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公开(公告)号：CN104538288A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410752136.8
申请日：2014-12-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: H01L21/04 , B82Y40/00 , H01L21/67011
Abstract: 本发明公开了一种直接生长原子尺度二维半导体异质结的装置及方法。所述装置包括气氛调节装置、快速切换装置、石英管、加热装置和真空调节装置，石英管的中段位于加热装置内部，石英管的左右两端设置有快速切换装置，所述快速切换装置包括切换杆、后端盖、前端盖、第一套筒、第二套筒、第一耐高温O型圈、第二耐高温O型圈和石英构件。该装置具有有效、快速、结构简单的优点，利用该反应装置可以直接在基底表面生长原子尺度的二维半导体异质结。这种装置不仅可以用来生长异质结，也可以在一次反应中生长两种或两种以上的单一物质，从而缩短了材料生长的时间、降低了生长成本、提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN102664218B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201210171108.8
申请日：2012-05-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种基于二维功能材料制备柔性光探测器的方法，本发明涉及光探测器的制备方法。本发明是要解决现有的现有的柔性光探测器的光刻工艺技术成本高且难以实现批量化生产的技术问题。方法：制备半导体材料单晶硒化镓或单晶硫化镓；二、用思高胶带在半导体材料表面粘贴-剥离；三、将二维结构半导体材料转移至基底上；四、将铜制掩膜覆到经步骤三处理的基底上，沉积金层和铬层；再去掉掩膜退火处理；五、利用半导体测试仪，筛选出步骤四得到的光探测器半成品中对紫外光有光电响应的电极对，即得到基于二维功能材料制备柔性光探测器。该光探测器紫外光响应度高达100AW-1以上。可作为微电子器件、光敏器件用于信息传输和储存领域。
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公开(公告)号：CN102324279B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110205508.1
申请日：2011-07-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于纳米软印刷技术制备石墨烯导电薄膜的方法，它涉及石墨烯导电薄膜的制备领域。本发明要解决现有制备石墨烯导电薄膜技术存在成本高，且制备的石墨烯导电薄膜厚度不能达到纳米级、形状和尺寸难以控制和不利于微纳米级半导体器件集成的问题。本发明的操作步骤如下：一、制备氧化石墨烯；二、制备氧化石墨烯薄膜；三、还原改性。本发明主要用于制备石墨烯导电薄膜。
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公开(公告)号：CN102674335A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210164314.6
申请日：2012-05-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 一种基于自由基反应低温制备石墨烯的方法，涉及一种石墨烯薄膜的制备方法。为了解决现有化学气相沉积技术制备石墨烯存在反应温度高、成本高、产率低、耗时长、要求实验条件苛刻的问题，本发明的操作步骤如下：一、选择合适的碳源；二、处理催化基底表面；三、制备石墨烯薄膜；四、转移石墨烯至所需基底。本发明将固体碳源引入化学气相沉积法(CVD)技术制备石墨烯薄膜的过程中，以碳源为碳源，在铜基底上制备出单层均一的石墨烯薄膜。该方法改进了化学气相沉积法(CVD)制备石墨烯技术，提高了制备的石墨烯薄膜的产率与质量。
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公开(公告)号：CN115948798B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202211424792.6
申请日：2022-11-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种晶圆级单晶石墨烯异质结及其直接生长方法，属于二维材料异质结制备技术领域。本发明解决了现有晶圆级单晶石墨烯/六方氮化硼/石墨烯异质结薄膜制备困难的问题。本发明采用化学气相沉积法，在单晶金属催化剂表面，先生长六方氮化硼，然后在其上表面和下表面分别生长石墨烯，形成单晶石墨烯/六方氮化硼/石墨烯异质结薄膜，且生长的六方氮化硼和石墨烯均为单晶结构，且层数从单层到多层均可以控制，石墨烯异质结尺寸由金属催化剂的尺寸决定，可达晶圆级。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119533751A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411710150.1
