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公开(公告)号：CN105655458A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610152156.0
申请日：2016-03-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0075 , H01L33/405 , H01L33/42
Abstract: 本发明公开一种增加发光面积LED芯片结构，包括衬底、外延层、导电层、P电极和N电极；外延层由依次形成的N-GaN、有源发光层及P-GaN构成，N-GaN形成在衬底上；导电层形成在P-GaN上，导电层上形成P电极；有源发光层及P-GaN的外侧壁上形成第一斜坡，第一斜坡上形成绝缘层，绝缘层部分延伸至导电层表面；N-GaN的外侧壁形成第二斜坡，N电极形成在第二斜坡上并借助绝缘层与有源发光层、P-GaN及导电层绝缘。本发明还公开一种增加发光面积LED芯片结构制作方法。本发明可以进一步减少发光面积损失，进一步提高发光效率，从而在同等芯片面积下增加芯片发光层面积。
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公开(公告)号：CN105590943A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201610103085.5
申请日：2016-02-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L27/153 , H01L33/007 , H01L33/46 , H01L2933/0033
Abstract: 一种高压LED及其制作工艺，涉及LED的制造技术领域。在半制品表面蒸镀DBR层，再通过刻蚀，保留每个元胞的量子阱层侧壁和N-GaN层表面的DBR层，以及在元胞的第二电极区域和相邻的另一元胞的第一电极区域之间的衬底表面、N-GaN层侧壁、量子阱层侧壁、P-GaN层侧壁及P-GaN层表面的DBR层；形成的产品特点：在各元胞的量子阱层侧壁、N-GaN层表面设置DBR绝缘层，在所述元胞的第二电极和相邻的另一元胞的第一电极之间的衬底表面、N-GaN层侧壁、量子阱层侧壁、P-GaN层侧壁及P-GaN层表面设置DBR绝缘层。可减少光损失，在使元胞之间采用DBR绝缘的功能上再提升芯片的亮度。
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公开(公告)号：CN105206729A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510717801.4
申请日：2015-10-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种提升取光效率的GaN-LED芯片，涉及LED芯片的生产技术领域，包括设置在外延片上的芯片区域和切割道区域，其特征在于在所述切割道区域设置点阵排列的若干锥形台，各锥形台的底部连接在外延片的N-GaN层上，各锥形台具有能够将外延片的多量子阱层发出的侧向光反射至芯片正面的侧面。本发明通过在LED芯片切割道设计的锥形台，增加LED芯片侧出光的反射渠道，以此来增加LED芯片取光效率，使正向光的出光量增加，从而提升LED芯片亮度。本发明芯片区域的设计适用于现有的正装、倒装或垂直结构等。
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公开(公告)号：CN109616562B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN201811346721.2
申请日：2018-11-13
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一LED发光芯片，其包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层、一绝缘层以及一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极的至少一列N型电极连接针在穿过所述绝缘层的N型连接针通道后被电连接于所述N型半导体层，所述P型电极的至少一列P型电极连接针在穿过所述绝缘层的所述P型连接针通道后被电连接于所述透明导电层，在一列所述N型电极连接针中，至少一个所述N型电极连接针与两个相邻所述N型电极连接针的间距不同，在一列所述P型电极连接针中，至少一个所述P型电极连接针与两个相邻所述P型电极连接针的间距不同，通过这样的方式，所述LED发光芯片的电流能够被均匀地分布。
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公开(公告)号：CN109244209B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN201810885637.1
申请日：2018-08-06
