公开(公告)号：CN108281378A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201810174097.6

申请日：2013-09-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  八乡昭广 ,  广村友纪 ,  松本直树 ,  中畑成二 ,  中西文毅 ,  柳泽拓弥 ,  上松康二 ,  关裕纪 ,  山本喜之 ,  善积祐介 ,  三上英则

IPC: H01L21/762 ,  B32B7/04

CPC classification number: H01L21/76251 ,  B32B7/02 ,  B32B7/04 ,  B32B7/06 ,  B32B2307/20 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/025 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24298 ,  Y10T428/24322 ,  Y10T428/24331 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种III族氮化物复合衬底、半导体器件及它们的制造方法。所述III族氮化物复合衬底具有75mm或更大的直径，包括支撑衬底以及具有10μm或更大且250μm或更小的厚度的III族氮化物膜，所述支撑衬底和所述III族氮化物膜彼此接合，所述III族氮化物膜的厚度的标准偏差st与所述III族氮化物膜的厚度的平均值mt的比值st/mt为0.001或更大且0.2或更小，并且所述III族氮化物膜的主表面和预定面取向的面之间的偏离角的绝对值的标准偏差so与所述偏离角的绝对值的平均值mo的比值so/mo为0.005或更大且0.6或更小。

公开(公告)号：CN102959141B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180032962.X

申请日：2011-05-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 广村友纪 ,  上松康二 ,  吉田浩章 ,  藤原伸介

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02389 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 提供了通过使用多个瓦片衬底生长III族氮化物晶体的方法，该III族氮化物晶体具有大尺寸并且在主表面上较少出现凹坑。生长III族氮化物晶体的方法包括以下步骤：制备多个瓦片衬底（10），每个瓦片衬底（10）具有主表面（10m），主表面（10m）具有能够平面填充的具有投影角的四边形形状或者三角形形状；执行瓦片衬底（10）的平面填充来布置瓦片衬底（10），使得在瓦片衬底（10）的顶点彼此面对的任意点处彼此面对的顶点数是3个或更少；以及在如此布置的瓦片衬底（10）的主表面（10m）上生长III族氮化物晶体（20）。

公开(公告)号：CN104641453A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201380046378.9

申请日：2013-09-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  八乡昭广 ,  广村友纪 ,  松本直树 ,  中畑成二 ,  中西文毅 ,  柳泽拓弥 ,  上松康二 ,  关裕纪 ,  山本喜之 ,  善积祐介 ,  三上英则

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76251 ,  B32B7/02 ,  B32B7/04 ,  B32B7/06 ,  B32B2307/20 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/025 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24298 ,  Y10T428/24322 ,  Y10T428/24331 ,  Y10T428/2495 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供具有低薄层电阻且以高良率制造的III族氮化物复合衬底及其制造方法，以及采用III族氮化物复合衬底制造III族氮化物半导体器件的方法。III族氮化物复合衬底(1)包括III族氮化物膜(13)以及由化学组成不同于III族氮化物膜(13)的材料形成的支撑衬底(11)。III族氮化物膜(13)以直接方式和间接方式中的一种接合至支撑衬底(11)。III族氮化物膜(13)具有10μm或更大的厚度。III族氮化物膜(13)侧的主表面(13m)的薄层电阻为200Ω/sq或更小。制造III族氮化物复合衬底(1)的方法包括以下步骤：直接或间接地将III族氮化物膜(13)和支撑衬底(11)彼此结合；以及减少彼此结合的III族氮化物膜(13)和/或支撑衬底的厚度。

公开(公告)号：CN102011191B

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201010243313.1

申请日：2010-07-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原伸介 ,  上松康二 ,  长田英树 ,  中畑成二

IPC: C30B29/40 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B25/20 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/36 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/16

Abstract: 本发明提供GaN单晶衬底、基于GaN的半导体器件及它们的制造方法。所述GaN单晶衬底具有面积为10cm2以上的主面，所述主面具有相对于(0001)面和(000-1)面中的一个面以65°～85°倾斜的面取向，所述衬底具有在所述主面中载流子浓度基本均匀分布、在所述主面中位错密度基本均匀分布和光弹性变形值不超过5×10-5中的至少一种特性，所述光弹性变形值通过在25℃环境温度下在垂直于所述主面施加光时在所述主面中任意点处的光弹性测得。因此，能够获得GaN单晶衬底，所述GaN单晶衬底适用于制造具有小的特性偏差的基于GaN的半导体器件。

公开(公告)号：CN102137961B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201080002480.5

申请日：2010-06-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上松康二 ,  长田英树 ,  中畑成二 ,  藤原伸介

