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公开(公告)号：CN119364873A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411421896.0
申请日：2024-10-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及柔性光电突触器件的制备方法，更具体的说是一种具有擦除数据功能的柔性光电突触器件的制备方法。为获得结构简单、成本低并具有擦除数据功能的柔性光电突触器件。通过弯折器件使材料内部产生缺陷，诱导离化氧空位的中和，从而降低薄膜的电导率，以实现数据的擦除，为金属氧化物半导体基光电突触器件提供了一种快速擦除数据的方法；为金属‑半导体‑金属结构的金属氧化物半导体基光电突触器件擦除数据提供了一种新的解决方案。提供的柔性光电突触器件能高度相似地模拟生物突触的功能和行为，并且具有大于5比特的存储位宽，表现出优异的性能。
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公开(公告)号：CN118125420A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410157028.X
申请日：2024-02-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二硫化锡纳米花/碳量子点复合材料的二氧化氮传感器，属于气敏传感器材料制备技术领域。本发明解决了现有超低浓度二氧化氮传感器无法实现高选择性及高灵敏度检测的问题。本发明采用两步水热法将碳量子点与二硫化锡纳米花复合形成具有零维‑二维异质结的材料，该材料具有较高的比表面积，可以为二氧化氮气体分子的吸附提供足够的活性位点，并利用碳量子点提高二硫化锡的导电性，提高电子转移效率。作为敏感材料使用时，与二氧化氮气体分子接触，其表面发生吸附及相关电荷转移，吸附的气体分子充当电子受体，接收来自二硫化锡薄片的电子，实现强烈电荷掺杂，使敏感材料电阻增加，实现低浓度二氧化氮的高选择性及高灵敏度检测。
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公开(公告)号：CN117783219A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311689029.0
申请日：2023-12-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 传感器敏感模块、氨气传感器和氨气中氨分子浓度检测方法，涉及气体传感器设计理论与方法研究技术领域。为解决现有技术中，针对氨气传感器的性能提升研究遇到瓶颈，现有方案中，敏感材料的制备过程复杂，需要特殊的实验条件和设备，以及单原子催化剂的制备和修饰过程较为复杂，需要精确控制催化剂的分散度和活性位点的数量的技术问题，本发明提供的技术方案为：传感器敏感模块，所述模块包括：中央电极，和设置在所述中央电极上表面的敏感材料；所述中央电极的周围设置有加热电极，所述加热电极围绕所述中央电极设置。所述中央电极为叉指电极。可以应用于需要对氨气浓度进行精确测量的工作中。
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公开(公告)号：CN118067804A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410157025.6
申请日：2024-02-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种适用于低温无氧环境下的二氧化氮传感器，属于特殊环境下痕量气体检测技术领域。本发明解决了现有二氧化氮传感器无法针对低温无氧环境下痕量二氧化氮气体高精度检测的问题。本发明提供的二氧化氮传感器包括底栅极、介电层和电极，介电层位于底栅极上且表面修饰有敏感材料，电极印刷在介电层上，敏感材料为IV‑VI族二维半导体化合物。利用敏感材料与其吸附的二氧化氮分子具有的相对能带位置差异，形成电荷掺杂，从而发生电荷转移改变敏感材料的电导率，该过程不依赖氧气的存在，且环境对该过程影响较小，可以应用于特殊环境下，如月壤挥发组分探测，土壤微生物反硝化过程研究，海洋生态系统研究等场景中的二氧化氮检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115683440B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202211444804.1
申请日：2022-11-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01L9/00
