公开(公告)号：CN118284923A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202280077713.0

申请日：2022-11-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 岛行德 ,  冈崎健一 ,  中田昌孝 ,  中泽安孝 ,  后藤尚人 ,  江口早纪 ,  片庭佐智子

IPC: G09F9/30 ,  G09F9/00 ,  H01L31/10 ,  H01L31/12 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22 ,  H10K30/60 ,  H10K50/00 ,  H10K59/00

Abstract: 提供一种高清晰的显示装置。提供一种具有高显示品质的显示装置。该显示装置包括：第一绝缘层上的第一发光元件及第二发光元件；第二绝缘层；以及第三绝缘层。第一发光元件包括第一像素电极及第一有机层。第二发光元件包括第二像素电极及第二有机层。第一绝缘层包括从平面看时沿第一像素电极的边设置的槽状区域。槽状区域包括与第一像素电极重叠的第一区域及与第二像素电极重叠的第二区域。第一区域及第二区域的宽度为20nm以上且500nm以下。第二绝缘层包括与第一有机层的顶面接触的区域、与第一有机层的侧面接触的区域及位于第一像素电极的下方的区域。第三绝缘层包括与第二有机层的顶面接触的区域、与第二有机层的侧面接触的区域以及位于第二像素电极的下方的区域。