公开(公告)号：CN1381870A

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN02113080.9

申请日：2002-05-31

Applicant: 南京大学

Inventor： 张荣 ,  修向前 ,  徐剑 ,  顾书林 ,  卢佃清 ,  毕朝霞 ,  沈波 ,  刘治国 ,  江若琏 ,  施毅 ,  朱顺明 ,  韩平 ,  胡立群

IPC: H01L21/00

Abstract: 获得大面积高质量GaN自支撑衬底的方法,首先在蓝宝石衬底上横向外延获得低位错密度GaN薄膜;然后在ELO GaN薄膜上进行氢化物气相外延,获得大面积、低位错密度的GaN厚膜;采用激光扫描辐照剥离技术,将GaN厚膜从蓝宝石衬底上剥离下来,再进行表面抛光处理,就可以获得高质量GaN自支撑衬底。本发明结合了三种不同技术的优点:获得高质量的位错密度的GaN薄膜;可以快速生长大面积GaN厚膜;可以快速地无损伤的将GaN薄膜从蓝宝石衬底上分离开来。

公开(公告)号：CN115425145A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202210997279.X

申请日：2022-08-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 于天鹏 ,  殷江 ,  夏奕东 ,  刘治国

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30

Abstract: 一种提升抗疲劳特性的并五苯有机场效应晶体管，在并五苯有机场效应晶体管结构中设置有n‑型半导体层及具有浅能级陷阱的电荷俘获层；器件具有底栅型结构：栅电极/栅绝缘层/n‑型半导体薄膜/具有浅能级陷阱的电荷俘获介质层/隧穿层/并五苯/源(漏)电极；栅电极为导体，电阻率在0.1‑0.001Ω·㎝之间；栅绝缘层介质薄膜为绝缘体，厚度范围为5‑150nm；n‑型半导体薄膜层的厚度为1‑200nm；具有浅能级空穴陷阱的电荷俘获介质层，厚度为1‑100nm；隧穿层为绝缘体，厚度范围为1‑20nm；并五苯厚度范围为1‑100nm；源漏电极为导体，厚度范围为50‑200nm；栅电极为导体。

公开(公告)号：CN113793901A

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202111087618.2

申请日：2021-09-16

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘珍良 ,  于天鹏 ,  殷江 ,  夏奕东 ,  刘治国

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/30

Abstract: 本发明公开了一种基于聚合物掺杂N‑型有机半导体的并五苯有机场效应晶体管，用N‑型有机半导体与聚合物介质混合形成的薄膜替代原本单一的聚合物介质薄膜，通过混合物中N‑型有机半导体在界面处产生的感生电子降低并五苯/聚合物介质界面处的空穴势垒高度，有效降低并五苯有机场效应晶体管器件的写入/擦除工作电压；并且通过调节混合物中N‑型有机半导体的比例将并五苯/聚合物介质界面处的空穴势垒高度调节至合理范围，使并五苯有机场效应晶体管器件具有较低的工作电压，较快的写入/擦除速度，良好的写入/擦除可靠性及数据保持能力，从而提升并五苯有机场效应晶体管器件的工作性能。

公开(公告)号：CN103426920B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201310392148.X

申请日：2013-09-02

Applicant: 南京大学

Inventor： 卢伟 ,  徐波 ,  夏奕东 ,  殷江 ,  刘治国

IPC: H01L29/51 ,  H01L27/115

Abstract: 一种非易失性电荷俘获型存储器件中的电荷存储材料，所述存储材料为混合氧化物材料，(CuO)x(Al2O3)1-x混合氧化物，x取值为0.1-0.8；所述电荷存储材料在非易失性电荷俘获型存储器件中的应用，非易失性电荷俘获型存储器件的结构为半导体基片上顺序生长隧穿层Al2O3/存储层薄膜(CuO)X(Al2O3)1-x/阻挡层Al2O3，(CuO)x(Al2O3)1-x为存储层，电荷存储材料(CuO)X(Al2O3)1-x通过退火得到的CuO纳米微晶起到存储介质材料的作用。

公开(公告)号：CN102208346B

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN201110102040.3

申请日：2011-04-22

Applicant: 南京大学

Inventor： 汤振杰 ,  夏奕东 ,  殷江 ,  刘治国

IPC: H01L21/334 ,  C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  H01L29/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/76

CPC classification number: H01L29/513 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C14/083 ,  C23C14/14 ,  C23C14/28 ,  C23C14/35 ,  C23C14/5806 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/403 ,  C23C28/042 ,  G11C16/0475 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/4234

Abstract: 本发明涉及非易失性电荷捕获型存储器件、其制备方法及应用，制备方法操作简单、易于控制，所得存储器件中作为存储介质的纳米微晶分布均匀。所述非易失性电荷捕获型存储器件的制备方法包括以下步骤：a)在衬底表面形成隧穿层；b)在隧穿层上形成组成均匀的(ZrO2)x(M)1-x薄膜作为存储层，其中1＞x＞O.5，所述M为SiO2或Al2O3；c)在存储层上形成阻挡层；d)将以上制备的试样退火，使ZrO2纳米微晶从存储层中析出作为存储介质。本发明经过高温退火处理的手段，使ZrO2纳米微晶从存储层母相中析出，从而实现纳米微晶存储的效果。这种方法所得作为存储介质的纳米微晶均匀分布在非晶母相中。

