公开(公告)号：CN117652204A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202280047335.1

申请日：2022-07-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山胁隼人 ,  川上祥子 ,  青山绘梨子 ,  栗原美树 ,  浅见良信 ,  藤江贵博 ,  田头龙

IPC: H05B33/22 ,  H05B33/26 ,  H05B33/12 ,  H05B33/10 ,  H10K59/121 ,  H10K71/00 ,  H10K59/80 ,  G09F9/30 ,  G09F9/00

Abstract: 提供一种显示品质高的显示装置。该显示装置包括第一像素、与第一像素相邻的第二像素、第一绝缘层及第一绝缘层上的第二绝缘层，第一像素包括第一像素电极、覆盖第一像素电极的第一EL层、第一EL层上的第三绝缘层以及第一EL层及第三绝缘层上的公共电极，公共电极与第一EL层的顶面的其他一部分接触，第一EL层包含有机化合物OM，有机化合物OM的氧化物或具有上述有机化合物OM的部分结构的有机化合物在第一EL层中的含有量相对于有机化合物OM在第一EL层中的含有量大于0且1/10以下，第二像素包括第二像素电极、覆盖第二像素电极的第二EL层、第二EL层上的第四绝缘层以及第二EL层及第四绝缘层上的公共电极，第二绝缘层的一部分与第一像素电极重叠，第二绝缘层的其他一部分与第二像素电极重叠。

公开(公告)号：CN117678345A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202280049793.9

申请日：2022-07-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小林英智 ,  冈本佑树 ,  斋藤利彦 ,  大贯达也 ,  宫入秀和 ,  田头龙 ,  山胁佳寿子 ,  远藤正己

IPC: H10K59/12 ,  H10K59/121 ,  H01L29/786 ,  G09G3/3233

Abstract: 提供一种制造成品率高的半导体装置。一种包括多个子像素的半导体装置。子像素包括第一晶体管、第二晶体管、第一电容元件至第三电容元件、第一绝缘层及布线。第一电容元件至第三电容元件分别包括第一导电层、第二导电层及第一导电层与第二导电层夹持的第二绝缘层。第一绝缘层设置在第一晶体管及第二晶体管上。第一电容元件至第三电容元件的第一导电层及布线都设置在第一绝缘层上。在俯视时，相对于子像素的面积的第一电容元件至第三电容元件的第一导电层及布线的总面积的比率为百分之15以上。第二电容元件的第一导电层的面积及第三电容元件的第一导电层的面积都为第一电容元件的第一导电层的面积的2倍以上。

公开(公告)号：CN117480862A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202280042416.2

申请日：2022-06-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  浅见良信 ,  藤江贵博 ,  田头龙

IPC: H05B33/22

Abstract: 提供一种显示品质高的显示装置。显示装置包括第一像素、与第一像素相邻地配置的第二像素、第一绝缘层以及第一绝缘层上的第二绝缘层，第一像素包括第一像素电极、覆盖第一像素电极的第一EL层、第一EL层上的第三绝缘层以及第一EL层及第三绝缘层上的公共电极，第二像素包括第二像素电极、覆盖第二像素电极的第二EL层、第二EL层上的第四绝缘层以及第二EL层及第四绝缘层上的公共电极，第二绝缘层的一部分与第一像素电极重叠，第二绝缘层的另外一部分与第二像素电极重叠，第二绝缘层在从显示装置的截面看时在侧面具有锥形形状且在顶面具有凸曲面形状。