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公开(公告)号：CN118085870A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410067272.7
申请日：2024-01-16
申请人： 长沙惠科光电有限公司 , 惠科股份有限公司
IPC分类号： C09K13/00 , H01L21/3213 , H01L21/306 , H01L21/308 , C09K13/08
摘要： 本申请涉及半导体金属配线技术领域，具体涉及一种蚀刻液、刻蚀方法及阵列基板的制备方法，提供一种蚀刻液，包括质量份数为8‑15份的氧化剂、质量份数为0.0005‑0.006份的氟化物、质量份数为3‑6份的螯合剂、质量份数为2‑5份的有机碱、质量份数小于等于2份的唑类化合物和质量份数小于等于3份的抗电位刻蚀剂、以及质量份数为60‑85份的溶剂。用上述蚀刻液一次湿法蚀刻一次干法蚀刻阵列基板中的金属层和半导体层，成功改善了非晶硅层刻蚀拖尾问题，并且将两次湿法蚀刻两次干法蚀刻缩减成一次湿法蚀刻一次干法蚀刻，增加了阵列基板的生产良率和生产效率，减少了蚀刻液的用量，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN118085731A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410509104.9
申请日：2024-04-26
IPC分类号： C09G1/02 , H01L21/306
摘要： 本发明提供了一种碳化硅晶圆抛光用的抛光液及其制备方法与抛光方法，所述抛光液包括如下组分：氧化剂、分散剂、第一磨料、第二磨料、pH调节剂和溶剂；所述第一磨料为青蒿素晶体；所述第二磨料包括二氧化铈、二氧化钛或二氧化硅中的任意一种或至少两种的组合。采用第一磨料与第二磨料相结合的方式兼顾了抛光液对SiC晶圆的抛光效率和抛光效果。采用紫外光催化辅助的化学机械抛光，简化了传统抛光工艺粗抛+精抛的抛光模式，缩短了抛光工艺步骤，提高了抛光效率。
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公开(公告)号：CN118080492A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202211502352.8
申请日：2022-11-28
申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC分类号： B08B9/08 , H01L21/67 , H01L21/306
摘要： 本发明公开一种刻蚀方法，所公开的刻蚀方法包括向半导体工艺设备的工艺内腔中通入氢气和卤素气体，以使所述氢气和所述卤素气体反应生成卤元素自由基；通过所述卤元素自由基对所述工艺内腔中的待刻蚀硅薄膜进行刻蚀，并生成目标气体排出。上述方案可以解决相关技术中为了实现自动清洗腔室壁沉积的薄膜，需要设置辉光放电的相关器件而导致的半导体工艺设备的结构相对复杂的问题。
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公开(公告)号：CN112236848B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201980037284.2
申请日：2019-06-04
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 香川兴司
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/304 , H01L21/308
摘要： 本发明的一方式的基片处理方法包括升温步骤和液供给步骤。升温步骤使由浓硫酸构成的处理液(L)升温。液供给步骤将升温了的处理液(L)供给到载置于基片处理部(30)的基片。
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公开(公告)号：CN118073191A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410224397.6
申请日：2024-02-28
申请人： 上海华力集成电路制造有限公司
IPC分类号： H01L21/308 , H01L21/306 , H10B43/35
摘要： 本发明提供一种SONOS存储器多晶硅栅的刻蚀工艺集成方法，提供衬底，衬底上至少包括一SONOS存储区，一选择管区和一外围逻辑区，SONOS存储区，选择管区和外围逻辑区上形成有第一栅介质层，SONOS存储区上的第一栅介质层上形成有第一栅极多晶硅层；在衬底上形成覆盖SONOS存储区，选择管区和外围逻辑区的第二栅介质层；利用淀积、研磨形成位于第二栅介质层上的第二栅极多晶硅层，在第二多晶层上依次形成第一、二硬掩膜层；利用光刻、刻蚀图形化第一、二硬掩膜层及其下方的第二栅极多晶硅层，以形成位于SONOS存储区，选择管区和外围逻辑区上的栅极结构；对衬底进行第一次多晶硅再氧化修复。本发明在不影响多晶硅栅刻蚀的情况下避免了高能量轻掺杂漏离子注入的影响。
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公开(公告)号：CN110610875B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN201910509553.2
申请日：2019-06-13
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/306