公开(公告)号：CN102231365B

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201010579216.X

申请日：2010-12-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 汤振杰 ,  刘治国 ,  殷江 ,  夏奕东 ,  李爱东

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/285 ,  H01L29/792 ,  H01L29/51

Abstract: 本发明涉及不挥发电荷存储器件的制备方法、所得不挥发电荷存储器件及其应用。所述不挥发电荷存储器件的制备方法，具体步骤如下：a)用原子层化学气相沉积方法在衬底表面沉积Al2O3，形成隧穿层；b)用原子层化学气相沉积方法在隧穿层表面沉积一层(HfO2)x(Al2O3)1-x薄膜作为存储层；c)用原子层化学气相沉积方法在(HfO2)x(Al2O3)1-x存储层表面沉积一层Al2O3作为阻挡层。不挥发电荷存储器件包含顺序连接的隧穿层、存储层和阻挡层，利用Al2O3作为存储器件的隧穿层和阻挡层，(HfO2)x(Al2O3)1-x作为器件的存储层。本发明能够很好的提高器件的写入和擦除速度，同时这种制备方法操作简单、易于控制。

公开(公告)号：CN101864592B

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201010172495.8

申请日：2010-05-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 李海涛 ,  夏奕东 ,  徐波 ,  国洪轩 ,  殷江 ,  刘治国

IPC: G11C11/22 ,  C30B23/02 ,  C30B29/30 ,  C30B33/02

Abstract: 基于铁电金属异质结的忆阻器，其中忆阻器材料铁电铌酸锂，采用脉冲激光沉积系统制备：将单晶LN靶材(4)固定在脉冲激光沉积制膜系统的靶台(5)上，放置在脉冲激光沉积制膜系统的生长室(6)中；生长室中的真空抽到0.8×10-4Pa以下，并通入氧气，氧气压25～35Pa间，将衬底温度升到600～650℃间；启动KrF准分子激光器，根据单脉冲能量，确定沉积时间，沉积厚度为30nm～200nm厚LN薄膜；原位500～650℃退火20～90min；该薄膜具有自发极化和180°畴界。将忆阻器铁电铌酸锂薄膜夹在两金属电极膜之间构成微型三明治结构忆阻器单元。该器件可应用于高密度低能耗非易失性阻变存储器。

公开(公告)号：CN101355099A

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200810157085.9

申请日：2008-09-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 高立刚 ,  国洪轩 ,  夏奕东 ,  殷江 ,  刘治国

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/285 ,  H01L21/314 ,  C23C14/28 ,  C23C14/54 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明公开了一种高介电系数栅电介质材料硅酸镧薄膜和制备方法及其应用，该薄膜的化学式为(La2O3)x(SiO2)1－x，其中x的取值范围为0.4≤x≤0.6，其制备方法是启动KrF准分子激光器(1)，使脉冲激光束通过聚焦透镜(2)将激光束聚焦在LSO陶瓷靶材(5)上，用脉冲激光剥离LSO陶瓷靶材(5)，产生的激光离子体沉积在硅衬底材料上而制得硅酸镧薄膜，其物理厚度为5nm的非晶态薄膜，具有较高的热力学稳定性，其介电常数为16.9，等效氧化物厚度为1.11nm，漏电流为21.7A/cm2，没有界面层产生，本发明的硅酸镧薄膜应用于金属－氧化物－半导体场效应管的栅电介质材料。

公开(公告)号：CN100435350C

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200610038030.7

申请日：2006-01-25

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘治国 ,  石磊

IPC: H01L29/51 ,  H01L21/283 ,  H01L21/314 ,  C23C14/22

Abstract: 本发明公开了一种高介电系数栅电介质材料铝酸钛薄膜及其制备方法，该薄膜的化学式为(TiO2)x(Al2O3)1-x，其中x的取值范围为0.1≤x≤0.3，其制备方法是启动脉冲激光器(1)，使脉冲激光束通过聚焦透镜(9)将激光束聚焦在TAO陶瓷靶材(8)上，用脉冲激光剥离TAO陶瓷靶材(8)，产生的激光离子体沉积在硅衬底材料上而制得铝酸钛薄膜，物理厚度为5nm的该非晶态薄膜，具有较高的热力学稳定性，其介电常数为17.8，等效氧化物厚度为1.25nm，漏电流为2.76×10-4A/cm2，界面层仅为1-2个原子层厚度。

公开(公告)号：CN1862827A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200610038030.7

申请日：2006-01-25

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘治国 ,  石磊

IPC: H01L29/51 ,  H01L21/283 ,  H01L21/314 ,  C23C14/22

Abstract: 本发明公开了一种高介电系数栅电介质材料铝酸钛薄膜及其制备方法，该薄膜的化学式为(TiO2)x(Al2O3)1－x，其中x的取值范围为0.1≤x≤0.3，其制备方法是启动脉冲激光器(1)，使脉冲激光束通过聚焦透镜(9)将激光束聚焦在TAO陶瓷靶材(8)上，用脉冲激光剥离TAO陶瓷靶材(8)，产生的激光离子体沉积在硅衬底材料上而制得铝酸钛薄膜，物理厚度为5nm的该非晶态薄膜，具有较高的热力学稳定性，其介电常数为17.8，等效氧化物厚度为1.25nm，漏电流为2.76×10－4A/cm2，界面层仅为1－2个原子层厚度。