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公开(公告)号：CN112435701A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202010788417.4
申请日：2020-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10 , G11C16/24 , G06F12/0882
Abstract: 提供了一种非易失性存储器装置、存储装置和非易失性存储器装置的操作方法。所述非易失性存储器装置的各个存储器块包括柱的第一部分的第一存储器单元和柱的第二部分的第二存储器单元。当在从存储器块选择的存储器块处基于连续地址执行编程操作时，非易失性存储器装置顺序地完成第一存储器单元和第二存储器单元当中不与第一部分和第二部分的边界相邻的非相邻存储器单元的第一编程操作，然后完成与边界相邻的相邻存储器单元的第二编程操作。
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公开(公告)号：CN109712664B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN201811152590.4
申请日：2018-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种包括用于检测字线缺陷的电路的存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：存储单元阵列，其包括设置在衬底上的第一存储单元和位于第一存储单元上方的第二存储单元；连接到第一存储单元的第一字线和连接到第二存储单元的第二字线，第二字线设置在第一字线上方；以及字线缺陷检测电路，其被配置为在将第一电压施加到第一字线时监测泵激时钟信号的脉冲的数目以检测第一字线的缺陷。电压发生器被配置为当泵激时钟信号的脉冲的数目小于基准值时，将与第一电压不同的第二电压施加到第二字线以对第二存储单元进行编程。
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公开(公告)号：CN104733041B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201410666066.4
申请日：2014-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了非易失性存储装置和擦除非易失性存储装置的方法。提供了一种擦除非易失性存储装置的方法，非易失性存储装置包括沿垂直于基底的方向形成的多个存储块，每个存储块具有连接到位线的多个串。所述方法包括下述步骤：利用电源电压选择将被擦除的存储块；利用负电压取消选择除了选择的存储块以外的剩余的存储块；设置偏置条件以减小取消选择的存储块的泄漏电流；以及对选择的存储块执行擦除操作。
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公开(公告)号：CN110390971A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910250910.8
申请日：2019-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器装置以及对非易失性存储器装置进行编程的方法。在对非易失性存储器装置进行编程的方法中，通过接地选择晶体管由源线的预充电电压对多个单元串的通道预充电。在第N个编程循环的验证读取时间段期间，将导通电压施加到多个单元串中的选择的单元串的选择的接地选择晶体管。在第N个编程循环的验证读取时间段完成之后，维持施加到选择的接地选择晶体管的导通电压而不恢复所述导通电压，以针对第(N+1)个编程循环对通道预充电。通过在验证读取操作完成之后，维持所述选择的接地选择线的导通电压而不恢复所述导通电压，以对单元串的通道预充电，降低了功耗并提高了操作速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109712664A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811152590.4
申请日：2018-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种包括用于检测字线缺陷的电路的存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：存储单元阵列，其包括设置在衬底上的第一存储单元和位于第一存储单元上方的第二存储单元；连接到第一存储单元的第一字线和连接到第二存储单元的第二字线，第二字线设置在第一字线上方；以及字线缺陷检测电路，其被配置为在将第一电压施加到第一字线时监测泵激时钟信号的脉冲的数目以检测第一字线的缺陷。电压发生器被配置为当泵激时钟信号的脉冲的数目小于基准值时，将与第一电压不同的第二电压施加到第二字线以对第二存储单元进行编程。
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公开(公告)号：CN104733041A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410666066.4
申请日：2014-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/16 , G11C11/16 , G11C16/0483
Abstract: 本发明公开了非易失性存储装置和擦除非易失性存储装置的方法。提供了一种擦除非易失性存储装置的方法，非易失性存储装置包括沿垂直于基底的方向形成的多个存储块，每个存储块具有连接到位线的多个串。所述方法包括下述步骤：利用电源电压选择将被擦除的存储块；利用负电压取消选择除了选择的存储块以外的剩余的存储块；设置偏置条件以减小取消选择的存储块的泄漏电流；以及对选择的存储块执行擦除操作。
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公开(公告)号：CN110390971B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN201910250910.8
申请日：2019-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器装置以及对非易失性存储器装置进行编程的方法。在对非易失性存储器装置进行编程的方法中，通过接地选择晶体管由源线的预充电电压对多个单元串的通道预充电。在第N个编程循环的验证读取时间段期间，将导通电压施加到多个单元串中的选择的单元串的选择的接地选择晶体管。在第N个编程循环的验证读取时间段完成之后，维持施加到选择的接地选择晶体管的导通电压而不恢复所述导通电压，以针对第(N+1)个编程循环对通道预充电。通过在验证读取操作完成之后，维持所述选择的接地选择线的导通电压而不恢复所述导通电压，以对单元串的通道预充电，降低了功耗并提高了操作速度。
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公开(公告)号：CN107305791A
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201710096000.X
申请日：2017-02-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F11/1402 , G06F2201/805 , G06F2201/82 , G11C11/5642 , G11C16/26 , G11C16/3418 , G11C16/349 , G11C16/3495 , G11C29/4401 , G11C16/3454
Abstract: 提供了存储装置和存储系统。所述存储装置包括：存储单元阵列，包括多个存储单元；计数电路，配置为通过对从所述多个存储单元读取的数据执行计数操作获得计数结果；以及控制逻辑，配置为在不涉及存储控制器的情况下基于计数结果执行数据恢复操作。
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