号：CN101469794A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200810184721.7

申请日：2008-12-29

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  霓佳斯股份有限公司 ,  斯特拉化工公司 ,  宇部兴产株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  伏见圭太 ,  山中二朗 ,  宫下雅之 ,  西冈群晴

IPC: F16L11/04

CPC classification number: B32B27/28 ,  B32B1/08 ,  B32B27/34 ,  Y10T428/1393

Abstract: 一种树脂管具有由氟树脂形成的内层、尼龙的中间层以及由氟树脂形成的且覆盖所述中间层的最外层。