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公开(公告)号：CN114242866B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202111505447.0
申请日：2021-12-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构LED芯片及其制作方法，本发明提供的垂直结构LED芯片，通过在基板表面依次设置键合层、防扩散层、金属反射镜以及外延叠层；其中，所述防扩散层用于防止所述键合层的金属扩散，从而提高产品的可靠性以及外量子效率，此外，所述防扩散层层叠于所述金属反射镜的表面，亦可同步实现金属反射镜中的金属迁移；进一步地，将所述键合层设置为包括含有Sn合金的键合层，将低成本金属Sn代替贵金属Au，可明显降低LED芯片的制造成本。
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公开(公告)号：CN110233425B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN201910644334.5
申请日：2019-07-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明提供一种VCSEL激光器及其制作方法，通过设置绝缘介质层、第一氧化层和第二氧化层对电流进行限制，被绝缘介质层环绕的透明导电层和第一欧姆接触层构成第一导电通道，第一氧化层具有第二导电通道，第二氧化层具有第三导电通道，且出光孔、第三导电通道、第二导电通道和第一导电通道在水平方向的尺寸依次减小，从而能够有效地将电流导向由第一导电通道、第二导电通道和第三导电通道限定的区域，提高激光效率。
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公开(公告)号：CN116979005A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202311066424.3
申请日：2023-08-23
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种LED芯片及其制作方法，其中LED芯片包括：金属键合层、金属反射结构、透明介质结构和堆叠结构，其中，金属反射结构和透明介质结构构成ODR反射结构，用于反射有源区出射的光及阻挡金属材质迁移至有源区；金属反射结构为多层的复合反射结构，可以有效地提高反射率；透明介质结构包括电介质层，或绝缘介质层，且，绝缘介质层具有贯穿绝缘介质层的多个通孔，各通孔由金属材质填充形成多个导电通道，电流可以通过电介质层或多个导电通道进行均匀分布，避免在大电流工作条件下，LED芯片出现电流拥挤及可靠性不好的问题；并结合出光面为粗化面，在扩大LED芯片发光角度的同时能够提高LED芯片出光效率。
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公开(公告)号：CN116435432A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310317682.8
申请日：2023-03-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过第一绝缘层、第一电极连通层、第二绝缘层的配合设计，使得所述导电基板与所述第二型半导体层(P型半导体层)直接电性连接，进一步地，所述导电基板可作为LED芯片与外部接触的第二电极，如此实现了LED芯片在发光台面所产生的热量在垂直方向上直接传输至所述导电基板，从而有利于热量的散出、降低了LED芯片的热阻。同时，通过通孔设计，形成了LED上、下表面相互结合(即第一电极连通层与第一电极层的相互配合)的复合型电极结构，使得电流注入更佳均匀，有效改善了大电流注入时所带来的俄歇复合问题。
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公开(公告)号：CN116344724A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310195073.X
申请日：2023-03-03
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种微型发光元件及其制备方法，本发明提供的微型发光元件，包括基板及位于所述基板表面的若干个LED芯片；其中，所述基板具有若干个间隔分布的电极连接部件；所述LED芯片包括垂直结构LED芯片；所述垂直结构LED芯片横卧于所述基板表面，且所述垂直结构LED芯片的两极性电极分别与所述电极连接部件连接。同时，通过遮挡其余出光面，使光只通过一个面出射，实现了良好的发光形貌，呈朗伯分布。另外，基板表面的若干个LED芯片可以在芯片制作过程中通过晶圆级键合，实现若干个LED芯片的集成，避免了传统混光过程中的多次巨量转移，实现全彩化，并且可以突破现有芯片技术的尺寸限制，使得发光单元做得更小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116111030A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310266498.5
申请日：2023-03-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/50 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L33/46 , H01L33/42 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/00 , H01L25/075 , H01L27/15 , G09F9/33
Abstract: 本发明提供一种Micro‑LED显示装置及其制作方法，其中Micro‑LED显示装置包括：驱动电路单元，设置在驱动电路单元上的若干像素单元，每个像素单元均包括：发光单元，发光单元通过分割道间隔设有三个发光结构，三个发光结构为紫外光发光结构或紫光发光结构，通过荧光粉激发获得白光，经过红、绿、蓝三基色滤光片后，结合控制第一电极、第二电极、第三电极和第四电极，可以实现红、绿、蓝三基色单色控制及其混色控制，第一电极、第二电极、第三电极和第四电极同时设置在背光面这一侧，可增加出光面的发光面积，且第四电极通过分割道与透明导电层连接，可明显增大电流扩展和增强电导热能力，进而提高Micro‑LED显示装置的发光效率和可靠性。
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公开(公告)号：CN115548182A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211213055.1
申请日：2022-09-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，实现了多个垂直结构发光单元的并联，可分流LED芯片的总电流，以降低LED芯片的整体电压；同时，将LED芯片刻蚀形成多个发光阵列，有效增大了侧面的出光面积，尤其对短波长的紫外LED芯片，更多TM模出光，具有明显的出光效果。此外，第一电极连通层设置于各所述分割道的底面且相互连通，并在靠近所述第一型半导体层的一侧表面具有电极引出区，从而使得第一电极不额外占据发光面积，同时通过第一电极连通层极大提升的电流扩展均匀性，保证LED发光的均匀性，进一步降低LED芯片的工作电压，提升电光转化效率。
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公开(公告)号：CN113328019B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202110563851.7
申请日：2021-05-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种外延生长衬底、半导体外延结构及其制作方法，通过设置：具有若干个凸台的图形化衬底以及形成于所述图形化衬底表面的保护层；相邻的所述凸台之间具有间隙，且所述保护层填充所述间隙并覆盖各所述凸台的顶面；所述保护层用于保护所述生长衬底的图形在外延生长前不被破坏。进一步地，所述凸台的垂直高度大于所述凸台的底面宽度，使所述外延生长衬底形成大高宽比的图形，实现大出光角度；并通过小底宽设计实现高密度的图形进而提高发光效率。同时，通过设置保护层，有利于实现图形化衬底的可靠性及稳定性，减少大高宽比的图形在外延生长前被外力破坏。
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公开(公告)号：CN114744086A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202111679335.7
申请日：2021-12-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种发光外延结构及发光二极管芯片，其中发光二极管芯片包括有通过隧穿结过渡的第一有源层和第二有源层；或者，发光二极管芯片包括有通过绝缘层相叠加的第一有源层和第二有源层，使得发光二极管芯片包括有更多的发光区域，能够有效提高发光二极管芯片的出光亮度。同时，通过设计包括更多发光区域的发光二极管芯片，能够使得发光二极管芯片具有混色调光的性能，扩大发光二极管芯片的适用范围。
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公开(公告)号：CN113130717B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202110397862.2
申请日：2021-04-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种可实现光均匀分布的mini‑LED芯片及其制备方法，通过在衬底表面依次堆叠外延叠层、非掺杂层及第二型半导体薄层；同时，在所述第二型半导体薄层的表面设有透明导电层，且所述透明导电层通过沟槽嵌入的方式与所述第二型半导体层形成接触，且所述绝缘层附着于所述通孔侧壁并延伸至所述透明导电层的部分表面。使得当电流从电极注入后，通过所述凹槽均匀扩展至所述第二型半导体层，从而缩小所述透明导电层的中心与边缘所存在的电势差，使得电流能很均匀地分布，避免mini‑LED出现电流拥挤的现象。
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