公开(公告)号：CN103456836A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310351564.5

申请日：2009-02-10

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 若山惠英 ,  茂山和基 ,  大见忠弘 ,  寺本章伸

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/048 ,  H01L31/02167 ,  Y02B10/12 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，准备具有导电性表面的基材；对该导电性表面实施物理清洗，接着依次实施与超声波清洗合并进行的碱清洗、与超声波清洗合并进行的纯净水清洗以及与超声波清洗合并进行的臭氧水清洗，由此清洗该导电性表面；随后在该清洗过的导电性表面上直接设置n型、i型、p型结构的半导体薄膜；接着，在p型结构的半导体薄膜的外表面设置透明电极之后，利用氮化物系的水分扩散防止膜覆盖所述半导体薄膜的光入射侧和侧面。

公开(公告)号：CN102124550B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN200980130051.3

申请日：2009-07-08

Applicant: 株式会社新川 ,  国立大学法人东北大学 ,  株式会社爱发科

Inventor： 前田徹 ,  谷川徹郎 ,  寺本章伸 ,  小田正明

IPC: H01L21/60 ,  B22F1/02 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: B22F1/0062 ,  B22F2999/00 ,  H01L21/4867 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/11318 ,  H01L2224/1152 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/13324 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13364 ,  H01L2224/13369 ,  H01L2224/13399 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12044 ,  B22F1/0018 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 在将由分散剂(102)涂布表面的金属纳米粒子(101)混合到有机溶剂(105)中前或混合后，将氧作为氧纳米气泡(125)或氧气泡(121)注入有机溶剂(105)中，通过加压烧结制造用于接合半导体芯片的电极和线路板的电极以及/或半导体芯片的电极和另一半导体芯片的电极的金属纳米油墨(100)。将该金属纳米油墨(100)的微液滴射出到电极上，在半导体芯片的的电极和线路板的电极上形成凸块，使得半导体芯片反转，对位叠合在线路板上后，对各电极间的凸块加压并加热，加压烧结凸块的金属纳米粒子。由此，抑制加压烧结时产生空隙。

公开(公告)号：CN101218375B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200680025075.9

申请日：2006-07-12

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  日本陶瓷科技股份有限公司

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  森永均 ,  岸幸男 ,  大泷浩通 ,  传井美史

IPC: C23C26/00 ,  C23C16/40 ,  B08B3/12 ,  C23C28/04 ,  C23C14/08 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C4/00 ,  B08B3/02 ,  B08B3/12 ,  B08B2203/0288 ,  C23C4/02 ,  C23C4/11 ,  C23C16/405 ,  C23C16/545 ,  C23C26/00 ,  C23C28/04 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/252

Abstract: 现在，迅速且经济性地提供大型的陶瓷构件处于困难的状况。通过在比较容易制作的材料上形成的基材上形成陶瓷膜，构成多层构造体。陶瓷膜可以通过等离子体熔射、CVD、PVD或者溶胶-凝胶法等方法制成，另外也可以通过与熔射膜组合的方法进行成膜。

公开(公告)号：CN101147264B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200580049186.9

申请日：2005-07-04

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 须川成利 ,  寺本章伸

IPC: H01L29/78 ,  G01R31/26 ,  G01R31/28 ,  H01L21/66 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

CPC classification number: G01R31/275 ,  G01R31/2884

Abstract: 一种测试电路，包括：多个被测量晶体管，电性地并联设置；选择部，依次选择各个被测量晶体管；以及输出部，依次输出选择部所依次选择的被测量晶体管的源极电压。

公开(公告)号：CN102027582A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200980116946.1

申请日：2009-04-17

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  田中宏明 ,  矶贝达典

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66575

Abstract: 包括：向应为半导体装置的p型或n型接触区域的Si层部分离子注入p型或n型的杂质的工序；和离子注入工序后，不进行使注入的离子活性化的热处理，在所述接触区域表面形成接触用的金属膜的工序；和通过加热使所述金属膜的金属与所述Si层部分反应，形成所述金属的硅化物的工序。另外，最好同时进行形成所述硅化物的工序和通过所述金属膜形成后的热处理使所述注入的离子活性化的工序。

