公开(公告)号：CN1126154C

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN95120071.2

申请日：1995-11-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 山元良高 ,  须泽英臣 ,  粟根克昶 ,  船田文明 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/02 ,  H01L21/334 ,  C30B1/00

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明涉及一种形成TFT的有源层的方法，该方法不会对有源层的侧面造成等离子体损坏。首先在玻璃衬底上形成结晶硅膜。然后将保护掩模放在该硅膜上。用主要包括囟族氟化物气体的蚀刻剂气体蚀刻该硅膜，于是形成有源层。在该过程中，蚀刻剂气体不变成等离子体，以便避免有源层侧面被等离子体损坏。ClF3可以用作卤族氟化物气体。

公开(公告)号：CN1378276A

公开(公告)日：2002-11-06

申请号：CN02108075.5

申请日：2002-03-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  须泽英臣 ,  小野幸治 ,  楠山义弘

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/485 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H05K1/00 ,  H05K3/46 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L29/4908 ,  G02F2001/13629 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53223 ,  H01L27/3241 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648 ,  H01L51/5203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的布线具有层叠结构,它包括具有第一宽度的第一导电层(第一层),由选自W和Mo,或主要含该元素的合金或化合物的一种或多种元素制成;低阻的第二导电层(第二层),其具有小于第一宽度的第二宽度,由主要含Al的合金或化合物制成;及第三导电层(第三层),其具有小于第二宽度的第三宽度,由主要含Ti的合金或化合物制成。采用这种结构,使本发明为象素段的扩大留有充分的余地。至少第二导电层的边缘具有锥形的截面。由于这种形状,使得能够获得令人满意的覆盖范围。

公开(公告)号：CN1312589A

公开(公告)日：2001-09-12

申请号：CN01110971.8

申请日：2001-03-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  须泽英臣 ,  小野幸治 ,  荒尾达也

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/1222 ,  G02F1/13454 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/127 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78621 ,  H01L2029/7863

Abstract: 提供了一种高可靠性的半导体显示器件。半导体显示器件中的半导体层具有沟道形成区、LDD区、源区和漏区,LDD区与第一栅电极重叠,栅绝缘膜夹于其间。

公开(公告)号：CN1282107A

公开(公告)日：2001-01-31

申请号：CN00121738.0

申请日：2000-07-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 须泽英臣 ,  小野幸治

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/283 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23F4/00 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53257 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78621 ,  H01L2029/7863 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种干法腐蚀法,用于形成具有锥形且相对于底膜具有较大特定选择率的钨布线。如果适当调节偏置功率密度,并且如果利用具有氟作其主要成分的腐蚀气体去除钨薄膜的希望部分,则可以形成具有希望锥角的钨膜。

公开(公告)号：CN1248787A

公开(公告)日：2000-03-29

申请号：CN99117536.0

申请日：1995-11-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  须泽英臣

IPC: H01L21/00

Abstract: 一种腐蚀设备,具有一个处理前的衬底保持室、一个衬底传递室、一个处理后的衬底保持室,以及一个腐蚀室。在腐蚀室中,使用氟化卤素气体如ClF3气体的腐蚀,例如对薄膜晶体管的有源层的腐蚀,是在不使氟化卤素气体离化或等离子增强的情况下进行的。由于不发生等离子损伤,因而防止了在有源层侧表面中陷阱能级的出现,于是抑制了载流子通过陷阱能级的运动,因而使薄膜晶体管中的截止电流值减小。

公开(公告)号：CN1245976A

公开(公告)日：2000-03-01

申请号：CN99110777.2

申请日：1995-11-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  须泽英臣

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/00

Abstract: 一种腐蚀设备,具有一个处理前的衬底保持室、一个衬底传递室、一个处理后的衬底保持室,以及一个腐蚀室。在腐蚀室中,使用氟化卤素气体如ClF3气体的腐蚀,例如对薄膜晶体管的有源层的腐蚀,是在不使氟化卤素气体离化或等离子增强的情况下进行的。由于不发生等离子损伤,因而防止了在有源层侧表面中陷阱能级的出现,于是抑制了载流子通过陷阱能级的运动,因而使薄膜晶体管中的截止电流值减小。

公开(公告)号：CN107123683B

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201710144162.6

申请日：2012-11-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 恵木勇司 ,  须泽英臣 ,  笹川慎也

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/22

Abstract: 本发明以高成品率提供即使具有微型的结构也具有高电特性的晶体管。本发明在包括该晶体管的半导体装置中也实现高性能化、高可靠性化及高生产化。在具有依次层叠有氧化物半导体层、栅极绝缘层及在侧面设置有侧壁绝缘层的栅电极层的晶体管的半导体装置中，以与氧化物半导体层及侧壁绝缘层接触的方式设置源电极层及漏电极层。在该半导体装置的制造工序中，以覆盖氧化物半导体层、侧壁绝缘层及栅电极层上的方式层叠导电层及层间绝缘层，通过化学机械抛光法去除栅电极层上的层间绝缘层及导电层，来形成源电极层及漏电极层。在形成栅极绝缘层之前，对氧化物半导体层进行洗涤处理。

公开(公告)号：CN104704638B

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201380054450.2

申请日：2013-10-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  须泽英臣 ,  笹川慎也 ,  田中哲弘

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L27/1156

CPC classification number: H01L21/02565 ,  H01L21/02617 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/26 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 通过抑制其电特性的变化来提供一种包括氧化物半导体的极可靠半导体器件。氧从设置在氧化物半导体层下面的基绝缘层以及设置在氧化物半导体层之上的栅绝缘层提供给其中形成沟道的区域，由此填充可能在沟道中生成的氧空位。此外，抑制通过氧化物半导体层中形成的沟道附近的源电极层或漏电极层从氧化物半导体层提取氧，由此抑制可能在沟道中生成的氧空位。

公开(公告)号：CN103779426B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201410046438.3

申请日：2010-12-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  乡户宏充 ,  须泽英臣 ,  笹川慎也 ,  仓田求 ,  三上真弓

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/45 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种维持有利的特性并实现微细化的、包括氧化物半导体的半导体装置。一种半导体装置，包括：氧化物半导体层；与所述氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与所述氧化物半导体层重叠的栅电极；以及设置在所述氧化物半导体层和所述栅电极之间的栅极绝缘层，其中，所述源电极及所述漏电极各包括第一导电层和具有从所述第一导电层的端部向沟道长度方向延伸的区域的第二导电层。

公开(公告)号：CN103022409B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210350552.6

申请日：2012-09-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田岛亮太 ,  山崎舜平 ,  须泽英臣 ,  长多刚

IPC: H01M4/02 ,  H01M4/13 ,  H01G9/042 ,  H01M10/0525

CPC classification number: H01G11/30 ,  B82Y30/00 ,  H01G11/26 ,  H01G11/66 ,  H01M4/13 ,  H01M4/134 ,  H01M4/386 ,  H01M4/62 ,  H01M4/625 ,  H01M10/0525 ,  Y02E60/122 ,  Y02E60/13 ,  Y02P70/54 ,  Y02T10/7011 ,  Y02T10/7022

Abstract: 本发明提供一种充放电容量大且充放电所导致的电池特性的劣化少的蓄电装置用负极。本发明的一个方式是一种蓄电装置用负极，包括具有多个突起物的负极活性物质以及将所述多个突起物中的第一突起物和第二突起物在上方桥接的梁。梁在与集流体弯曲的方向垂直的方向设置。在第一突起物和第二突起物中，它们的轴彼此一致。此外，也能够以覆盖突起物的侧面或覆盖突起物的侧面及梁的顶面的方式设置石墨烯。