Abstract: 本发明是一种高分辨力石墨烯异质结气压传感器。本发明涉及压力传感器设计技术领域，本发明利用石墨烯/六方氮化硼/石墨烯(G/h‑BN/G)垂直异质结薄膜作为承压隔膜，传感器衬底上具有微纳米级阵列化凹腔结构，在气压的作用下，可使G/h‑BN/G薄膜产生局域化内应力，G/h‑BN/G薄膜局域化内应力将改变垂直异质结薄膜的能带结构，使上下两层石墨烯之间的隧道电流产生变化，从而反映外部气压的变化。所述的石墨烯异质结气压传感器的原理是基于隧道效应的。所述的传石墨烯异质结气压感器隧道电流对异质结所受的内应力极度敏感，因此，可以实现传感器对气压高分辨力的检测。
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公开(公告)号：CN115683440A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211444804.1
申请日：2022-11-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01L9/00
Abstract: 本发明是一种高分辨力石墨烯异质结气压传感器。本发明涉及压力传感器设计技术领域，本发明利用石墨烯/六方氮化硼/石墨烯(G/h‑BN/G)垂直异质结薄膜作为承压隔膜，传感器衬底上具有微纳米级阵列化凹腔结构，在气压的作用下，可使G/h‑BN/G薄膜产生局域化内应力，G/h‑BN/G薄膜局域化内应力将改变垂直异质结薄膜的能带结构，使上下两层石墨烯之间的隧道电流产生变化，从而反映外部气压的变化。所述的石墨烯异质结气压传感器的原理是基于隧道效应的。所述的传石墨烯异质结气压感器隧道电流对异质结所受的内应力极度敏感，因此，可以实现传感器对气压高分辨力的检测。
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公开(公告)号：CN117783244B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202311689032.2
申请日：2023-12-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 传感器敏感模块、钌岛增强氨气传感器和氨气中氨分子检测方法，涉及气体传感技术领域。为解决现有技术中存在的，现今氨气传感器的研究中，对于提高灵敏度遇到了新的瓶颈，因为金属氧化物纳米颗粒的活性位点有限，不能充分催化氨气分子的分解的技术问题，本发明提供的技术方案为：传感器敏感模块，所述模块包括：底栅极材料层、起隔绝作用的介电层2、沟道材料层、连接所述沟道材料层的漏极材料、起隔绝用作的介电层1和设置在所述介电层表面的敏感材料层。所述底栅极材料层、起隔绝作用的介电层2、沟道材料层、起隔绝用作的介电层1和设置在所述介电层表面的敏感材料层依次紧密层叠。可以应用于医疗诊断、空气质量检测、化工厂安全预警等领域。
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公开(公告)号：CN118231510A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410386495.X
申请日：2024-04-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/101 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及光突触模拟，更具体的说是一种自驱动宽带光突触器件及其制备方法，包括绝缘衬底和位于衬底表面的窄带隙二维半导体层，所述窄带隙二维半导体层表面两侧设置有与窄带隙二维半导体层接触面积不同的两个金属电极，所述金属电极材料的功函数大于窄带隙二维半导体层材料的费米能级，使得在金属电极和窄带隙二维半导体层的界面处可以形成肖特基接触，窄带隙二维半导体层作为沟道材料，选用具有硒空位缺陷的硒氧铋化合物(Bi2O2Se)；在无须外部供电条件下，实现了从紫外光到近红外光谱的宽探测光谱范围和高响应度的光探测性能。
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公开(公告)号：CN117783244A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311689032.2
申请日：2023-12-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 传感器敏感模块、钌岛增强氨气传感器和氨气中氨分子检测方法，涉及气体传感技术领域。为解决现有技术中存在的，现今氨气传感器的研究中，对于提高灵敏度遇到了新的瓶颈，因为金属氧化物纳米颗粒的活性位点有限，不能充分催化氨气分子的分解的技术问题，本发明提供的技术方案为：传感器敏感模块，所述模块包括：底栅极材料层、起隔绝作用的介电层2、沟道材料层、连接所述沟道材料层的漏极材料、起隔绝用作的介电层1和设置在所述介电层表面的敏感材料层。所述底栅极材料层、起隔绝作用的介电层2、沟道材料层、起隔绝用作的介电层1和设置在所述介电层表面的敏感材料层依次紧密层叠。可以应用于医疗诊断、空气质量检测、化工厂安全预警等领域。
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