公开(公告)号：CN117651444A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202311109126.8

申请日：2023-08-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 杉泽希 ,  山根靖正 ,  中村太纪 ,  铃木恒德 ,  后藤尚人 ,  中泽安孝

IPC: H10K59/123 ,  H10K59/121 ,  H01L27/15 ,  H01L33/62 ,  H10K59/38 ,  H01L33/50

Abstract: 提供方便性、实用性或可靠性良好的新颖显示装置、显示模块、电子设备。显示装置包括具有第一及第二电极、第一层、第一单元的第一发光器件及具有第三及第四电极、第二层、第二单元的第二发光器件。第一单元夹在第一与第二电极间并包含第一发光材料，第一层夹在第一单元与第一电极间并接触第一电极。第三电极与第一电极相邻。第三电极与第一电极间有第一间隙。第二单元夹在第三与第四间并包含第二发光材料，第二层夹在第二单元与第三电极间并接触第三电极。第一及第二层分别使用膜状态下以ESR装置测得第一自旋密度及高于第一自旋密度的第二自旋密度的材料。

公开(公告)号：CN106409919A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610584634.5

申请日：2016-07-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  神长正美 ,  井口贵弘 ,  后藤尚人

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/78606 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  G06F1/1643 ,  G06F1/169 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04102 ,  G06F2203/04103 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/14616 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 抑制包括氧化物半导体的晶体管的电特性变动并提高其可靠性。晶体管包括：第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的栅电极；与第二绝缘膜的侧面接触的金属氧化膜；以及氧化物半导体膜、栅电极以及金属氧化膜上的第三绝缘膜。氧化物半导体膜包括：重叠于栅电极的沟道区域；与第三绝缘膜接触的源区域；以及与第三绝缘膜接触的漏区域。源区域及漏区域包含如下一种以上：氢、硼、碳、氮、氟、磷、硫、氯、钛、稀有气体。

公开(公告)号：CN118202813A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202280073307.7

申请日：2022-11-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中村太纪 ,  杉泽希 ,  片山雅博 ,  后藤尚人 ,  冈崎健一

IPC: H10K59/122 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H10K50/84 ,  H10K50/844 ,  H10K59/38 ,  H10K71/00

Abstract: 提供一种显示质量高的显示装置。本发明是一种显示装置，该显示装置包括第一有机绝缘层、第一有机绝缘层上的第一无机绝缘层及第二无机绝缘层、第一发光元件、第二发光元件以及第二有机绝缘层。第一发光元件包括第一无机绝缘层上的第一像素电极、第一像素电极上的第一EL层以及第一EL层上的公共电极。第二发光元件包括第二无机绝缘层上的第二像素电极、第二像素电极上的第二EL层以及第二EL层上的公共电极。第二有机绝缘层设置在第一EL层与第二EL层之间，公共电极设置在第二有机绝缘层上。第一有机绝缘层在与第二有机绝缘层重叠的区域中具有凹部，第一无机绝缘层具有与凹部重叠的第一突出部，第二无机绝缘层具有与凹部重叠的第二突出部。

公开(公告)号：CN109564741A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780047650.3

申请日：2017-05-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大野正胜 ,  保本清治 ,  后藤尚人 ,  安达广树

IPC: G09F9/00 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  G09F9/46 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10

CPC classification number: G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  G09F9/46 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10

Abstract: 提供一种功耗低的显示装置的制造方法。该方法包括如下步骤：在衬底上使用包含树脂或树脂前体的材料形成第一层；在第一层中形成第一区域及比该第一区域薄的第二区域；通过在使包含氧的气体流动的同时对第一层进行第一加热处理，形成具有第一区域及比该第一区域薄的第二区域的第一树脂层；在第一树脂层上形成包括显示元件的被剥离层；以及使被剥离层与衬底分离，其中，形成被剥离层的步骤包括在第一树脂层上的重叠于第二区域的位置形成导电层的步骤，并且，在使被剥离层与衬底分离的步骤之后包括去除第一树脂层而使导电层露出的步骤。

公开(公告)号：CN117016046A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202280013859.9

申请日：2022-02-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐藤来 ,  片山雅博 ,  后藤尚人 ,  中泽安孝 ,  冈崎健一

IPC: H05B33/22

Abstract: 提供一种高清晰显示装置。提供一种兼具有高显示品质和高清晰度的显示装置。本发明的一个方式是一种显示装置，包括：包括第一像素电极、第一EL层及公共电极的第一显示元件；包括第二像素电极、第二EL层及公共电极的第二显示元件；覆盖第一像素电极的端部及第二像素电极的端部的第一绝缘层；第一绝缘层上的第二绝缘层；以及第二绝缘层上的第三绝缘层，其中，第一EL层配置在第一像素电极上及第三绝缘层上，并且，第二EL层配置在第二像素电极上及第三绝缘层上。

