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公开(公告)号：CN104167474A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410391579.9
申请日：2014-08-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0075 , H01L33/22 , H01L33/30
Abstract: 本发明公开一种高晶体质量红外发光二极管，在衬底之上依次形成缓冲层、腐蚀截止层、欧姆接触层、电流传输层、粗化层、第一型导电层、有源层及第二型导电层；有源层由多组的量子垒、降温层及量子阱三层结构循环构成，降温层位于量子垒与量子阱之间。本发明解决有源区的量子阱与其它外延层存在失配，引起的外延层晶体质量差的问题，提高红外发光二极管量子效率。
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公开(公告)号：CN107275454B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201710601402.0
申请日：2017-07-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种发光二极管的外延生长方法，其包括：提供衬底；在所述衬底上外延生长非故意掺杂GaN层；其中，所述非故意掺杂GaN层外延生长若干个生长周期，每个生长周期包括：第一生长阶段和第二生长阶段；在所述第一生长阶段，镓前驱源的流量为第一流量，在所述第二生长阶段，镓前驱源的流量为第二流量，所述第一流量大于所述第二流量。该方法通过镓前驱源的流量高低交替变化的方式实现生长速率呈高低速交替变化的方式生长GaN层，从而实现了提高发光二极管的生长速率的同时，使得外延氮化镓晶体质量不会变差的效果。
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公开(公告)号：CN106025793B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201610557020.8
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有二次谐振腔的半导体激光器，衬底上由下至上依次外延缓冲层、第一型导电层、第一下波导层、有源区、第一上波导层和第二型导电层；缓冲层与第一型导电层之间通过外延生长设置一层第二下波导层，第二型导电层上通过外延生长设置一层第二上波导层。本发明采用匹配性材料Al(1‑x)HfxN直接外延生长,通过Al(1‑x)HfxN具有金属反射作用,形成二次谐振腔,有效提高半导体激光器的锁模及光效，同时提高激光的响应时间。
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公开(公告)号：CN108346722A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201710039107.0
申请日：2017-01-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种蓝绿发光二极管，包括有源区，该有源区由从下至上依次生成的低温前阱层、量子阱、盖帽层和量子垒多个循环组成，该盖帽层由生长温度阶梯式升温的第一盖帽层、第二盖帽层和第三盖帽层组成。本发明还公开一种蓝绿发光二极管的外延方法。本发明可以提高有源区的晶体质量，从而有效提高内量子效率。
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公开(公告)号：CN105355728B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201510774057.1
申请日：2015-11-13
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 一种发光表面有周期性图案的高光效倒装LED的制作方法，涉及LED生产技术领域，本发明通过在硅衬底上蒸镀AlN，然后刻蚀出图形，再在图形上生长氮化物材料，最终做成倒装的LED器件且剥离掉硅衬底，使背发射LED芯片达到了提高出光效率的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106025026B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201610557325.9
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/12 , H01L33/00 , H01L21/203
CPC classification number: H01L33/12 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , H01L33/00
Abstract: 本发明公开一种用于发光二极管的AlN缓冲层，该AlN缓冲层生长于衬底上，由AlN材料层和AlN材料掺氧层构成，在衬底上生长底层AlN材料掺氧层，在底层AlN材料掺氧层上依次交替循环生长AlN材料层和AlN材料掺氧层，顶层为AlN材料掺氧层；顶层AlN材料掺氧层上生长外延层。本发明还公开一种用于发光二极管的AlN缓冲层制作方法。本发明形成高致密性的AlN缓冲层，有效释放缓冲层与衬底的应力，使得缓冲层的应力释放得更好，有利于改善生长于缓冲层上的氮化镓材料的晶体质量。
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公开(公告)号：CN105977352B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201610425301.8
申请日：2016-06-16
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有生长过程可调节翘曲的发光二极管外延生长方法，包括以下步骤：在衬底上表面生长缓冲层；在缓冲层上生长非故意掺杂层；非故意掺杂层上生长复合调节层的各层结构；在复合调节层上生长第一型导电层；在第一型导电层上生长有源层；有源层上依次生长电子阻挡层、第二型导电层和欧姆接触层。本发明解决衬底在外延生长过程由于生长不同功能的外延层时温度变化及内应力问题导致的外延片弯曲，以及由于外延片弯曲变大而引起的外延表面异常及电性能异常问题。
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公开(公告)号：CN105552191B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201610071720.6
申请日：2016-02-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Inventor： 陈亮 , 李俊贤 , 吴奇隆 , 魏振东 , 刘英策 , 李小平 , 邬新根 , 黄新茂 , 蔡立鹤 , 吕奇孟 , 陈凯轩 , 张永 , 林志伟 , 姜伟 , 卓祥景 , 方天足
IPC: H01L33/40
Abstract: 能增进横向电流扩散并拥有双反射表面的LED芯片电极结构，涉及LED芯片的生产技术领域。本发明包括在GaN层的表层向上依次包覆式设置由Cr层、第一Al层、至少一对TiN/Pt层、Au层、第二Al层和TiN外层组成的梯形结构电极扩展条。本发明的电极结构可以增加电流的横向扩散，并且达到光的多面反射的效果。
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公开(公告)号：CN105895755B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201610396426.2
申请日：2016-06-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有可剥离结构的GaN系发光二极管制作方法，在衬底上蒸镀AlN第一缓冲层；在AlN第一缓冲层上交替沉积SiO2腐蚀层与AlN第二缓冲层，构成腐蚀通道层；在腐蚀通道层上蒸镀 SiO2图形层，采用光刻、掩埋、ICP蚀刻，在 SiO2图形层上形成PSS图形；在凸起PSS图形之间露出的腐蚀通道层，采用光刻、掩埋、ICP蚀刻，使得腐蚀通道层设置成凸起的图形。本发明实现高效低成本剥离，缩短工艺时间，降低制造成本，提高二极管质量。
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公开(公告)号：CN105206719B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201510627355.8
申请日：2015-09-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种氮化物系发光二极管的外延生长方法，包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上依次形成非掺层u‑GaN、n型导电层n‑GaN、有源区和限制层P‑AlGaN；在所述限制层P‑AlGaN上形成V型坑蚀刻层；在所述V型坑蚀刻层上形成V型坑成核层；在所述V型坑成核层上形成V型坑三维快速层；在所述V型坑三维快速层上形成V型坑二维快速层；在所述V型坑二维快速层上依次形成P型导电层、P型接触层和ITO导电层。本发明增加P型区域空穴注入有源区的数量，提高内量子效率；减少V型坑形成漏电通道，提高发光二极管的可靠性，能够提高蓝绿光芯片的内量子效率。
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