公开(公告)号：CN113410225A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202011481686.2

申请日：2020-12-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金孝燮 ,  朴素贤 ,  金大元 ,  金桐 ,  金恩娥 ,  朴哲权 ,  朴台镇 ,  李基硕 ,  韩成熙

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/108 ,  H01L43/08 ,  H01L45/00

Abstract: 公开了一种半导体存储器器件。所述器件可以包括：第一杂质区域和第二杂质区域，设置在衬底中且彼此间隔开，所述第二杂质区域具有比所述第一杂质区域高的顶表面；器件隔离图案，介于所述第一杂质区域与所述第二杂质区域之间；第一接触塞，与所述第一杂质区域接触并具有比所述第二杂质区域的顶表面低的底表面；间隙填充绝缘图案，介于所述第一接触塞与所述第二杂质区域之间；第一保护间隔物，介于所述间隙填充绝缘图案与所述第二杂质区域之间；以及第一间隔物，与所述第一接触塞的侧表面和所述器件隔离图案接触，并且介于所述第一保护间隔物与所述间隙填充绝缘图案之间。

公开(公告)号：CN112310082A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010741490.6

申请日：2020-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴台镇 ,  柳原锡 ,  金根楠 ,  金孝燮 ,  朴素贤 ,  许仁景 ,  黄有商

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/528

Abstract: 提供了一种半导体装置。该半导体装置包括：衬底；位线结构，其设置在衬底上；沟槽，其与位线结构的至少一侧相邻；存储接触结构，其设置在沟槽内，并且包括按次序堆叠的存储接触件、硅化物层和存储焊盘；以及间隔件结构，其设置在位线结构与存储接触结构之间。

公开(公告)号：CN112239860A

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN202010679035.8

申请日：2020-07-15

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 卞卿溵 ,  金亨燮 ,  朴台镇 ,  金会俊 ,  申铉振 ,  安元植 ,  M.林 ,  赵连柱

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  H01L21/02

Abstract: 一种在衬底上形成过渡金属二硫族化物薄膜的方法包括用金属有机材料处理衬底以及在衬底周围提供过渡金属前体和硫族前体以在衬底上合成过渡金属二硫族化物。过渡金属前体可以包括过渡金属元素，硫族前体可以包括硫族元素。

公开(公告)号：CN112054027A

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN202010257913.7

申请日：2020-04-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴台镇 ,  金根楠 ,  金熙中 ,  朴素贤 ,  赵在奂 ,  黄有商

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：基板；在基板上的位线结构；接触插塞结构，与位线结构相邻并且沿垂直于基板的上表面的竖直方向延伸；以及电容器，电连接到接触插塞结构。接触插塞结构包括顺序堆叠在基板上的下接触插塞、金属硅化物图案和上接触插塞。金属硅化物图案具有L形横截面。

公开(公告)号：CN109427900A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810568075.8

申请日：2018-06-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金真范 ,  朴台镇 ,  李钟旼 ,  金锡勋 ,  徐东灿 ,  柳廷昊 ,  成河圭 ,  申东石

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件和制造半导体器件的方法，该半导体器件包括：在衬底上的沟道图案，沟道图案在第一方向上延伸；在衬底上的栅极图案，栅极图案在交叉第一方向的第二方向上延伸并围绕沟道图案；以及在沟道图案与栅极图案之间的界面层，界面层形成在沟道图案的上表面和下表面中的至少一个表面上。

公开(公告)号：CN108231891A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711108354.8

申请日：2017-11-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金真范 ,  金傔 ,  金锡勋 ,  朴台镇 ,  柳廷昊 ,  李峭蒑 ,  李炫姃 ,  金善政 ,  申东石

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/45 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L29/41725 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L23/485 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7848 ,  H01L2924/0002 ,  H01L29/785 ,  H01L29/456

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其包括：衬底，所述衬底具有有源区；栅极结构，所述栅极结构设置在所述有源区上；源/漏区，所述源/漏区分别形成在所述有源区的在所述栅极结构的两侧的部分内；金属硅化物层，所述金属硅化物层设置在每个所述源/漏区的表面上；以及接触栓，所述接触栓设置在所述源/漏区上并且通过所述金属硅化物层分别电连接至所述源/漏区。所述金属硅化物层被形成为具有单晶结构。