公开(公告)号：CN100477280C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200510106921.7

申请日：2005-09-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴珉彻 ,  许星会 ,  崔正达 ,  李知晅

IPC: H01L29/788 ,  H01L27/105 ,  H01L27/112 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8246

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L27/115 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/7883

Abstract: 非易失性存储器件包括半导体衬底、器件隔离层、隧道绝缘层、浮置栅极、埋入浮置栅极以及控制栅极。沟槽位于衬底上，用于限定与沟槽相邻的衬底的激活区。器件隔离层沿沟槽位于衬底上。隧道绝缘层位于衬底的激活区上。浮置栅极位于对着衬底的激活区的隧道绝缘层上。埋入浮置栅极位于沟槽内的器件隔离层上。栅极间介质层位于浮置栅极和埋入浮置栅极上，而且在它们之上延伸。控制栅极位于栅极间介质层上，而且在浮置栅极和埋入浮置栅极上延伸。

公开(公告)号：CN101256837A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810074198.2

申请日：2008-02-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛光洙 ,  朴祥珍 ,  李晟熏 ,  朴星一 ,  金钟燮 ,  崔正达 ,  崔奇焕 ,  沈载星 ,  文承炫

IPC: G11C16/14 ,  H01L27/115

Abstract: 提供一种操作非易失性存储器装置执行擦除操作的方法。所述方法包括：将包括直流(DC)脉冲和DC微扰脉冲的组合脉冲施加于非易失性存储器装置，以执行擦除操作。

公开(公告)号：CN1909111A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200610008628.1

申请日：2006-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴起台 ,  崔正达

IPC: G11C16/00 ,  G11C16/06 ,  G11C16/10

CPC classification number: G11C11/5671

Abstract: 此处，公开了一种电荷捕获型三电平非易失性半导体存储器器件及其驱动方法。该电荷捕获型三电平非易失性半导体存储器器件包括：存储器阵列，所述存储器阵列包括多个存储器元件，每一存储器元件能够依据电流的方向把数据存储在至少两个电荷捕获区中；以及页缓冲器，驱动其而把3个数据位映射至两个电荷捕获区的阈值电压组。该电荷捕获型非易失性存储器器件具有电荷捕获区，每个电荷捕获区存储1.5个数据位。即，单个的存储器元件具有用于存储3个数据位的电荷捕获区，从而改善了器件的集成度，同时维持了在编程和读取操作期间的较高的操作速度。

公开(公告)号：CN1149579C

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN97102929.6

申请日：1994-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔正达 ,  徐康德

IPC: G11C11/34 ,  H01L27/10

CPC classification number: G11C7/18 ,  G11C7/12 ,  G11C17/123

Abstract: 一种半导体存储器，包括一由双极晶体管构成的电流驱动晶体管，其连接到相应的位线以增加位线电流。该电流驱动晶体管的收集极由一个接地的阱构成，基极由二个相邻选行晶体管的公共漏区构成。其发射极是一与第一层间隔离层及第二层间隔离层分开排列的多晶硅层，它通过接触孔同时被接到基区和位线。该发射极是形成在作为二个相邻选行晶体管公共漏区的基区中的一个掺杂区。这种存储器件具有提高运行速度和提高集成度的能力。

公开(公告)号：CN1036231C

公开(公告)日：1997-10-22

申请号：CN94102636.1

申请日：1994-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔正达 ,  徐康德

IPC: H01L27/102 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11 ,  H01L27/10 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C7/18 ,  G11C7/12 ,  G11C17/123

Abstract: 一种半导体存储器，包括一由双极晶体管构成的电流驱动晶体管，其连接到相应的位线以增加位线电流。该电流驱动晶体管的收集极由一个接地的阱构成，基极由二个相邻选行晶体管的公共漏区构成。其发射极是一与第一层间隔离层及第二层间隔离层分开排列的多晶硅层，它通过接触孔同时被接到基区和位线。该发射极是形成在作为二个相邻选行晶体管公共漏区的基区中的一个掺杂区。这种存储器件具有提高运行速度和提高集成度的能力。

公开(公告)号：CN1070279A

公开(公告)日：1993-03-24

申请号：CN92109280.6

申请日：1992-08-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵星熙 ,  李炯坤 ,  崔正达

IPC: G11C17/08

CPC classification number: G11C17/123 ,  H01L27/112

Abstract: 一种在半导体存储器中的掩膜只读存储器有：一给定导电类型的扩散区在第一方向上延伸并以隔离区与另一扩散区隔开；一字线在和第一方向垂直的第二方向上延伸，且和另一字线平行；一位线沿第一方向在一区域里延伸，该区域在字线布线上方形成并对应于扩散区之间的隔离区，该位线通过给定的接触区和字线接触。因位线和扩散区隔开一给定间隔，故周转时间(TAT)可以大大降低。