公开(公告)号：CN100477280C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200510106921.7

申请日：2005-09-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴珉彻 ,  许星会 ,  崔正达 ,  李知晅

IPC: H01L29/788 ,  H01L27/105 ,  H01L27/112 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8246

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L27/115 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/7883

Abstract: 非易失性存储器件包括半导体衬底、器件隔离层、隧道绝缘层、浮置栅极、埋入浮置栅极以及控制栅极。沟槽位于衬底上，用于限定与沟槽相邻的衬底的激活区。器件隔离层沿沟槽位于衬底上。隧道绝缘层位于衬底的激活区上。浮置栅极位于对着衬底的激活区的隧道绝缘层上。埋入浮置栅极位于沟槽内的器件隔离层上。栅极间介质层位于浮置栅极和埋入浮置栅极上，而且在它们之上延伸。控制栅极位于栅极间介质层上，而且在浮置栅极和埋入浮置栅极上延伸。

公开(公告)号：CN1753189A

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN200510106921.7

申请日：2005-09-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴珉彻 ,  许星会 ,  崔正达 ,  李知晅

IPC: H01L29/788 ,  H01L27/105 ,  H01L27/112 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8246

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L27/115 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/7883

Abstract: 非易失性存储器件包括半导体衬底、器件隔离层、隧道绝缘层、浮置栅极、埋入浮置栅极以及控制栅极。沟槽位于衬底上，用于限定与沟槽相邻的衬底的激活区。器件隔离层沿沟槽位于衬底上。隧道绝缘层位于衬底的激活区上。浮置栅极位于对着衬底的激活区的隧道绝缘层上。埋入浮置栅极位于沟槽内的器件隔离层上。栅极间介质层位于浮置栅极和埋入浮置栅极上，而且在它们之上延伸。控制栅极位于栅极间介质层上，而且在浮置栅极和埋入浮置栅极上延伸。