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公开(公告)号：CN1702965A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510073880.6
申请日：2005-05-26
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 浅野哲郎
IPC: H03K17/00
CPC classification number: H01L29/7785 , H01L29/812 , H01L2924/0002 , H03K17/693 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置，在反向控制逻辑开关电路装置中，将控制端子和动作区域的连接装置即电阻配置在共同输入端子焊盘和FET之间。在各焊盘周边设有用于提高绝缘的杂质区域，在其和电阻等其它杂质区域近接的区域产生高频信号泄漏，插入损失增大这样的问题。在施加规定的电位且相邻的杂质区域间的衬底表面上配置漂移电位的浮动杂质区域。由此，可遮断耗尽层向相邻的杂质区域间的衬底的延伸，故可抑制高频信号的泄漏。特别是当在开关电路装置的共同输入端子焊盘的周边杂质区域和电阻之间配置浮动杂质区域时，可抑制从输入端子向高频信号GND的控制端子泄漏高频信号，抑制插入损失的增加。
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公开(公告)号：CN1218402C
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN01125560.9
申请日：2001-08-13
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/02 , H04B1/04 , H04B1/44 , H03K17/693
CPC classification number: H01L24/05 , H01L2224/04042 , H01L2224/48463 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/05042 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/19043
Abstract: 一种化合物半导体开关电路装置，原来为了尽可能减小插入损失，采用了将栅极宽度Wg取得大一些、降低FET的导通电阻的方法。此外，还将焊盘和相邻布线层之间的距离取为20μm以上。对2.4GHz以上的高频，设计时着眼于确保隔离度而省去分路FET，使用逆向思维方法，从两方面去考虑过去采用的降低FET的导通电阻的效果。即，在化合物半导体开关电路装置中，将开关用的FET的栅极宽度设定在700μm以下来减小其尺寸，同时，在焊盘周边部设置高浓度区40，用小的空间来确保高频信号的藕合和耐压。结果，可以大幅度缩小芯片的尺寸。
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公开(公告)号：CN1194470C
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN02106544.6
申请日：2002-02-27
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H03K17/00
CPC classification number: H01L27/0605 , H01L23/4824 , H01L2924/0002 , H03K17/693 , H03K2217/0036 , H01L2924/00
Abstract: 在化合物半导体开关电路装置中，为进行开关动作，对每一个FET都设置了控制端点。因此，存在印刷基板的安装面积大的问题。本发明的课题具有如下特征：具备第1和第2 FET、与上述两FET的源电极或漏电极连接的公用输入端点、与上述两FET的漏电极或源电极连接的第1和第2输出端点、向上述第1 FET的上述第1输出端点供给规定的偏压的偏压装置、连接控制端点和上述第2输出端点的连接装置、使上述第2 FET的栅电极接地的接地装置、以及在上述公用输入端点和上述第2 FET的源电极或漏电极间隔直流的隔离装置，向与上述第1FET的栅电极连接的控制端点施加控制信号。
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公开(公告)号：CN1193427C
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN02122742.X
申请日：2002-06-10
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L29/772 , H03K17/687 , H04B1/40
CPC classification number: H01L27/0605 , H03K17/04106
Abstract: 一种化合物半导体开关电路装置，以往在FET2的栅极与控制端子1连接、栅极1的栅极与控制端子2连接的密勒形状的逻辑中，必须象系袖带子般连接电阻，由于在芯片外周配置，所以，具有芯片尺寸大的问题。将两只平行电阻配置在共同输入端子和FET之间。而且以n+型杂质扩散区域形成电阻，将FET的一部分配置在控制端子和输出端子之间，可以和普通图形同一芯片尺寸实现密勒开关电路。
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公开(公告)号：CN1452317A
公开(公告)日：2003-10-29
申请号：CN03108622.5
申请日：2003-04-02
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H03K17/00
CPC classification number: H01L24/05 , H01L23/4824 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L27/0605 , H01L2224/04042 , H01L2224/05552 , H01L2224/05554 , H01L2224/05556 , H01L2224/05599 , H01L2224/05644 , H01L2224/05666 , H01L2224/05669 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/85201 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01031 , H01L2924/01037 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01088 , H01L2924/10161 , H01L2924/10329 , H01L2924/12032 , H01L2924/1306 , H01L2924/13063 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/3025 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 提供一种半导体开关电路器件。在化合物半导体开关电路器件中，高频信号通过模塑树脂而泄漏，导致隔离性恶化。在本发明中，在FET的保护膜上设置聚酰亚胺层，然后设置屏蔽金属。屏蔽金属与控制端子接触，施加控制信号。由此，屏蔽金属为DC电位，对高频来说为GND电位，所以能够抑制FET的IN－OUT间的高频信号的泄漏。通过将屏蔽金属设置为网格状或者只在栅极上设置屏蔽金属，还能够减少有用的输入信号被屏蔽金属吸收。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1441485A
