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公开(公告)号：CN106159086A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510683772.4
申请日：2015-10-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种具有RRAM单元的集成电路器件和相关的形成方法。在一些实施例中，集成电路器件具有设置在下部金属互连层上方的底部电极。集成电路器件还包括具有可变电阻的电阻转换层，该电阻转换层位于底部电极上，并且顶部电极位于电阻转换层上方。集成电路器件还包括自溅射间隔件，该自溅射间隔件具有：横向部分，围绕垂直位于电阻转换层与底部蚀刻停止层之间的位置处的底部电极；和垂直部分，邻接电阻转换层和顶部电极的侧壁。集成电路器件还具有顶部蚀刻停止层，该顶部蚀刻停止层位于底部蚀刻停止层上方，邻接自溅射间隔件的侧壁，并且覆盖顶部电极。
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公开(公告)号：CN106058041A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201510570350.6
申请日：2015-09-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及具有延伸的上电极的磁阻式随机存取存储器(MRAM)单元和形成方法。在一些实施例中，MRAM单元具有布置在导电下电极上方的磁隧道结(MTJ)。导电上电极布置在磁隧道结上方。导电上电极具有下部和上部。下部位于磁隧道结上面并且由包封结构横向围绕。上部布置在下部和包封结构上并且横向延伸超出导电上电极的下部。通过横向地延伸超出下部，导电上电极的上部给通孔提供了比上电极的下部将提供的更大的接合面积，从而减轻了由覆盖误差导致的通孔穿通。本发明的实施例还涉及用于工艺损伤最小化的MRAM结构。
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公开(公告)号：CN106057661A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201510582168.2
申请日：2015-09-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/1157 , H01L21/30625 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L29/40117 , H01L29/42344 , C23C16/455 , H01L27/115 , H01L27/11517
Abstract: 本发明涉及集成电路(IC)，IC包括布置在半导体衬底上方的具有一对分裂栅极闪存单元的闪存器件区。该一对分裂栅极闪存单元分别具有控制栅极(CG)，CG包括多晶硅栅极和上面的硅化物层。外围电路包括一个或多个高k金属栅极(HKMG)晶体管，外围电路布置在与闪存器件区横向偏移的位置处的半导体衬底上方。一个或多个HKMG晶体管具有金属栅电极，金属栅电极的上表面低于硅化物层的上表面。本发明也提供了制造IC的方法。本发明还涉及集成电路中的替换栅极(RPG)工艺期间减小闪存器件的多晶硅损失的结构和方法。
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公开(公告)号：CN105826166A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201510367048.0
申请日：2015-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及金属-绝缘体-金属(MIM)电容器和形成方法。在一些实施例中，MIM电容器具有布置在半导体衬底上方的电容器底部金属(CBM)电极。MIM电容器具有设置在CBM电极上方的高k电介质和布置在高k介电层上方的电容器顶部金属(CTM)电极。MIM电容器具有垂直地设置在高k介电层上方并且与CTM电极横向分隔开的伪结构。伪结构包括具有与CTM电极相同的材料的导电体。
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公开(公告)号：CN105118917A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510471097.9
申请日：2011-04-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L45/00 , H01L21/027 , H01L27/24 , G11C11/56 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1666
Abstract: 公开了一种相变化存储器单元的形成方法，包括：在具有第一介电层、第二介电层及第三介电层的第一结构上形成冠状结构；沉积第四介电层在第一结构上，第四介电层在其所覆盖的不同区域皆具有相同的厚度；移除第四介电层的一部分以形成具有第四介电层的剩余部分的第一间隙物；移除第四介电层的该部分时也移除第三介电层的一部分而形成具有第三介电层的剩余部分的第二间隙物，因而形成第二结构；在第二结构上沉积相变化层；在相变化层上沉积电极层；以及形成具有该相变化层的剩余部分的一相变化区，以及形成具有该电极层的剩余部分的一电极区。本申请的方法可以降低制造成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102683339B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201110288597.0
申请日：2011-09-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/06 , H01L21/8249 , H01L21/762
CPC classification number: H01L29/165 , H01L21/8249 , H01L29/66242 , H01L29/7378
Abstract: 一种集成电路包括布置在衬底上的双极型晶体管。该双极型晶体管包括布置在至少一个含锗层周围的基极电极。发射极电极布置在至少一个含锗层上。至少一个隔离结构布置在发射极电极和至少一个含锗层之间。至少一个隔离结构的顶面布置在发射极电极的顶面和至少一个含锗层的顶面之间并且使二者电隔离。本发明还提供了包括双极型晶体管的集成电路及其制造方法。
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公开(公告)号：CN104425715A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410322995.3
申请日：2014-07-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L45/08 , H01L45/122 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1608 , H01L45/1666 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供了一种存储结构，该存储结构包括位于导电结构上方的具有第一顶面的第一介电层。第一介电层中的第一开口暴露导电结构的区域并且具有内侧壁表面。具有第一部分和第二部分的第一电极结构位于导电结构的暴露区域上方。第二部分沿内侧壁结构向上延伸。可变电阻层设置在第一电极上方。具有第三部分和第四部分的第二电极结构位于可变电阻层上方。第三部分具有位于第一介电层的第一顶面下方的第二顶面。第四部分沿可变电阻层向上延伸。第二开口由第二电极结构限定。第二介电层的至少一部分设置在第二开口中。本发明涉及可变电阻存储器结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN104425507A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410283687.4
申请日：2014-06-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/115 , H01L29/423 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11568 , H01L21/28 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L21/76805 , H01L23/528 , H01L27/11521 , H01L29/34 , H01L29/42324 , H01L29/4234 , H01L29/4916 , H01L29/66825 , H01L29/7831 , H01L29/788 , H01L29/7881 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了闪存结构及其形成方法。提供了半导体器件结构的机制的实施例。该半导体器件结构包括衬底和设置在衬底上方的字线单元。半导体器件进一步包括设置在衬底上方并且紧邻字线单元的存储栅极和位于存储栅极的侧壁上的间隔件。间隔件和字线单元位于存储栅极的相对侧。此外，存储栅极的顶面和存储栅极的侧壁之间的夹角在约75°至约90°的范围内。
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公开(公告)号：CN104300080A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201310462757.8
申请日：2013-09-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/161 , H01L27/222 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/08
Abstract: 本发明公开了一种磁阻式随机存取存储器（MRAM）结构，包括底部电极结构。磁性隧道结（MTJ）元件位于底部电极结构上方。MTJ元件包括反铁磁材料层。铁磁固定层位于反铁磁材料层上方。隧道层位于铁磁固定层上方。铁磁自由层位于隧道层上方。铁磁自由层具有第一部分和消磁的第二部分。该MRAM结构还包括位于第一部分上方的顶部电极结构。本发明还公开了磁阻式随机存取存储器结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN103985672A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201310178003.X
申请日：2013-05-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8242
CPC classification number: H01L43/12
Abstract: 本发明实施例提供了一种形成半导体器件的方法、一种形成MRAM器件的方法以及一种形成半导体器件的方法。一个实施例是一种形成半导体器件的方法，该方法包括在第一层上方形成第二层，和对第二层实施第一蚀刻工艺以限定部件，其中第一蚀刻工艺在部件的表面上形成膜。该方法进一步包括对部件实施离子束蚀刻工艺，其中离子束蚀刻工艺从部件的表面去除膜。本发明还公开了一种从半导体器件去除膜的方法。
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