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公开(公告)号：CN117690977A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311531376.0
申请日：2018-08-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L29/49
Abstract: 本发明提供了半导体装置，其包括：第一绝缘体；第二绝缘体；氧化物；第一及第二导电体；氧化物、第一及第二导电体上的第三绝缘体；第三绝缘体上且至少一部分与第一和第二导电体之间的区域重叠的第三导电体；覆盖氧化物、第一、第二、第三导电体及第三绝缘体的第四绝缘体；第四绝缘体上的第五绝缘体；第五绝缘体上的第六绝缘体；第七绝缘体；和第八绝缘体，其中第七绝缘体与第一导电体的上表面、第四绝缘体的底面、第一导电体的侧面及氧化物的第一侧面接触，第八绝缘体与第二导电体的上表面、第四绝缘体的底面、第二导电体的侧面及氧化物的第二侧面接触，第四绝缘体的一部分中形成到达第二绝缘体的开口，且第五绝缘体通过该开口与第二绝缘体接触。
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公开(公告)号：CN117652204A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202280047335.1
申请日：2022-07-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/22 , H05B33/26 , H05B33/12 , H05B33/10 , H10K59/121 , H10K71/00 , H10K59/80 , G09F9/30 , G09F9/00
Abstract: 提供一种显示品质高的显示装置。该显示装置包括第一像素、与第一像素相邻的第二像素、第一绝缘层及第一绝缘层上的第二绝缘层，第一像素包括第一像素电极、覆盖第一像素电极的第一EL层、第一EL层上的第三绝缘层以及第一EL层及第三绝缘层上的公共电极，公共电极与第一EL层的顶面的其他一部分接触，第一EL层包含有机化合物OM，有机化合物OM的氧化物或具有上述有机化合物OM的部分结构的有机化合物在第一EL层中的含有量相对于有机化合物OM在第一EL层中的含有量大于0且1/10以下，第二像素包括第二像素电极、覆盖第二像素电极的第二EL层、第二EL层上的第四绝缘层以及第二EL层及第四绝缘层上的公共电极，第二绝缘层的一部分与第一像素电极重叠，第二绝缘层的其他一部分与第二像素电极重叠。
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公开(公告)号：CN111033702A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880054552.7
申请日：2018-08-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L27/11519 , H01L27/1156 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/28 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/363 , H01L21/8242 , H01L27/108
Abstract: 提供一种可靠性良好的半导体装置。该半导体装置包括第一绝缘体、配置在第一绝缘体上的第二绝缘体、配置在第二绝缘体上的氧化物、在氧化物上彼此分开地配置的第一导电体及第二导电体、配置在氧化物、第一导电体及第二导电体上的第三绝缘体、配置在第三绝缘体上且以其至少一部分与第一导电体和第二导电体之间的区域重叠的方式配置的第三导电体、以覆盖氧化物、第一导电体、第二导电体、第三绝缘体及第三导电体的方式配置的第四绝缘体、配置在第四绝缘体上的第五绝缘体以及配置在第五绝缘体上的第六绝缘体，在第四绝缘体的至少一部分中形成到达第二绝缘体的开口，第五绝缘体通过开口与第二绝缘体接触，第一绝缘体、第四绝缘体及第六绝缘体的氧透过性比第二绝缘体低。
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公开(公告)号：CN101047190B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN200710091492.X
申请日：2007-03-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 浅见良信
IPC: H01L27/115 , H01L27/12 , H01L29/788 , H01L29/40 , H01L21/8247 , H01L21/84 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7881 , G11C16/0483 , H01L21/84 , H01L27/115 , H01L27/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及非易失性半导体存储器件及其制造方法，其目的是提供一种防止由于在蚀刻层间绝缘膜时蚀刻半导体层而导致接触电阻值升高，从而具有优越的写入特性和电荷保持特性的非易失性半导体存储器件及其制造方法。在源区或漏区和源极或漏极布线之间提供导电层。导电层由形成控制栅电极的同一导电层形成。提供绝缘膜以覆盖所述导电层，该绝缘膜具有暴露所述导电层的一部分的接触孔。形成源极或漏极布线以填充接触孔。
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公开(公告)号：CN103107228A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201210447115.6
申请日：2012-11-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/078 , H01L31/0352 , H01L31/036