公开(公告)日：2003-09-10
申请号：CN03104446.8
申请日：2003-02-14
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L23/49503 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01031 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/07802 , H01L2924/10329 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/1532 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
Abstract: 在底座上具有导线键合的电极焊盘的半导体芯片的情况下，由于不能控制Ag膏的扩散，难以确保固定区域，因而存在不能稳定生产的问题。另外，还如果实现了稳定生产，则封装外形就被不必要地变大的问题。本发明在底座上设置突起部，将芯片配置在与从突起部离开的方向错开的位置上，从而确保键合导线的固定区域。在底座上连接的电极焊盘比同一芯片边的其他电极焊盘配置得更靠近芯片中央，从这里开始到突起部或其附近使导线横切芯片地延伸、固定。由此实现封装的小型化和稳定生产。
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公开(公告)号：CN1407633A
公开(公告)日：2003-04-02
申请号：CN02141457.2
申请日：2002-08-30
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L21/328
Abstract: 一种肖特基势垒二极管及其制造方法。目前，由于有台面型晶体管蚀刻及厚的聚酰亚胺层等，故不能推进芯片的小型化，并且，电极间存在距离，不能提高特性。另外，其制造方法中肖特基结部分的蚀刻控制很困难。本发明通过在基板表面设置n型及n+型离子注入区域形成动作区域，不再需要设置台面及聚酰亚胺层，可实现化合物半导体的平面型肖特基势垒二极管。可降低晶片的成本，由于可使电极间距离接近，故可实现芯片的缩小，也可提高高频特性。由于形成肖特基结区域时不蚀刻GaAs，故可制造再现性好的肖特基势垒二极管。
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公开(公告)号：CN1400671A
公开(公告)日：2003-03-05
申请号：CN02127231.X
申请日：2002-07-29
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L21/328
Abstract: 一种肖特基势垒二极管及其制造方法。目前由于有台面蚀刻或厚聚酰亚胺层等，所以芯片小型化无进展且电极间有距离不能提高特性。而且制造方法上肖特基结部分的蚀刻控制有困难。本发明能实现化合物半导体的平面型肖特基势垒二极管。通过在基板表面设InGaP层、设n+型离子注入区域，不再需要设台面及聚酰亚胺层。由于能把电极间距离接近，所以实现了芯片缩小，高频特性也提高了。而且形成肖特基电极时不蚀刻GaAs，所以能制造再现性良好的肖特基势垒二极管。
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公开(公告)号：CN1396633A
公开(公告)日：2003-02-12
申请号：CN02140904.8
申请日：2002-07-09
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L21/302 , H01L21/78
CPC classification number: H01L29/045 , H01L21/3043
Abstract: 当以[01方向－1方向]的方向形成晶片的取向面，在与该取向面垂直、水平方向上进行切割时，会产生切割表面缺陷，所以存在半导体元件收率低下，切割速度慢，导致不能提高生产效率等问题。在以[01方向－0]、[001方向]、[001]、[010]的任何一个方向上形成取向面的晶片上形成图案。相对于[01方向－1方向]的方向，以45度交叉排列各芯片，进行切割。由于大幅度降低表面缺陷，所以能使芯片尺寸缩小，实现了晶片收率的提高和生产效率的提高。
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公开(公告)号：CN1348202A
公开(公告)日：2002-05-08
申请号：CN01125562.5
申请日：2001-08-13
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L24/05 , H01L24/03 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05009 , H01L2224/48 , H01L2224/48463 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01031 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/05042 , H01L2924/10329 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2224/05556 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种化合物半导体装置的制造方法,原来采用了将第1焊盘电极和第2焊盘电极积层在氮化硅膜上的焊盘结构,但因衬底和氮化硅膜较硬,故存在焊接时衬底容易裂开的缺点。本发明的化合物半导体的制造方法,在预定的栅极69上留下抗蚀剂层58,在把氧化膜附着在源极区56和漏极区57的表面及预定的焊盘区59的周边部上的工序中,将焊盘氧化膜62敷设在第1焊盘电极70和第2焊盘电极77的周边部的下面,由此,不用增加工序数即可实现能抑制周边部的耗尽层的扩展的焊盘结构。
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