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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104538288A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410752136.8
申请日：2014-12-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: H01L21/04 , B82Y40/00 , H01L21/67011
Abstract: 本发明公开了一种直接生长原子尺度二维半导体异质结的装置及方法。所述装置包括气氛调节装置、快速切换装置、石英管、加热装置和真空调节装置，石英管的中段位于加热装置内部，石英管的左右两端设置有快速切换装置，所述快速切换装置包括切换杆、后端盖、前端盖、第一套筒、第二套筒、第一耐高温O型圈、第二耐高温O型圈和石英构件。该装置具有有效、快速、结构简单的优点，利用该反应装置可以直接在基底表面生长原子尺度的二维半导体异质结。这种装置不仅可以用来生长异质结，也可以在一次反应中生长两种或两种以上的单一物质，从而缩短了材料生长的时间、降低了生长成本、提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN107376948A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710704646.1
申请日：2017-08-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B01J27/057 , C25B1/04 , C25B11/06
CPC classification number: Y02E60/366 , B01J27/0573 , C25B1/04 , C25B11/04
Abstract: 本发明提供了一种二维硒化钼功能材料电解水制氢催化剂的制备方法，属于电催化材料的制备方法技术领域。一、制备直径为430纳米的单分散二氧化硅实心球；二、将制备得到的二氧化硅小球有规则的组装排列在空气和水的界面上，单分散二氧化硅小球水-乙醇悬浮液滴加到悬浮在去离子水面上的玻璃片上，单分散二氧化硅小球沿着玻璃片边沿逐渐在水面上有规则的进行排成形成单层阵列，最后二氧化硅小球有序结构阵列被二氧化硅/硅基底接取，反复上述操作；三、采用化学气相沉积技术生长二硒化钼/二氧化硅壳核复合材料有序结构阵列；四、去除内部的二氧化硅模板得到二硒化钼功能材料分等级空心球有序结构阵列。
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公开(公告)号：CN107376948B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201710704646.1
申请日：2017-08-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B01J27/057 , C25B1/04 , C25B11/06
CPC classification number: Y02E60/366
Abstract: 本发明提供了一种二维硒化钼功能材料电解水制氢催化剂的制备方法，属于电催化材料的制备方法技术领域。一、制备直径为430纳米的单分散二氧化硅实心球；二、将制备得到的二氧化硅小球有规则的组装排列在空气和水的界面上，单分散二氧化硅小球水‑乙醇悬浮液滴加到悬浮在去离子水面上的玻璃片上，单分散二氧化硅小球沿着玻璃片边沿逐渐在水面上有规则的进行排成形成单层阵列，最后二氧化硅小球有序结构阵列被二氧化硅/硅基底接取，反复上述操作；三、采用化学气相沉积技术生长二硒化钼/二氧化硅壳核复合材料有序结构阵列；四、去除内部的二氧化硅模板得到二硒化钼功能材料分等级空心球有序结构阵列。
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公开(公告)号：CN107123703A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710479082.6
申请日：2017-06-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/09
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/035209 , H01L31/035227 , H01L31/09
Abstract: 本发明公开了基于独立式二硫化锡纳米片的垂直光电探测器的制备方法，它涉及光电探测器技术领域；它的制备方法为：步骤一：在导电衬底上制备出独立式垂直排列的二硫化锡纳米片；步骤二：旋涂一层透明绝缘层后烘干以将二硫化锡纳米片封装起来；步骤三：用等离子刻蚀工艺将部分透明绝缘层刻蚀掉，重新暴露出部分二硫化锡纳米片；步骤四：蒸镀一层透明金属电极，完成器件；本发明的制备工艺实施简单，避免了繁琐而复杂的光刻技术的使用；相比传统的平行结构的光电探测器，独立式二硫化锡纳米片为基础的垂直电探测器避免了基底造成的散射与掺杂，增加了光吸收，从而提高了其光电探测性能。
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公开(公告)号：CN104538288B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201410752136.8
申请日：2014-12-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种直接生长原子尺度二维半导体异质结的装置及方法。所述装置包括气氛调节装置、快速切换装置、石英管、加热装置和真空调节装置，石英管的中段位于加热装置内部，石英管的左右两端设置有快速切换装置，所述快速切换装置包括切换杆、后端盖、前端盖、第一套筒、第二套筒、第一耐高温O型圈、第二耐高温O型圈和石英构件。该装置具有有效、快速、结构简单的优点，利用该反应装置可以直接在基底表面生长原子尺度的二维半导体异质结。这种装置不仅可以用来生长异质结，也可以在一次反应中生长两种或两种以上的单一物质，从而缩短了材料生长的时间、降低了生长成本、提高了生产效率。
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