公开(公告)号：CN102007578A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200980113209.6

申请日：2009-04-10

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  斯特拉化工公司

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  长谷部类 ,  宫下雅之

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/02054 ,  H01L21/0206 ,  Y10S438/906

Abstract: 在半导体基板等的清洗中，需要进行至少由5个工序构成的清洗。本发明提供一种清洗方法，其包括：利用含有臭氧的超纯水进行清洗的第一工序、利用含有表面活性剂的超纯水进行清洗的第二工序、以及利用含有超纯水和2-丙醇的清洗液除去来源于表面活性剂的有机物的第三工序。第三工序后，照射氪气等稀有气体的等离子体，将来源于表面活性剂的有机物进一步除去。

公开(公告)号：CN101120437B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680003184.0

申请日：2006-01-20

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  后藤哲也 ,  河濑和雅

IPC: H01L21/318 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/518 ,  Y10T428/265

Abstract: 一种电介质膜，通过使处于Si3≡N结合状态的N以3原子％以上的浓度存在于氧化膜的表面侧上，并以0.1原子％以下的浓度存在于界面侧上，可以同时达到防止B扩散和NBTI耐性劣化的目的。在使用Ar/N2游离基氮化的情况下，难以使处于上述结合状态的N浓度同时满足在表面侧达到3原子％以上，在界面侧达到0.1原子％以下，但通过对Xe/N2、Kr/N2、Ar/NH3、Xe/NH3、Kr/NH3、Ar/N2/H2、Xe/N2/H2、Kr/N2/H2的任意一种气体进行组合使用，可以实现上述的N浓度分布。

公开(公告)号：CN101233795A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200680024226.9

申请日：2006-08-18

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  森本明大

IPC: H05K3/46

CPC classification number: H05K1/024 ,  H05K3/4602 ,  H05K3/4626 ,  H05K3/4673 ,  H05K2201/0116 ,  H05K2201/0195 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2201/0254

Abstract: 本发明提供一种多层电路基板以及使用该多层电路基板的电子设备，该多层电路基板包括低介电常数的层间绝缘膜，由于与此层间绝缘膜接触的表面没有凹凸、不会产生制造合格率的下降或高频信号的传输特性的劣化，所以能够显著提高组件或印刷基板等多层电路基板的信号传输特性等性能。多层电路基板(10)包括在基材上具有多个布线层和位于上述多个布线层间的多个绝缘层，上述多个绝缘层内的至少一部分由多孔质绝缘层(1)和非多孔质绝缘层(2)构成，该多孔质绝缘层(1)包含选自由多孔质体、气凝胶、多孔质二氧化硅、多孔性聚合物、中空二氧化硅、中空聚合物组成的多孔质材料组中的至少任意一种材料，该非多孔质绝缘层(2)为上述多孔质绝缘层(1)的至少一面不包含上述多孔质材料组。电子设备使用该多层电路基板。

公开(公告)号：CN101203946A

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200680018680.3

申请日：2006-06-16

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L29/045

Abstract: 本发明的半导体装置包括：设置在SOI基板上的半导体层(SOI层)、和设置在所述SOI层上的栅电极，按照所述栅电极与所述SOI层之间的功函数差所引起的耗尽层的厚度大于所述SOI层的膜厚的方式设定所述SOI层的膜厚，并且至少包括一种常关闭的MOS晶体管。

公开(公告)号：CN101194345A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200680020281.0

申请日：2006-06-07

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  本多稔 ,  中西敏雄

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/3185

Abstract: 本发明的等离子体氮化处理方法，由具有多个缝隙的平面天线将微波导入处理容器内，形成含氮气体的微波激发高密度等离子体，在等离子体处理装置的处理容器内，使该高密度等离子体作用于被处理体表面的硅，在500℃以上的处理温度下进行氮化处理。