公开(公告)号：CN113257828A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110100315.3

申请日：2021-01-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昇原 ,  金泰勋 ,  朴珉彻 ,  申慧丽 ,  林濬熙 ,  赵始衍

IPC: H01L27/11568 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582

Abstract: 提供了一种非易失性存储器器件及其制造方法。一种非易失性存储器器件，包括：衬底；第一半导体层，在衬底上；蚀刻停止膜，包括第一半导体层上的金属氧化物；模制结构，其中通过在蚀刻停止膜上交替堆叠第二半导体层和绝缘层来构成所述模制结构；沟道孔，其穿透模制结构、蚀刻停止膜、第一半导体层和衬底中的至少一个；以及沟道结构，沿沟道孔的侧壁延伸，并包括沿沟道孔的侧壁顺序地形成的抗氧化膜、第一阻挡绝缘膜、第二阻挡绝缘膜、电荷存储膜、隧穿绝缘膜和沟道半导体，其中所述第一半导体层接触所述第一阻挡绝缘膜、第二阻挡绝缘膜、电荷存储膜和隧穿绝缘膜。

公开(公告)号：CN1753189A

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN200510106921.7

申请日：2005-09-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴珉彻 ,  许星会 ,  崔正达 ,  李知晅

IPC: H01L29/788 ,  H01L27/105 ,  H01L27/112 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8246

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L27/115 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/7883

Abstract: 非易失性存储器件包括半导体衬底、器件隔离层、隧道绝缘层、浮置栅极、埋入浮置栅极以及控制栅极。沟槽位于衬底上，用于限定与沟槽相邻的衬底的激活区。器件隔离层沿沟槽位于衬底上。隧道绝缘层位于衬底的激活区上。浮置栅极位于对着衬底的激活区的隧道绝缘层上。埋入浮置栅极位于沟槽内的器件隔离层上。栅极间介质层位于浮置栅极和埋入浮置栅极上，而且在它们之上延伸。控制栅极位于栅极间介质层上，而且在浮置栅极和埋入浮置栅极上延伸。

公开(公告)号：CN100477280C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200510106921.7

申请日：2005-09-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴珉彻 ,  许星会 ,  崔正达 ,  李知晅

IPC: H01L29/788 ,  H01L27/105 ,  H01L27/112 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8246

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L27/115 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/7883

Abstract: 非易失性存储器件包括半导体衬底、器件隔离层、隧道绝缘层、浮置栅极、埋入浮置栅极以及控制栅极。沟槽位于衬底上，用于限定与沟槽相邻的衬底的激活区。器件隔离层沿沟槽位于衬底上。隧道绝缘层位于衬底的激活区上。浮置栅极位于对着衬底的激活区的隧道绝缘层上。埋入浮置栅极位于沟槽内的器件隔离层上。栅极间介质层位于浮置栅极和埋入浮置栅极上，而且在它们之上延伸。控制栅极位于栅极间介质层上，而且在浮置栅极和埋入浮置栅极上延伸。