摘要： 本发明提供一种能够削减处理液的废弃量的技术。本发明的基片处理装置包括处理槽、存积部、去除部、混合部和返回路径。处理槽使基片浸渍于包含药液和硅的处理液中进行该基片的蚀刻处理。存积部将从处理槽排出的处理液回收并存积。去除部回收从处理槽排出的处理液的一部分，从回收的处理液中去除硅。混合部将存积部中存积的处理液和由去除部去除了硅后的处理液混合。返回路径将由混合部混合后的处理液返回处理槽。
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公开(公告)号：CN118039740A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410427784.X
申请日：2024-04-10
申请人： 晶科能源(海宁)有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/268 , H01L21/306 , H01L31/0224 , H10K71/00 , H10K30/81 , H10K30/40 , H10K30/50
摘要： 本申请涉及一种太阳能电池的制备工艺及太阳能电池，太阳能电池的制备工艺包括：对电池片施加偏置电压；激光发射装置向电池片投射激光，在电池片表面形成光斑，光斑包括镂空区域，电池片中的细栅与所述镂空区域交叠；激光发射装置沿细栅延伸的方向运动，使激光扫掠电池片，并跳过电池片中设置有主栅的位置。细栅与光斑中的镂空区域交叠，能够降低激光的能量聚集于电池片的细栅，对细栅造成损伤的可能，能够提高电池片的效率，还能够提高激光的能量利用率。在激光扫掠电池片的过程中，激光跳过电池片中设置有主栅的位置，能够降低激光对主栅造成损伤的可能，能够提高电池片的良品率，以提高电池片的生产效率，同时还能够提供电池片的性能。
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公开(公告)号：CN118039474A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211383697.6
申请日：2022-11-07
申请人： 芯恩(青岛)集成电路有限公司
发明人： 聂上程
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/306 , H01L21/033 , H01L21/66
摘要： 本申请涉及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种半导体MOS器件中西格玛沟槽的制作方法。本申请的制作方法中，采用含氧等离子体进行干法刻蚀的同时，能够在硅衬底上形成硅氧化层，然后以硅衬底上与硅氧化层相接的硅界面为作为刻蚀截止标识，在对硅氧化层刻蚀过程中，检测到硅氧化层与硅衬底相接的硅界面全部裸露时停止刻蚀，然后通过西格玛沟槽刻蚀溶液对初始沟槽刻蚀形成西格玛沟槽。相比通过以刻蚀时间控制刻蚀停止时机，本申请中采用硅衬底上硅界面为标识，在刻蚀深度达到目标后停止刻蚀，刻蚀出的沟槽一致性好。通过调控硅氧化层的厚度即可控制刻蚀深度，进而控制西格玛沟槽刻蚀的的关键顶端深度，能够刻蚀出较浅关键顶端深度的西格玛沟槽。
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公开(公告)号：CN117999637A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202280062961.8
申请日：2022-06-20
申请人： 株式会社斯库林集团
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/304
摘要： 本发明提供一种基板处理方法，用以处理基板，前述基板具有：第一主表面，具有第一周缘部；第二主表面，与前述第一主表面为相反侧的面且具有第二周缘部；以及外周端，连接前述第一周缘部以及前述第二周缘部。基板处理方法包含：保护膜形成工序，对前述第一主表面供给保护膜形成液，在前述第一周缘部形成保护膜；第一药液供给工序，在前述第一周缘部形成有前述保护膜的状态下，对前述第二主表面供给药液，使前述药液到达前述外周端，并用前述药液处理前述外周端；以及保护膜去除工序，于前述第一药液供给工序后去除前述保护膜。
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公开(公告)号：CN117984221A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202211372534.8
申请日：2022-11-03
申请人： 杭州众硅电子科技有限公司
IPC分类号： B24B37/10 , H01L21/67 , H01L21/306 , B24B37/20 , B24B37/22 , B24B37/26 , B24B37/34 , B24B37/005 , B24B57/02 , B24B1/00 , B24B7/22
摘要： 本发明公开了一种处理导电型晶圆衬底的电化学机械抛光及平坦化设备，包括电源，有第一、第二电极；抛光台，有导电性，和第一电极连接；抛光垫，至少包括可与导电型晶圆衬底的一抛光面相贴合的作用层，作用层由绝缘材质制成，具有孔洞，该孔洞内置有导电化学液；抛光头，具有导电性，并和第二电极连接，其下表面可与抛光面的背面相贴合；第一电极、抛光台、化学液、导电型晶圆衬底、抛光头，第二电极依序形成通电回路，导电型晶圆衬底的抛光面形成电化学反应层；抛光头带动导电型晶圆衬底相对抛光垫移动，实现对电化学反应层的化学机械抛光。本发明引入晶圆衬底表面电化学反应，衬底材料去除率、抛光/平坦化速度提高，设备运营成本降低。
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