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公开(公告)号：CN112157371A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202011006926.3
申请日：2020-09-23
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明提供了一种亚微米Cu@Ag焊膏及其制备方法，该制备方法包括：制备亚微米Cu颗粒，所述亚微米Cu颗粒的粒径为100 nm~5000 nm；使用所制备的亚微米Cu颗粒通过“包覆‑增厚”两步法制备Cu@Ag颗粒，通过离心、清洗、烘干获得亚微米Cu@Ag颗粒；在制备Cu@Ag颗粒时，调节溶液的pH值为1~4；制备有机载体；将亚微米Cu@Ag颗粒与有机载体搅拌混合均匀，获得亚微米Cu@Ag焊膏，亚微米Cu@Ag焊膏的固含量为50~95%。采用本发明的技术方案，能满足耐高温、高抗电迁移等要求，实现在较低温度下实现烧结；并具有良好的抗氧化性和分散性，同时解决了纯纳米焊膏在烧结过程中的收缩裂纹问题。
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公开(公告)号：CN108365084A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810067410.6
申请日：2018-01-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L41/113 , H01L41/18 , H01L41/33
Abstract: 本发明提供了一种基于单晶二维压电材料的自驱动压力传感器及制备方法，属于传感器技术领域。本发明中金电极直接接触二维压电材料纳米片，聚二甲基硅氧烷柔性衬底提供支撑，银浆用于连接金电极和导线，导线作为外电路测试时的电极。制备方法为：在云母上制备出少层的单晶二维压电材料纳米片；利用聚合物辅助的方法将单晶二维压电材料纳米片转移到柔性衬底上；用碳纤维作为掩模板，利用热蒸发镀膜技术蒸镀金电极；利用银浆和导线引出电极以供测试，完成器件制备。本发明的制备工艺实施简单，避免了使用繁琐复杂的光刻技术；所制备的压电传感器具有柔性，可穿戴，高灵敏度，高稳定性的特点，在监测人体生理信号(脉搏和呼吸)时表现出优异的性能。
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公开(公告)号：CN107123703A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710479082.6
申请日：2017-06-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/09
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/035209 , H01L31/035227 , H01L31/09
Abstract: 本发明公开了基于独立式二硫化锡纳米片的垂直光电探测器的制备方法，它涉及光电探测器技术领域；它的制备方法为：步骤一：在导电衬底上制备出独立式垂直排列的二硫化锡纳米片；步骤二：旋涂一层透明绝缘层后烘干以将二硫化锡纳米片封装起来；步骤三：用等离子刻蚀工艺将部分透明绝缘层刻蚀掉，重新暴露出部分二硫化锡纳米片；步骤四：蒸镀一层透明金属电极，完成器件；本发明的制备工艺实施简单，避免了繁琐而复杂的光刻技术的使用；相比传统的平行结构的光电探测器，独立式二硫化锡纳米片为基础的垂直电探测器避免了基底造成的散射与掺杂，增加了光吸收，从而提高了其光电探测性能。
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公开(公告)号：CN104538288B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201410752136.8
申请日：2014-12-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种直接生长原子尺度二维半导体异质结的装置及方法。所述装置包括气氛调节装置、快速切换装置、石英管、加热装置和真空调节装置，石英管的中段位于加热装置内部，石英管的左右两端设置有快速切换装置，所述快速切换装置包括切换杆、后端盖、前端盖、第一套筒、第二套筒、第一耐高温O型圈、第二耐高温O型圈和石英构件。该装置具有有效、快速、结构简单的优点，利用该反应装置可以直接在基底表面生长原子尺度的二维半导体异质结。这种装置不仅可以用来生长异质结，也可以在一次反应中生长两种或两种以上的单一物质，从而缩短了材料生长的时间、降低了生长成本、提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN108549787B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201810768560.X
申请日：2018-07-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提出了一种基于运动脉动球的火箭液体大幅晃动模型建立方法，属于动力学建模技术领域。所述方法基于运动脉动球模型的等效，利用Newton‑Euler法和功能关系，建立出可以得到储箱受力、液体运动和火箭姿态运动的等效微分方程，达到精确预示液体火箭的力学环境的目的。本方法充分考虑了火箭大角度快速调姿情况下储箱内液体大幅非线性晃动，并考虑液体表面张力以及液体毛细力的影响，提高了模型的精度，能有效解决传统的球摆或弹簧质量等线性等效力学模型无法适用于液体大幅晃动对火箭干扰的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112756841A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011557714.4
