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公开(公告)号：CN112310281A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010448203.2
申请日：2020-05-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种集成电路元件及其制造方法，一电阻式随机处理记忆体单元堆叠形成于一介电层中的一开口上，介电层足够厚且开口足够深，以使得电阻式随机处理记忆体单元可用平坦化制程所形成。所得到的电阻式随机处理记忆体单元可具有U形轮廓。电阻式随机处理记忆体单元的面积包括来自平行于基材的电阻式随机处理记忆体单元的层的底部的贡献及大致上垂直于基材的电阻式随机处理记忆体单元的层的侧部的贡献。弯曲的电阻式随机处理记忆体单元的侧部及底部的组合提供相较于平坦的单元堆叠的提升的面积，提升的面积降低了电阻式随机处理记忆体单元的形成电压及设定电压。
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公开(公告)号：CN111916490A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010121421.5
申请日：2020-02-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L27/11507
Abstract: 本揭示内容的各实施方式是关于铁电存贮器装置。铁电存贮器装置包括设置在半导体基板中的一对源极/漏极区域。栅极介电质设置在半导体基板上方和介于源极/漏极区域之间。第一导电结构设置在栅极介电质上。铁电结构设置在第一导电结构上。第二导电结构设置在铁电结构上，其中第一导电结构和第二导电结构两者都具有一整体负电性，此整体负电性大于或等于铁电结构的整体负电性。
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公开(公告)号：CN110970438A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910917271.6
申请日：2019-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11502 , H01L27/11507
Abstract: 一些实施例涉及铁电随机存取存储器(FeRAM)器件。该FeRAM器件包括：底部电极结构和位于底部电极结构上面的顶部电极。顶部电极具有在顶部电极的最外侧壁之间测量的第一宽度。铁电结构将底部电极结构与顶部电极分隔开。铁电结构具有在铁电结构的最外侧壁之间测量的第二宽度。第二宽度大于第一宽度，使得铁电结构包括反映第一宽度和第二宽度之间的差的凸缘。介电侧壁间隔件结构设置在凸缘上，并且覆盖顶部电极的最外侧壁。本发明的实施例还涉及存储器器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN108987429A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201711063342.8
申请日：2017-11-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/24
Abstract: 一种半导体装置，包含金属间介电层、记忆单元、储存单元、晶体管和介电层。记忆单元包含位于金属间介电层顶表面的金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal，MIM)结构。晶体管位于金属间介电层的下方。介电层在晶体管上延伸并沿着金属介电层的顶表面延伸。介电层自金属-绝缘体-金属结构分离。
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公开(公告)号：CN104659206B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201410385383.9
申请日：2014-08-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供了形成电压特性改进的电阻式随机存取存储器及其形成方法。本发明提供电阻式随机存取存储器(RRAM)结构及其形成方法。该RRAM结构包括具有允许在操作过程中形成与顶部电极自对准的导电通路的凸起台阶部分的底部电极。该凸起台阶部分的倾斜角可为大约30度到150度。可通过蚀刻穿过RRAM堆形成多个RRAM结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104051617B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201310337331.X
申请日：2013-08-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种半导体结构包括存储区域。在存储区域上设置存储结构。存储结构包括第一电极、阻变层、保护材料和第二电极。第一电极具有位于所述存储区域上的顶面。阻变层具有至少第一部分和第二部分。第一部分设置在第一电极的顶面上方，第二部分从第一部分向上延伸。保护材料环绕阻变层的第二部分。保护材料被配置成保护阻变层中的至少一条导电路径。第二电极被设置在阻变层上方。本发明还提供了阻变式存储结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN103811515B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201310317125.2
申请日：2013-07-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/24 , H01L45/00 , H01L21/768
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L45/04 , H01L45/122 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1608 , H01L45/1666 , H01L45/1675
Abstract: 一种存储单元和方法包括：穿过第一介电层中的第一开口共形地形成的第一电极、共形地形成在第一电极上的电阻层、共形地形成在电阻层上的间隔层、共形地形成在电阻层上的第二电极、以及共形地形成在第二电极上的第二介电层，第二介电层包括第二开口。第一介电层形成在包括第一金属层的衬底上。第一电极和电阻层共同地包括超出第一开口延伸第一距离的第一唇状区。第二电极和第二介电层共同地包括超出第一开口延伸第二距离的第二唇状区。间隔层从第二距离延伸到第一距离。第二电极使用延伸穿过第二开口的通孔连接至第二金属层。本发明还提供了逻辑兼容的RRAM结构和工艺。
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公开(公告)号：CN103811514B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310028373.5
申请日：2013-01-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/24 , H01L45/00 , H01L21/768
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L45/04 , H01L45/122 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1675
Abstract: 本发明公开了逻辑兼容RRAM结构和工艺。一种存储器单元和方法包括：通过第一介电层中的第一开口共形形成的第一电极；在第一电极上共形形成的电阻层；在电阻层上共形形成的第二电极；和在第二电极上共形形成的第二介电层，第二介电层包含第二开口。第一介电层形成在包含第一金属层的衬底上。第一电极和电阻层共同包括延伸超出第一开口限定的区域第一距离的第一唇形区域。第二电极和第二介电层共同包括延伸超出第一开口限定的区域第二距离的第二唇形区域。使用延伸穿过第二开口的通孔将第二电极连接至第二金属层。
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公开(公告)号：CN103227101B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210245070.4
申请日：2012-07-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 涂国基
CPC classification number: H01L29/945 , H01L21/0214 , H01L21/02274 , H01L28/91 , H01L29/66181
Abstract: 公开了半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，制造半导体器件的方法包括：在工件的沟槽内形成电容器，电容器包括底部电极、设置在底部电极上方的介电层和设置在介电层上方的顶部电极。保护层形成在电容器的上方。形成电容器和形成保护层包括：优化沟槽的宽度、底部电极的厚度、介电层的厚度、顶部电极的厚度和保护层的厚度中的至少一个，使得保护层完全覆盖顶部电极。
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公开(公告)号：CN103715352B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201310150851.X
申请日：2013-04-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L45/08 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1675
Abstract: 本发明涉及一种包括电阻可变存储结构的半导体结构。该半导体结构还包括导电结构。电阻可变存储器结构位于导电结构上方。电阻可变存储器结构包括位于导电结构上方的第一电极。电阻可变层设置在第一电极上方。覆盖层设置在电阻可变层上方。覆盖层包括第一金属材料。第二电极设置在覆盖层上方。第二电极包括不同于第一金属材料的第二金属材料。本发明还提供了一种电阻可变存储器结构及其形成方法。
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