公开(公告)号：CN118804618A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410420148.4

申请日：2024-04-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 青山绘梨子 ,  山胁隼人 ,  濑尾广美 ,  佐佐木俊毅 ,  长坂显 ,  大泽信晴 ,  川上祥子 ,  尾坂晴惠

IPC: H10K50/13 ,  H10K50/17 ,  H10K85/60

Abstract: 提供一种高效率及高可靠性的发光器件。在第一电极与第二电极之间包括有机化合物层，有机化合物层包括第一发光单元、第二发光单元以及中间层，在第一发光单元与第二发光单元之间包括中间层，中间层包含有机化合物，在对有机化合物以扫描速度为1V/s以上且100V/s以下进行CV测量时，检测出电子氧化的峰电流，没有检测出还原的峰电流。

公开(公告)号：CN117652204A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202280047335.1

申请日：2022-07-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山胁隼人 ,  川上祥子 ,  青山绘梨子 ,  栗原美树 ,  浅见良信 ,  藤江贵博 ,  田头龙

IPC: H05B33/22 ,  H05B33/26 ,  H05B33/12 ,  H05B33/10 ,  H10K59/121 ,  H10K71/00 ,  H10K59/80 ,  G09F9/30 ,  G09F9/00

Abstract: 提供一种显示品质高的显示装置。该显示装置包括第一像素、与第一像素相邻的第二像素、第一绝缘层及第一绝缘层上的第二绝缘层，第一像素包括第一像素电极、覆盖第一像素电极的第一EL层、第一EL层上的第三绝缘层以及第一EL层及第三绝缘层上的公共电极，公共电极与第一EL层的顶面的其他一部分接触，第一EL层包含有机化合物OM，有机化合物OM的氧化物或具有上述有机化合物OM的部分结构的有机化合物在第一EL层中的含有量相对于有机化合物OM在第一EL层中的含有量大于0且1/10以下，第二像素包括第二像素电极、覆盖第二像素电极的第二EL层、第二EL层上的第四绝缘层以及第二EL层及第四绝缘层上的公共电极，第二绝缘层的一部分与第一像素电极重叠，第二绝缘层的其他一部分与第二像素电极重叠。

公开(公告)号：CN119856600A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202380063844.8

申请日：2023-09-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 渡部刚吉 ,  山胁隼人 ,  大泽信晴 ,  濑尾哲史

IPC: H10K85/60 ,  H10K50/12 ,  H10K59/121

Abstract: 提供一种高清晰且可靠性良好的有机半导体器件。提供一种由形成在绝缘层上的多个发光器件中的一个的发光器件，其中，当在大气气氛下对具有与包含第一物质和发光物质的发光层同样的组成的膜以300勒克斯的照度照射日光色LED光60分钟时第一物质的氧加成物的浓度为15ppm以上，并且，相邻的各发光器件所包括的第一电极的间隔为2μm以上且5μm以下。

公开(公告)号：CN117858542A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311289649.5

申请日：2023-10-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中泽安孝 ,  大出贵之 ,  后藤尚人 ,  安达广树 ,  井户尻悟 ,  山胁隼人 ,  冈崎健一 ,  川上祥子

IPC: H10K59/12 ,  H10K71/60

Abstract: 提供一种新颖显示装置的制造方法及显示装置。在第1步骤中，在绝缘膜上形成第一电极、第二电极、第一间隙，在第2步骤中，在第二电极上形成第一膜，在第3步骤中，形成与第一电极重叠的第一层，在第4步骤中，通过蚀刻法去除第一膜，来形成与第一电极重叠的第一单元，在第5步骤中，去除第二电极的表面，在第6步骤中，在第一层及第二电极上形成第二膜，在第7步骤中，形成与第二电极重叠的第二层，在第8步骤中，利用第二层通过蚀刻法去除第二膜，来形成与第二电极重叠的第二单元及与第一间隙重叠的第二间隙。