公开(公告)号：CN117678345A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202280049793.9

申请日：2022-07-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小林英智 ,  冈本佑树 ,  斋藤利彦 ,  大贯达也 ,  宫入秀和 ,  田头龙 ,  山胁佳寿子 ,  远藤正己

IPC: H10K59/12 ,  H10K59/121 ,  H01L29/786 ,  G09G3/3233

Abstract: 提供一种制造成品率高的半导体装置。一种包括多个子像素的半导体装置。子像素包括第一晶体管、第二晶体管、第一电容元件至第三电容元件、第一绝缘层及布线。第一电容元件至第三电容元件分别包括第一导电层、第二导电层及第一导电层与第二导电层夹持的第二绝缘层。第一绝缘层设置在第一晶体管及第二晶体管上。第一电容元件至第三电容元件的第一导电层及布线都设置在第一绝缘层上。在俯视时，相对于子像素的面积的第一电容元件至第三电容元件的第一导电层及布线的总面积的比率为百分之15以上。第二电容元件的第一导电层的面积及第三电容元件的第一导电层的面积都为第一电容元件的第一导电层的面积的2倍以上。