CPC classification number: H01L31/074 , H01L31/0747 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种窗层中的光吸收损失少且电特性良好的光电转换装置。形成一种光电转换装置，该光电转换装置在一对电极之间包括：将具有一导电型的透光半导体层用作窗层，具有用来形成p-n结的导电型的硅半导体衬底或具有用来形成p-i-n结的导电型的硅半导体层。作为该透光半导体层，可以使用以属于元素周期表中第4族至第8族的金属的氧化物为主要成分且带隙为2eV以上的无机化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102683595A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210080386.2
申请日：2012-03-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/4213 , H01L31/0322 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的目的之一是提供一种开路电压高且转换效率高的光电转换装置。在一对电极之间层叠具有p型导电型的第一半导体层、具有p型导电型的第二半导体层以及具有n型导电型的第三半导体层，来形成具有pn结的光电转换装置。第一半导体层为化合物半导体层，第二半导体层使用有机化合物及无机化合物形成，作为该有机化合物使用空穴传输性高的材料，并且作为该无机化合物使用具有电子接受性的过渡金属氧化物。
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公开(公告)号：CN102646793A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210123886.X
申请日：2006-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0024 , H01L27/3281 , H01L51/0021 , H01L51/003 , H01L51/56 , H01L2227/326 , H01L2251/5338 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于以高成品率地制作半导体器件，该半导体器件在挠性基板上设置有包括含有有机化合物的层的元件。本发明是一种半导体器件的制作方法，包括如下步骤：在基板上形成剥离层；在剥离层上形成无机化合物层、第一导电层、以及含有有机化合物的层，并且形成与含有有机化合物的层以及无机化合物层接触的第二导电层，以形成元件形成层；以及在第二导电层上贴合具有挠性的第一基板，然后剥离剥离层和元件形成层。
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公开(公告)号：CN102027589A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200980118496.X
申请日：2009-05-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 浅见良信
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: H01L29/7881 , G11C16/0441 , H01L27/11521 , H01L27/1214 , H01L29/66825
Abstract: 目的是即使在写入和擦除重复进行的情况下抑制读取错误。此外，另一个目的是降低写入电压和擦除电压同时抑制存储晶体管的面积增加。在衬底上提供的用于写入操作和擦除操作的第一半导体层和用于读取操作的第二半导体层上，提供浮栅和控制栅且绝缘膜介于其间；使用该第一半导体层进行电子到浮栅的注入和从浮栅的释放；并且使用该第二半导体层进行读取。
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公开(公告)号：CN102017129A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980117627.2
申请日：2009-04-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 浅见良信
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L29/66825 , H01L29/7881
Abstract: 目的是在没有增加存储单元的面积的情况下减小存储晶体管的写入和擦除电压，以及目的是在没有增加写入和擦除电压的情况下减小存储单元的面积。存储单元包括具有第一岛状半导体区、浮栅和控制栅的存储晶体管。另外，第二岛状半导体区隔着绝缘膜在浮栅之下形成。由于第二岛状半导体区电连接到控制栅，所以电容在第二岛状半导体区与浮栅之间形成。这个电容促进存储晶体管的耦合比的增加，这使得能够在没有增加存储单元的面积的情况下增加耦合比。此外，可在没有减小耦合比的情况下减小存储单元的面积。
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公开(公告)号：CN100576557C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200580040575.5
申请日：2005-11-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/04 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L27/13 , H01L27/283 , H01L51/0059
Abstract: 本发明的目的在于提供一种除在制造过程中外可以写入数据、并可以防止由于重写的伪造的易失性有机存储器，并且还提供一种包含这种有机存储器的半导体器件。本发明的特征在于，半导体器件包括：在第一方向上延伸的多个位线，在不同于第一方向的第二方向上延伸的多个字线，具有设置在位线与字线的交叉位置上的多个存储单元的存储单元阵列，以及设置在存储单元中的存储元件；其中，该存储元件包含位线、有机化合物层、和字线；该有机化合物层包含由无机化合物和有机化合物混合的层。
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