一种化合物半导体装置的制造方法,原来采用了将第1焊盘电极和第2焊盘电极积层在氮化硅膜上的焊盘结构,但因衬底和氮化硅膜较硬,故存在焊接时衬底容易裂开的缺点。本发明的化合物半导体的制造方法,在预定的栅极69上留下抗蚀剂层58,在把氧化膜附着在源极区56和漏极区57的表面及预定的焊盘区59的周边部上的工序中,将焊盘氧化膜62敷设在第1焊盘电极70和第2焊盘电极77的周边部的下面,由此,不用增加工序数即可实现能抑制周边部的耗尽层的扩展的焊盘结构。