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C30B25/20 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L29/045 ,  C01B21/0632 ,  C01P2002/90 ,  C01P2006/12 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种制造III族氮化物晶体的方法，在所述方法中能够在高晶体生长速率下生长具有主面的高结晶度III族氮化物晶体，所述主面的面取向不同于{0001}。本发明的制造III族氮化物晶体的方法包括：从III族氮化物块晶体1切割多个具有主面的III族氮化物晶体衬底10p和10q的步骤，所述主面10pm和10qm的面取向对于选自{20-21}、{20-2-1}、{22-41}和{22-4-1}中的晶体几何等价面取向的偏离角为五度以下；以相互邻接的方式横向布置所述衬底10p和10q使得所述衬底10p和10q的所述主面10pm和10qm相互平行且所述衬底10p和10q的各个[0001]方向相互一致的步骤；以及在所述衬底10p和10q的所述主面10pm和10qm上生长III族氮化物晶体20的步骤。

公开(公告)号：CN102959141A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180032962.X

申请日：2011-05-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 广村友纪 ,  上松康二 ,  吉田浩章 ,  藤原伸介

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02389 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 提供了通过使用多个瓦片衬底生长III族氮化物晶体的方法，该III族氮化物晶体具有大尺寸并且在主表面上较少出现凹坑。生长III族氮化物晶体的方法包括以下步骤：制备多个瓦片衬底（10），每个瓦片衬底（10）具有主表面（10m），主表面（10m）具有能够平面填充的具有投影角的四边形形状或者三角形形状；执行瓦片衬底（10）的平面填充来布置瓦片衬底（10），使得在瓦片衬底（10）的顶点彼此面对的任意点处彼此面对的顶点数是3个或更少；以及在如此布置的瓦片衬底（10）的主表面（10m）上生长III族氮化物晶体（20）。

公开(公告)号：CN1992168B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200610172517.4

申请日：2006-12-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 竺井仁 ,  冈久拓司 ,  藤田俊介 ,  松本直树 ,  井尻英幸 ,  佐藤史隆 ,  元木健作 ,  中畑成二 ,  上松康二 ,  弘田龙

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C30B25/02 ,  C30B33/00 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4488 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。

公开(公告)号：CN102099896A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200980127791.1

申请日：2009-07-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上松康二 ,  吉田浩章 ,  森下昌纪 ,  藤原伸介

IPC: H01L21/208 ,  C30B19/12 ,  C30B29/38 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/0254 ,  C30B9/00 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/16

Abstract: 本发明公开了生长GaN晶体的方法。所述方法包括以下步骤：准备具有一个主面(10m)并包含具有所述主面(10m)的GaxAlyIn1-x-yN晶体(10a)的衬底(10)；以及在800℃至1500℃的气氛温度和500至小于2,000atm的气压下使溶液(7)与所述衬底(10)的所述主面(10m)进行接触，在该状态下在所述主面(10m)上生长GaN晶体(20)，其中该溶液(7)通过使氮(5)溶解在Ga熔融体(3)中而制得。所述方法在所述准备衬底(10)的步骤之后并且在所述生长GaN晶体(20)的步骤之前还包括腐蚀所述衬底(10)的所述主面(10m)的步骤。因此，在不将原料以外的任何杂质添加到熔融体中并且不需要增加晶体生长装置尺寸的情况下，可以生长具有低位错密度和高结晶度的GaN晶体。

公开(公告)号：CN101882571A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN201010171268.3

申请日：2005-05-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中畑成二 ,  中幡英章 ,  上松康二 ,  木山诚 ,  永井阳一 ,  中村孝夫

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L33/0075 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供其尺寸适于半导体器件的III族氮化物半导体晶体及其有效的制造方法、III族氮化物半导体器件及其有效的制造方法、以及发光设备。制造III族氮化物半导体晶体的方法包括在开始衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体的步骤、在III族氮化物半导体晶体衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体层的步骤、以及从所述开始衬底分离由III族氮化物半导体晶体衬底和III族氮化物半导体晶体层所构成的III族氮化物半导体晶体的步骤，并且其特征在于所述III族氮化物半导体晶体的厚度是10μm或以上但是600μm或以下，以及宽度是0.2mm或以上但是50mm或以下。

公开(公告)号：CN1957447B

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200580016035.3

申请日：2005-05-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中畑成二 ,  中幡英章 ,  上松康二 ,  木山诚 ,  永井阳一 ,  中村孝夫

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02645 ,  H01L33/0075 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供其尺寸适于半导体器件的III族氮化物半导体晶体及其有效的制造方法、III族氮化物半导体器件及其有效的制造方法、以及发光设备。制造III族氮化物半导体晶体的方法包括在开始衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体的步骤、在III族氮化物半导体晶体衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体层的步骤、以及从所述开始衬底分离由III族氮化物半导体晶体衬底和III族氮化物半导体晶体层所构成的III族氮化物半导体晶体的步骤，并且其特征在于所述III族氮化物半导体晶体的厚度是10μm或以上但是600μm或以下，以及宽度是0.2mm或以上但是50mm或以下。