申请日：2020-12-25
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: B23K35/02 , B23K35/30 , B23K35/362
Abstract: 本发明提供了一种用于低温烧结互连的微纳米复合银铜合金焊膏及制备方法，制备方法包括：将一定配比的有机溶剂、增稠剂、分散剂、偶联剂和消泡剂混合均匀作为微纳米复合银铜合金焊膏的有机载体；然后将化学还原法制得的纳米银铜合金和微米银颗粒与一定量的有机载体混合均匀，即得。本发明采用固溶体合金的原理，将铜原子掺杂在银相中，获得具有单一相的银铜合金颗粒；解决了铜的氧化问题，同时铜原子的掺杂降低了原子的扩散速率，并解决了纯纳米焊膏在烧结过程中产生大量体积收缩的问题，同时有利于降低成本、提高产量，适用于大批量生产。此发明可代替传统Sn基钎料和纯纳米Ag膏用于第三代半导体的低温连接，且具有更高的可靠性。
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公开(公告)号：CN107246929A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201710403948.5
申请日：2017-06-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了二维硒化铟力学传感器的制备及其应用。属于超灵敏力学传感器领域。本发明要解决现有单独石墨烯大面积薄膜的力学传感器应变系数值小的技术问题。本发明通过机械剥离法制备了二维InSe纳米片；通过模板法制备了二维硒化铟力学传感器，当对力学传感器施加非轴向力时电流变化较大，表现出显著的压阻效应，应变系数高达40，远高于传统的金属薄膜(GF＝1‑5)和石墨烯(GF＝2‑4)；且具有良好的力学稳定性。本发明二维硒化铟力学传感器对人体活动具有良好的灵敏度和稳定性，在超灵敏电子皮肤领域具有很大的应用前景。
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公开(公告)号：CN104538288A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410752136.8
申请日：2014-12-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: H01L21/04 , B82Y40/00 , H01L21/67011
Abstract: 本发明公开了一种直接生长原子尺度二维半导体异质结的装置及方法。所述装置包括气氛调节装置、快速切换装置、石英管、加热装置和真空调节装置，石英管的中段位于加热装置内部，石英管的左右两端设置有快速切换装置，所述快速切换装置包括切换杆、后端盖、前端盖、第一套筒、第二套筒、第一耐高温O型圈、第二耐高温O型圈和石英构件。该装置具有有效、快速、结构简单的优点，利用该反应装置可以直接在基底表面生长原子尺度的二维半导体异质结。这种装置不仅可以用来生长异质结，也可以在一次反应中生长两种或两种以上的单一物质，从而缩短了材料生长的时间、降低了生长成本、提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN113593772B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110849428.3
申请日：2021-07-27
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: H01B13/00 , H01B1/02 , H01B1/22 , H05K1/11 , H05K1/09 , H05K3/12 , B22F9/24 , B22F1/054 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种纳米银铜固溶体及其制备方法和应用，包括以下步骤：提供前驱体溶液，所述前驱体溶液中含有银离子、铜离子和包覆剂，所述银离子与所述铜离子的摩尔比为(1.5～4)：1；提供还原溶液，所述还原溶液中含有还原剂；将所述还原溶液与所述前驱体溶液在0～5℃条件下混合进行还原反应，得到所述纳米银铜固溶体。本发明的纳米银铜固溶体很好地匹配了有机基板低温烧结工艺，同时很好地改善了银导电材料在服役过程中的电迁移问题以及铜导电材料因氧化导致导电性能差的问题。
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公开(公告)号：CN113593772A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110849428.3
申请日：2021-07-27
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明涉及一种纳米银铜固溶体及其制备方法和应用，包括以下步骤：提供前驱体溶液，所述前驱体溶液中含有银离子、铜离子和包覆剂，所述银离子与所述铜离子的摩尔比为(1.5～4)：1；提供还原溶液，所述还原溶液中含有还原剂；将所述还原溶液与所述前驱体溶液在0～5℃条件下混合进行还原反应，得到所述纳米银铜固溶体。本发明的纳米银铜固溶体很好地匹配了有机基板低温烧结工艺，同时很好地改善了银导电材料在服役过程中的电迁移问题以及铜导电材料因氧化导致导电性能差的问题。
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