公开(公告)号：CN120076572A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202411698243.7

申请日：2024-11-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 濑尾哲史 ,  大泽信晴 ,  木户裕允 ,  吉安唯 ,  沼田智子 ,  青山绘梨子 ,  多田杏奈

IPC: H10K50/12 ,  H10K85/60 ,  H10K101/10 ,  H10K101/40

Abstract: 提供一种可靠性高的发光器件。该发光器件包括第一电极、第二电极及发光层，其中，发光层位于第一电极与第二电极间，发光层包含第一有机化合物、第二有机化合物以及能够将三重态激发能转换为发光的物质，第一有机化合物具有缺π电子型杂芳环，第二有机化合物具有富π电子型杂芳环或芳香胺骨架，第一有机化合物及第二有机化合物包含氘，第一有机化合物的最低三重激发能级与第二有机化合物的最低三重激发能级之差为0.10eV以下。

公开(公告)号：CN117320469A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202310777826.8

申请日：2023-06-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐佐木俊毅 ,  木户裕允 ,  铃木恒德 ,  大泽信晴 ,  吉住英子 ,  濑尾哲史 ,  沼田智子 ,  青山绘梨子 ,  吉安唯

IPC: H10K50/11 ,  H10K85/60

Abstract: 提供一种寿命长的绿色磷光发光器件。发光器件包括第一电极、第二电极以及发光层，所述发光层位于所述第一电极与所述第二电极之间，所述发光层包含第一有机化合物、第二有机化合物以及磷光发光物质，所述第一有机化合物包含杂芳环骨架及芳烃基，所述第二有机化合物具有联咔唑骨架，所述第一有机化合物的最低三重激发能级只来源于所述芳烃基，所述第二有机化合物的最低三重激发能级的能量为2.20eV以上且2.65eV以下。

公开(公告)号：CN117652204A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202280047335.1

申请日：2022-07-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山胁隼人 ,  川上祥子 ,  青山绘梨子 ,  栗原美树 ,  浅见良信 ,  藤江贵博 ,  田头龙

IPC: H05B33/22 ,  H05B33/26 ,  H05B33/12 ,  H05B33/10 ,  H10K59/121 ,  H10K71/00 ,  H10K59/80 ,  G09F9/30 ,  G09F9/00

Abstract: 提供一种显示品质高的显示装置。该显示装置包括第一像素、与第一像素相邻的第二像素、第一绝缘层及第一绝缘层上的第二绝缘层，第一像素包括第一像素电极、覆盖第一像素电极的第一EL层、第一EL层上的第三绝缘层以及第一EL层及第三绝缘层上的公共电极，公共电极与第一EL层的顶面的其他一部分接触，第一EL层包含有机化合物OM，有机化合物OM的氧化物或具有上述有机化合物OM的部分结构的有机化合物在第一EL层中的含有量相对于有机化合物OM在第一EL层中的含有量大于0且1/10以下，第二像素包括第二像素电极、覆盖第二像素电极的第二EL层、第二EL层上的第四绝缘层以及第二EL层及第四绝缘层上的公共电极，第二绝缘层的一部分与第一像素电极重叠，第二绝缘层的其他一部分与第二像素电极重叠。

公开(公告)号：CN118804618A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410420148.4

申请日：2024-04-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 青山绘梨子 ,  山胁隼人 ,  濑尾广美 ,  佐佐木俊毅 ,  长坂显 ,  大泽信晴 ,  川上祥子 ,  尾坂晴惠

IPC: H10K50/13 ,  H10K50/17 ,  H10K85/60

Abstract: 提供一种高效率及高可靠性的发光器件。在第一电极与第二电极之间包括有机化合物层，有机化合物层包括第一发光单元、第二发光单元以及中间层，在第一发光单元与第二发光单元之间包括中间层，中间层包含有机化合物，在对有机化合物以扫描速度为1V/s以上且100V/s以下进行CV测量时，检测出电子氧化的峰电流，没有检测出还原的峰电流。

公开(公告)号：CN117337120A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202310774517.5

申请日：2023-06-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐佐木俊毅 ,  木户裕允 ,  铃木恒德 ,  大泽信晴 ,  吉住英子 ,  濑尾哲史 ,  沼田智子 ,  青山绘梨子 ,  吉安唯

IPC: H10K85/30 ,  H10K50/16 ,  H10K85/60

Abstract: 提高发光器件的可靠性。提供一种发光器件、发光装置、电子设备及照明装置。该发光器件包括包含发光物质及第一有机化合物的发光层，发光物质是具有中心金属及配体的有机金属配合物，配体中的一个包括环A1与吡啶环键合的骨架，环A1表示芳香环或杂芳环，吡啶环包括被氘取代的碳原子数为1至6的烷基，第一有机化合物包括电子传输性骨架及与其键合的第一及第二取代基，电子传输性骨架包括含有两个以上的氮的杂芳环，第一取代基包括芳香环及/或杂芳环，第二取代基包括空穴传输性骨架，最低三重激发态集中分布于第一取代基。

公开(公告)号：CN118104396A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202280069358.2

申请日：2022-10-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山脇隼人 ,  川上祥子 ,  桥本直明 ,  青山绘梨子 ,  新仓泰裕

IPC: H05B33/10 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22 ,  H10K50/00 ,  H10K59/00

Abstract: 提供一种从因紫外线的照射而生成的蒽的氧加成物去除氧的方法。提供一种可靠性良好的电子器件或发光器件的制造方法。提供一种电子器件的制造方法，包括：在有氧气氛下对包含具有蒽结构的有机化合物的层照射1mJ/cm2以上且1000mJ/cm2以下的紫外线的工序；以及在氧浓度为300ppm以下的气氛下进行80℃以上的加热的工序。

公开(公告)号：CN116896918A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310356852.3

申请日：2023-04-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 沼田智子 ,  尾坂晴惠 ,  川上祥子 ,  新宫崇史 ,  多田杏奈 ,  吉安唯 ,  新仓泰裕 ,  青山绘梨子 ,  桥本直明 ,  濑尾哲史

IPC: H10K50/16 ,  H10K85/60 ,  H10K59/35 ,  H10K59/12

Abstract: 提供一种高清晰且可靠性良好的有机半导体器件。该有机半导体器件是形成在绝缘层上的多个发光器件中的一个，包括第一电极、第二电极及有机化合物层，上述有机化合物层位于第一电极与第二电极之间，上述有机化合物层包括包含第一化合物的层，上述第一化合物为在差示扫描热量测定中在从通过第一加热而熔化的状態进行冷却并继续第二加热时在上述冷却过程中观察不到发热峰且在上述第二加热过程中观察不到发热峰及熔点峰的物质。