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公开(公告)号：CN114862674A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210405248.0
申请日：2018-08-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供一种提高第一图像数据的分辨率而生成高分辨率的图像数据的图像处理方法，包括如下步骤：通过降低第一图像数据的分辨率，生成第二图像数据的第一步骤；通过对神经网络输入第二图像数据，生成其分辨率比第二图像数据高的第三图像数据的第二步骤；通过对第一图像数据和第三图像数据进行比较，算出第三图像数据的相对于第一图像数据的误差的第三步骤；以及根据该误差对神经网络的权重系数进行修正的第四步骤，在进行第二至第四步骤指定次数之后，通过对神经网络输入第一图像数据，生成高分辨率的图像数据。
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公开(公告)号：CN111034183B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201880056345.5
申请日：2018-08-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种不使用大量学习数据而进行上转换的半导体装置。一种提高第一图像数据的分辨率而生成高分辨率的图像数据的半导体装置。包括如下步骤：通过降低第一图像数据的分辨率，生成第二图像数据的第一步骤；通过对神经网络输入第二图像数据，生成其分辨率比第二图像数据高的第三图像数据的第二步骤；通过对第一图像数据和第三图像数据进行比较，算出第三图像数据的相对于第一图像数据的误差的第三步骤；以及根据该误差对神经网络的权重系数进行修正的第四步骤，在进行第二至第四步骤指定次数之后，通过对神经网络输入第一图像数据，生成高分辨率的图像数据。
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公开(公告)号：CN108780617B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201780014086.5
申请日：2017-03-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种高成品率的显示装置及/或相邻像素之间的混色得到抑制的显示装置。一种显示装置，包括第一像素电极、第二像素电极、第一绝缘层、第二绝缘层以及粘合层。第一绝缘层具有第一开口，第二绝缘层具有第二开口，第一开口及第二开口形成在第一像素电极与第二像素电极之间，在俯视图中第二开口的外周位于比第一开口的外周更靠内侧的位置，并且粘合层具有在第二绝缘层下与第二绝缘层重叠的区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112805764A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201980065650.5
申请日：2019-10-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G08G1/16 , B60R11/02 , B60R16/02 , G01S3/808 , H01L21/8234 , H01L21/8242 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/108 , H01L29/786 , H04R3/00
Abstract: 提供一种新颖结构的车辆警报装置(200)。车辆警报装置(200)包括声源检测装置(110)，声源检测装置(110)包括多个麦克风(116)及延时电路(117)。作为构成延时电路(117)中的信号保持电路(22)的晶体管，使用包含氧化物半导体的晶体管(OS晶体管)。通过声源检测装置(110)取得外来声音，指定外来声音的声源位置。当根据指定位置的声源与车辆的相对速度等被判断为该声源撞上车辆的可能性高且危险性高时，输出用来引起乘员注意的音频信号。
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公开(公告)号：CN108780617A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780014086.5
申请日：2017-03-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3258 , H01L51/5253 , H01L2251/301 , H01L2251/5338
Abstract: 提供一种高成品率的显示装置及/或相邻像素之间的混色得到抑制的显示装置。一种显示装置，包括第一像素电极、第二像素电极、第一绝缘层、第二绝缘层以及粘合层。第一绝缘层具有第一开口，第二绝缘层具有第二开口，第一开口及第二开口形成在第一像素电极与第二像素电极之间，在俯视图中第二开口的外周位于比第一开口的外周更靠内侧的位置，并且粘合层具有在第二绝缘层下与第二绝缘层重叠的区域。
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公开(公告)号：CN110870299B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN201880045604.4
申请日：2018-07-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H04N5/3745 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/146 , H04N5/225
Abstract: 提供一种能够进行图像处理的摄像装置。该摄像装置包括光电转换元件、第一晶体管、第二晶体管以及反相器电路，其中，光电转换元件的一个电极与第一晶体管的源极和漏极中的一个电连接，第一晶体管的源极和漏极中的另一个与第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接，第二晶体管的源极和漏极中的一个与反相器电路的输入端子电连接，将通过光电转换获取的数据转换为二值并将其输出。
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公开(公告)号：CN111034183A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880056345.5
申请日：2018-08-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种不使用大量学习数据而进行上转换的半导体装置。一种提高第一图像数据的分辨率而生成高分辨率的图像数据的半导体装置。包括如下步骤：通过降低第一图像数据的分辨率，生成第二图像数据的第一步骤；通过对神经网络输入第二图像数据，生成其分辨率比第二图像数据高的第三图像数据的第二步骤；通过对第一图像数据和第三图像数据进行比较，算出第三图像数据的相对于第一图像数据的误差的第三步骤；以及根据该误差对神经网络的权重系数进行修正的第四步骤，在进行第二至第四步骤指定次数之后，通过对神经网络输入第一图像数据，生成高分辨率的图像数据。
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公开(公告)号：CN110870299A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201880045604.4
申请日：2018-07-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H04N5/3745 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/146 , H04N5/225
Abstract: 提供一种能够进行图像处理的摄像装置。该摄像装置包括光电转换元件、第一晶体管、第二晶体管以及反相器电路，其中，光电转换元件的一个电极与第一晶体管的源极和漏极中的一个电连接，第一晶体管的源极和漏极中的另一个与第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接，第二晶体管的源极和漏极中的一个与反相器电路的输入端子电连接，将通过光电转换获取的数据转换为二值并将其输出。
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