申请日：2024-11-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01L9/08 , H10N30/30 , H10N30/85 , H10N30/082 , H10N30/081 , H10N30/06 , H10N30/80 , H10N30/87
Abstract: 本发明公开了一种基于In2Se3/InSe垂直异质结的压电型气压传感器及其制备方法与应用，属于传感仪器构建技术领域。本发明以In2Se3/InSe垂直异质结薄膜作为气压敏感层制备了压电型气压传感器，气压带来的应力变化将改变In2Se3/InSe垂直异质结的能带结构，从而产生压电电压。这一变化可以通过电荷放大器检测其电压变化来进行监测，从而实现对微小气压变化的高灵敏度响应。本发明的压电型气压传感器体积小、灵敏度高，为高精度气压检测提供了一种简单、灵敏且稳定的设备及检测方法。
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公开(公告)号：CN114720026B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202210348121.X
申请日：2022-03-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种基于梯度复合一体化结构的宽线性响应范围的力触觉传感器及其制备方法。本发明传感器由两个柔性衬底/电极分别层压至梯度复合一体化结构复合导电薄膜的上、下方构成。该传感器通过接触电阻响应机制增强导电通路响应机制的方式有效解决了目前触觉传感器无法在大响应范围内保持高灵敏度和线性的问题，实现了宽响应范围、高灵敏度及线性触觉传感器的制备。该传感器的发明将有效解决现阶段智能机器人无法实现多场景精准感知及电路复杂的问题，为实现轻型化、便利化人工智能设备提供有利条件。
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公开(公告)号：CN117597010B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202311373036.X
申请日：2023-10-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H10N30/87 , H10N30/853 , H10N30/097 , G01D5/48
Abstract: 本发明提出了一种超声驱动液态金属作为导电材料的柔性超声传感器制备方法，首先使用超声泵入的方式在预埋铜线的流入道内泵入液态金属；在真空氛围中，通过装夹装置使得经过氧气等离子体处理的封装薄膜缓慢降落于之前得到的材料；再将得到的材料和液态金属电极底板夹住压电有机聚合物，并通过定位板使得压电有机聚合物位于中心位置，再将柔性封装层于真空氛围下粘贴在整体器件下方；最后在缓慢升温后使用600‑720瓦的功率超声对上下两层液态金属电极完成烧结，以确保其电气连通性，完成柔性超声传感器的制备。
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公开(公告)号：CN118332873A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410592120.9
申请日：2024-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/23 , G16C20/30 , G06F119/14
Abstract: 本发明涉及半导体集成电路制造领域，更具体的说是一种应力作用下的异质结隧穿电流模拟研究方法，步骤S1：基于COMSOL仿真软件建立异质结薄膜复杂应力状态下的模型，仿真获取异质结薄膜内应力、应变信息；步骤S2：在Materials Studio软件中建立隧穿异质结多层晶体模型，调用CASTEP模块基于第一性原理对晶体模型进行几何优化；步骤S3：将COMSOL仿真软件获取的异质结薄膜内应力分布信息带入CASTEP模块中进行能带结构计算；步骤S4：获得隧穿势垒高度的数值大小，从而获取隧穿电流的改变。本发明将多种模拟计算方法结合，依次进行宏观力学分析和微观电子状态分析，解决了在复杂宏观应力状态下，现有方法无法实现异质结隧穿电流跨尺度模拟研究的技术难题。
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公开(公告)号：CN118067804A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410157025.6
申请日：2024-02-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种适用于低温无氧环境下的二氧化氮传感器，属于特殊环境下痕量气体检测技术领域。本发明解决了现有二氧化氮传感器无法针对低温无氧环境下痕量二氧化氮气体高精度检测的问题。本发明提供的二氧化氮传感器包括底栅极、介电层和电极，介电层位于底栅极上且表面修饰有敏感材料，电极印刷在介电层上，敏感材料为IV‑VI族二维半导体化合物。利用敏感材料与其吸附的二氧化氮分子具有的相对能带位置差异，形成电荷掺杂，从而发生电荷转移改变敏感材料的电导率，该过程不依赖氧气的存在，且环境对该过程影响较小，可以应用于特殊环境下，如月壤挥发组分探测，土壤微生物反硝化过程研究，海洋生态系统研究等场景中的二氧化氮检测。
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