公开(公告)号：CN102664218A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201210171108.8

申请日：2012-05-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 胡平安 ,  文振忠 ,  张荣福 ,  曹文武 ,  杨彬 ,  张甲 ,  王晓娜 ,  王立峰 ,  李晓超 ,  李俊杰

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种基于二维功能材料制备柔性光探测器的方法，本发明涉及光探测器的制备方法。本发明是要解决现有的现有的柔性光探测器的光刻工艺技术成本高且难以实现批量化生产的技术问题。方法：一、制备半导体材料单晶硒化镓或单晶硫化镓；二、用思高胶带在半导体材料表面粘贴-剥离；三、将二维结构半导体材料转移至基底上；四、将铜制掩膜覆到经步骤三处理的基底上，沉积金层和铬层；再去掉掩膜退火处理；五、利用半导体测试仪，筛选出步骤四得到的光探测器半成品中对紫外光有光电响应的电极对，即得到基于二维功能材料制备柔性光探测器。该光探测器紫外光响应度高达100AW-1以上。可作为微电子器件、光敏器件用于信息传输和储存领域。

公开(公告)号：CN102680527A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210161361.5

申请日：2012-05-23

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 胡平安 ,  张荣福 ,  文振忠 ,  张甲 ,  王小娜 ,  王立锋 ,  李俊杰 ,  李晓超

IPC: G01N27/00

Abstract: 一种基于纳米软印刷技术批量制备石墨烯气体传感器的方法，属于石墨烯传感器的制备领域。为了解决现有技术制备的石墨烯传感器制备技术存在石墨烯形状与尺寸难以控制、制成的石墨烯传感器性能不一致，且不利于微纳米级石墨烯传感器集成的问题，本发明的操作步骤如下：一、石墨烯薄膜的制备；二、制备规则形状的石墨烯（包括还原氧化石墨烯和CVD石墨烯两种不同方法制备的石墨烯）；三、石墨烯的改性；四、批量石墨烯气体传感器的制备。本发明主要用于批量制备石墨烯气体传感器。该方法充分发挥了纳米软光刻技术与二维材料石墨烯的二者的优点，并且制备出的带状石墨烯传感器具有相同的性质，这为石墨烯做传感器的广泛应用与工业化奠定了基础。

公开(公告)号：CN102664218B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201210171108.8

申请日：2012-05-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 胡平安 ,  文振忠 ,  张荣福 ,  曹文武 ,  杨彬 ,  张甲 ,  王晓娜 ,  王立峰 ,  李晓超 ,  李俊杰

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种基于二维功能材料制备柔性光探测器的方法，本发明涉及光探测器的制备方法。本发明是要解决现有的现有的柔性光探测器的光刻工艺技术成本高且难以实现批量化生产的技术问题。方法：制备半导体材料单晶硒化镓或单晶硫化镓；二、用思高胶带在半导体材料表面粘贴-剥离；三、将二维结构半导体材料转移至基底上；四、将铜制掩膜覆到经步骤三处理的基底上，沉积金层和铬层；再去掉掩膜退火处理；五、利用半导体测试仪，筛选出步骤四得到的光探测器半成品中对紫外光有光电响应的电极对，即得到基于二维功能材料制备柔性光探测器。该光探测器紫外光响应度高达100AW-1以上。可作为微电子器件、光敏器件用于信息传输和储存领域。

公开(公告)号：CN102674335A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210164314.6

申请日：2012-05-24

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 胡平安 ,  李俊杰 ,  张荣福 ,  王晓娜 ,  李晓超 ,  王立峰 ,  张甲 ,  文振忠

IPC: C01B31/04

Abstract: 一种基于自由基反应低温制备石墨烯的方法，涉及一种石墨烯薄膜的制备方法。为了解决现有化学气相沉积技术制备石墨烯存在反应温度高、成本高、产率低、耗时长、要求实验条件苛刻的问题，本发明的操作步骤如下：一、选择合适的碳源；二、处理催化基底表面；三、制备石墨烯薄膜；四、转移石墨烯至所需基底。本发明将固体碳源引入化学气相沉积法(CVD)技术制备石墨烯薄膜的过程中，以碳源为碳源，在铜基底上制备出单层均一的石墨烯薄膜。该方法改进了化学气相沉积法(CVD)制备石墨烯技术，提高了制备的石墨烯薄膜的产率与质量。

公开(公告)号：CN102680527B

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201210161361.5

申请日：2012-05-23

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 胡平安 ,  张荣福 ,  文振忠 ,  张甲 ,  王小娜 ,  王立锋 ,  李俊杰 ,  李晓超

IPC: G01N27/00

Abstract: 一种基于纳米软印刷技术批量制备石墨烯气体传感器的方法，属于石墨烯传感器的制备领域。为了解决现有技术制备的石墨烯传感器制备技术存在石墨烯形状与尺寸难以控制、制成的石墨烯传感器性能不一致，且不利于微纳米级石墨烯传感器集成的问题，本发明的操作步骤如下：一、石墨烯薄膜的制备；二、制备规则形状的石墨烯（包括还原氧化石墨烯和CVD石墨烯两种不同方法制备的石墨烯）；三、石墨烯的改性；四、批量石墨烯气体传感器的制备。本发明主要用于批量制备石墨烯气体传感器。该方法充分发挥了纳米软光刻技术与二维材料石墨烯的二者的优点，并且制备出的带状石墨烯传感器具有相同的性质，这为石墨烯做传感器的广泛应用与工业化奠定了基础。