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公开(公告)号：CN101447230B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN200810188771.2
申请日：2008-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C16/3404 , G11C16/0416 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C2216/14 , H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/11578
Abstract: 示例性实施例关注于用于对具有电荷存储层的非易失性存储器设备进行编程的方法、存储器设备和系统，包括执行至少一个单元编程循环，每个单元编程循环包括：对至少两个页施加编程脉冲，对所述至少两个页施加时间延迟，以及对所述至少两个页施加检验脉冲。
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公开(公告)号：CN101859601A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010158548.0
申请日：2010-04-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C11/5628
Abstract: 本发明提供一种对非易失性存储器器件编程的方法。该方法将存储器单元从一个或一个以上第一逻辑状态编程为两个或两个以上第二逻辑状态。在所述方法中，向选定字线提供编程电压的数目，并且与第二逻辑状态相对应的验证电压被提供到所述选定字线。提供到所述选定字线的编程电压的数目根据第一逻辑状态中的每个与第二逻辑状态中的每个之间的阈值电压差而变化。
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公开(公告)号：CN104733041A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410666066.4
申请日：2014-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/16 , G11C11/16 , G11C16/0483
Abstract: 本发明公开了非易失性存储装置和擦除非易失性存储装置的方法。提供了一种擦除非易失性存储装置的方法，非易失性存储装置包括沿垂直于基底的方向形成的多个存储块，每个存储块具有连接到位线的多个串。所述方法包括下述步骤：利用电源电压选择将被擦除的存储块；利用负电压取消选择除了选择的存储块以外的剩余的存储块；设置偏置条件以减小取消选择的存储块的泄漏电流；以及对选择的存储块执行擦除操作。
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公开(公告)号：CN101859601B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201010158548.0
申请日：2010-04-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C11/5628
Abstract: 本发明提供一种对非易失性存储器器件编程的方法。该方法将存储器单元从一个或一个以上第一逻辑状态编程为两个或两个以上第二逻辑状态。在所述方法中，向选定字线提供编程电压的数目，并且与第二逻辑状态相对应的验证电压被提供到所述选定字线。提供到所述选定字线的编程电压的数目根据第一逻辑状态中的每个与第二逻辑状态中的每个之间的阈值电压差而变化。
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公开(公告)号：CN101414483B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN200810179960.3
申请日：2008-08-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/16 , G11C16/10 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/11524
Abstract: 对具有电荷存储层的非易失性存储设备进行编程或擦除的方法，包括执行至少一个单元编程或擦除循环，每一个单元编程或擦除循环包括向非易失性存储设备的一部分(例如，字线或衬底)施加作为正或负电压的至少一个编程脉冲、至少一个擦除脉冲、至少一个时间延迟、至少一个软擦除脉冲、至少一个软编程脉冲和/或至少一个验证脉冲。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102810332A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210182593.9
申请日：2012-06-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 非易失性存储器装置包括在操作期间选择字线的访问电路，访问电路在操作期间选择字线、将被选字线电压施加到被选字线、将未被选字线电压施加到字线中的未被选择的字线并将虚设字线电压施加到虚设字线。当被选字线不与虚设字线相邻时，虚设字线电压是第一虚设字线电压，当被选字线与虚设字线相邻时，虚设字线电压是与第一虚设字线电压不同的第二虚设字线电压。
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公开(公告)号：CN101404182B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN200810176914.8
申请日：2008-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C16/3404
Abstract: 具有电荷存储层的非易失性存储器件的编程或擦除方法，包括执行至少一个单元编程或擦除循环，每个单元编程或擦除循环包括将作为正电压或负电压的编程脉冲、擦除脉冲、时间延迟、软擦除脉冲、软编程脉冲和/或校验脉冲施加于非易失性存储器件的一部分(例如，字线或基底)。
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公开(公告)号：CN103106924A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201210375708.6
申请日：2012-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/26 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C2211/563
Abstract: 一种非易失性存储器件的软判决读取方法包含：接收软判决读取命令；向被选字线施加读取电压；对分别连接到该被选字线的被选存储单元的位线进行预充电；以及连续地感测该被选存储单元的状态。位线的预充电电压和供应到被选字线的读取电压在感测被选存储单元的状态期间不改变。
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公开(公告)号：CN102479551A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201110380017.0
申请日：2011-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
CPC classification number: G11C16/26 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/3418
Abstract: 在一个实施例中，所述方法包括：接收读取在与第一字线相关联的第一存储单元中所存储的数据的请求；以及响应于该请求对与第二字线相关联的至少一个存储单元执行读取操作。所述第二字线按照字线编程顺序跟在第一字线之后，并且在第一时间段上执行第一读取操作。所述方法进一步包括基于来自第一读取操作的输出对第一存储单元执行第二读取操作。第二读取操作被执行一第二时间段，并且如果从执行第一读取操作的输出指示第一存储单元没有被耦合，则第一时间段短于第二时间段。
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公开(公告)号：CN101414483A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810179960.3
申请日：2008-08-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/16 , G11C16/10 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/11524
Abstract: 对具有电荷存储层的非易失性存储设备进行编程或擦除的方法，包括执行至少一个单元编程或擦除循环，每一个单元编程或擦除循环包括向非易失性存储设备的一部分(例如，字线或衬底)施加作为正或负电压的至少一个编程脉冲、至少一个擦除脉冲、至少一个时间延迟、至少一个软擦除脉冲、至少一个软编程脉冲和/或至少一个验证脉冲。
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