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一发光二极管的倒装芯片及其制造方法和蚀刻方法，其中所述倒装芯片包括一外延单元、层叠于所述外延单元的一反射层、层叠于所述外延单元且包覆所述反射层的一防扩散层、层叠于所述防扩散层的一第一绝缘层、层叠于所述第一绝缘层的一电流扩展层以及层叠于所述电流扩展层的一电极组，其中所述第一绝缘层具有多个连接针通道，以供容纳所述电流扩展层的连接针，其中所述第一绝缘层的用于形成所述连接针通道的内壁为多段式内壁，通过这样的方式，能够扩大所述第一绝缘层于所述电流扩展层的结合面积，从而提高所述倒装芯片的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108682726B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201810478979.1
申请日：2018-05-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一发光二极管及其芯片和制造方法以及芯片的发光方法，其中所述芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层以及一钝化保护层，其中所述钝化保护层具有多个分别对应于所述透明导电层的不同位置的孔洞，一P型电极的一部分在穿过这些所述孔洞后被电连接于所述透明导电层，一N型电极被电连接于所述N型半导体层。
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公开(公告)号：CN109817779B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201910106878.6
申请日：2019-02-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种高压LED芯片结构及其制造方法，所述高压LED芯片结构，包括多个LED芯片颗粒和设置在相邻两个LED芯片颗粒之间的原胞隔离槽，所述原胞隔离槽包括连接原胞隔离槽和非连接区原胞隔离槽，其中，在相邻两个LED芯片颗粒中心连线的方向上，所述非连接区原胞隔离槽的宽度小于所述连接区原胞隔离槽的宽度；所述非连接区原胞隔离槽的侧壁倾斜度大于所述连接区原胞隔离槽的侧壁倾斜度。从而减小了非连接区原胞隔离槽的面积，进而增加了发光区面积，提高了高压LED芯片的光效。由于连接区原胞隔离槽的侧壁偏缓，从而保证了桥接绝缘隔离层和桥接电极的有效覆盖，保证了高压LED芯片结构的产品可靠性。
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公开(公告)号：CN106992235B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201710292721.8
申请日：2017-04-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管芯片，包括：半导体堆叠结构，半导体堆叠结构依次包括衬底、第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层和电流扩展层，第一半导体层和第二半导体层的导电类型相反，半导体堆叠结构自电流扩展层至衬底方向具有开槽，且开槽底部裸露第一半导体层；位于开槽内、且形成于第一半导体层上的第一电极层；形成于电流扩展层背离衬底一侧的第二电极层，第二电极层包括第二电极引脚，及延伸方向相同、且垂直延伸方向排列的多个第二延伸体，第二延伸体的一端与第二电极引脚相连。本发明提供的技术方案，保证多量子阱层中的电流分布更加均匀，且被遮挡光子可以通过相邻两个第二延伸体之间的空隙出射，提高发光二极管芯片的发光亮度。
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公开(公告)号：CN110556284A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201810563235.X
申请日：2018-06-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一发光二极管的芯片的制造方法和溅射方法，其中所述溅射方法包括如下步骤：光刻层叠于一底材的一光刻胶层，以使所述光刻胶层形成至少一溅射空间和环绕在所述溅射空间的四周的一防翘空间，其中所述防翘空间连通所述溅射空间；在溅射一成型材料于所述光刻胶层的所述溅射空间而形成结合于所述底材的一金属层时，所述防翘空间阻止所述成型材料进入于其内；以及去除所述光刻胶层，以完成在所述底材的表面溅射所述金属层的所述溅射方法。
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公开(公告)号：CN107768496B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201710895982.9
申请日：2017-09-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种LED倒装芯片、制备方法及LED晶片，其中，该LED倒装芯片包括：衬底，依次形成于所述衬底上的外延结构和反射层，所述外延结构包括依次形成于所述衬底上的N型层、发光层、P型层，所述外延结构包括多个暴露所述N型层的接触孔，所述反射层暴露所述接触孔，所述反射层包括反射电极层；所述接触孔内形成有与所述P型层彼此绝缘的辅助电极，所述辅助电极用于与所述LED倒装芯片的N电极电连接；其中，所述辅助电极包括与所述反射电极层同层形成的第一辅助电极。本申请实施例通过在接触孔上设置辅助电极，该辅助电极包括与反射电极层同层形成的第一辅助电极，能够提高对光的反射。
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