公开(公告)号：CN107492574B

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN201710430180.0

申请日：2017-06-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 后藤尚人 ,  保坂泰靖 ,  矢口瑞穂

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明的一个方式的目的是提供一种占有面积小的晶体管。另外，本发明的一个方式的目的是提供一种可靠性良好的晶体管。在具有凸部的绝缘层上设置晶体管。在该凸部上至少设置半导体层的沟道形成区。由此，可以减小该晶体管的占有面积。由于该晶体管具有弯曲的结构，因此从外部入射的光不容易到达半导体层的沟道形成区。由此可以减轻外部光所引起的该晶体管的劣化，而可以提高该晶体管的可靠性。该凸部可以通过利用形成在该绝缘层上的层的内部应力来实现。或者，可以通过在该绝缘层下形成用来使该绝缘层具有凸部的结构体来实现。

公开(公告)号：CN108780617B

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201780014086.5

申请日：2017-03-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神保安弘 ,  横山浩平 ,  玉造祐树 ,  后藤尚人 ,  神长正美 ,  土桥正佳 ,  中田昌孝 ,  千田章裕 ,  千田尚之

IPC: G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/12 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22

Abstract: 提供一种高成品率的显示装置及/或相邻像素之间的混色得到抑制的显示装置。一种显示装置，包括第一像素电极、第二像素电极、第一绝缘层、第二绝缘层以及粘合层。第一绝缘层具有第一开口，第二绝缘层具有第二开口，第一开口及第二开口形成在第一像素电极与第二像素电极之间，在俯视图中第二开口的外周位于比第一开口的外周更靠内侧的位置，并且粘合层具有在第二绝缘层下与第二绝缘层重叠的区域。

公开(公告)号：CN118284923A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202280077713.0

申请日：2022-11-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 岛行德 ,  冈崎健一 ,  中田昌孝 ,  中泽安孝 ,  后藤尚人 ,  江口早纪 ,  片庭佐智子

IPC: G09F9/30 ,  G09F9/00 ,  H01L31/10 ,  H01L31/12 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22 ,  H10K30/60 ,  H10K50/00 ,  H10K59/00

Abstract: 提供一种高清晰的显示装置。提供一种具有高显示品质的显示装置。该显示装置包括：第一绝缘层上的第一发光元件及第二发光元件；第二绝缘层；以及第三绝缘层。第一发光元件包括第一像素电极及第一有机层。第二发光元件包括第二像素电极及第二有机层。第一绝缘层包括从平面看时沿第一像素电极的边设置的槽状区域。槽状区域包括与第一像素电极重叠的第一区域及与第二像素电极重叠的第二区域。第一区域及第二区域的宽度为20nm以上且500nm以下。第二绝缘层包括与第一有机层的顶面接触的区域、与第一有机层的侧面接触的区域及位于第一像素电极的下方的区域。第三绝缘层包括与第二有机层的顶面接触的区域、与第二有机层的侧面接触的区域以及位于第二像素电极的下方的区域。

公开(公告)号：CN118265398A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311775614.2

申请日：2023-12-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中泽安孝 ,  后藤尚人 ,  冈崎健一 ,  大出贵之

IPC: H10K71/00 ,  H10K59/121 ,  H10K59/126 ,  H10K59/131

Abstract: 提供一种方便性、实用性或可靠性良好的新颖显示装置的制造方法。另外，提供一种显示装置、显示模块、电子设备。在第2步骤中在第一电极及第二电极上形成第一膜，在第3步骤中在第一膜上形成第二膜，在第4步骤中通过CVD法在第二膜上形成第三膜，在第5步骤中通过蚀刻法从第二电极上去除第三膜的一部分，来形成与第一电极重叠的第一层。并且，在第6步骤中利用第一层通过蚀刻法从第二电极上去除第二膜的一部分及第一膜的一部分，来形成与第一电极重叠的第二层及第一单元。

公开(公告)号：CN118235541A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202280074888.6

申请日：2022-11-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 片山雅博 ,  后藤尚人 ,  冈崎健一

IPC: H10K59/122 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786 ,  H10K50/19 ,  H10K50/813 ,  H10K50/826 ,  H10K59/124 ,  H10K59/38

Abstract: 提供一种串扰的发生得到抑制的显示装置。该显示装置包括具有第一区域及比第一区域其顶面位置低的第二区域的第一绝缘层、具有与第一区域上重叠的区域的第二绝缘层、隔着第二绝缘层具有与第一区域上重叠的区域的发光器件、具有与第二区域上重叠的区域的叠层体、具有与叠层体上重叠的区域的第三绝缘层，第二绝缘层具有与第二区域重叠的突出部，发光器件至少包括发光层、发光层上的第一上部电极及第一上部电极上的第二上部电极，第二上部电极具有与第三绝缘层上重叠的区域，叠层体包含与发光层相同的材料。