公开(公告)号：CN117279371A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202310349415.9

申请日：2023-03-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宗赫 ,  具滋玟 ,  金范书 ,  柳原锡

IPC: H10B12/00 ,  H10B61/00 ,  H10B63/10 ,  H10N70/20 ,  H01L23/528 ,  H10N59/00 ,  H10N79/00

Abstract: 可以提供一种半导体存储器件，包括：有源图案，由器件隔离图案限定；位线，在器件隔离图案和有源图案上在第一方向上延伸；位线封盖图案，包括依次堆叠在位线的上表面上的第一封盖图案、第二封盖图案和第三封盖图案；以及屏蔽图案，覆盖位线的一侧。屏蔽图案的上表面可以在比第一封盖图案的上表面低的高度处。

公开(公告)号：CN114256157A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202110646168.X

申请日：2021-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李多仁 ,  姜玧求 ,  柳原锡 ,  马振源 ,  朴俓旭 ,  徐昌佑 ,  宋秀娟

IPC: H01L21/8242

Abstract: 公开了一种用于制造包括气隙的半导体装置的方法。所述方法包括以下步骤：将半导体基底装载到腔室中，半导体基底包括氧化硅膜；通过供应第一硅源材料在氧化硅膜上沉积种子层；在种子层上供应吹扫气体；通过重复第一循环在种子层上沉积保护层，第一循环包括供应基体源材料层和随后供应第一硅源材料；以及通过重复第二循环在保护层上沉积氮化硅膜，第二循环包括供应第二硅源材料和随后供应氮源材料。

公开(公告)号：CN119947086A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411458532.X

申请日：2024-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋秀娟 ,  具滋玟 ,  金范书 ,  金宗赫 ,  文大荣 ,  徐昌佑 ,  柳原锡 ,  郑天炯

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了包括位线的半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括第一有源区域；位线，在基底上，跨过第一有源区域；位线接触件，在位线与第一有源区域之间，并且在位线接触孔中，位线接触孔延伸到基底中；位线接触间隔件，在位线接触孔内的位线接触件的侧壁上；位线间隔件，在位线的侧壁上；抗氧化层，在位线的侧壁与位线间隔件之间以及位线接触件的侧壁与位线间隔件之间；以及掩埋接触件，在掩埋接触孔中，穿过位线接触间隔件，并且接触第一有源区域，其中，抗氧化层包括含硅材料，含硅材料包括SiOx，其中，0

公开(公告)号：CN117479531A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202310863414.6

申请日：2023-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李敏永 ,  吕晟溱 ,  柳原锡 ,  禹再珉 ,  丁璟钰 ,  郑明勋 ,  洪润基

IPC: H10B12/00

Abstract: 半导体器件可以包括在衬底上的位线结构、第一间隔物和第二间隔物。位线结构可以包括在基本上垂直于衬底的上表面的竖直方向上堆叠的导电结构和绝缘结构。第一间隔物和第二间隔物可以在位线结构的侧壁上沿水平方向堆叠。水平方向可以基本上平行于衬底的上表面。导电结构可以在其横向部分包括含氮导电部分。第一间隔物可以接触含氮导电部分。

公开(公告)号：CN114582799A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202111196041.9

申请日：2021-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 马振源 ,  郑天炯 ,  具滋玟 ,  金奎完 ,  文大荣 ,  柳原锡

IPC: H01L21/768 ,  H01L27/108

Abstract: 提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：字线，在第一方向上横跨基底延伸并且在与第一方向不同的第二方向上分隔开；位线，在字线上沿第二方向延伸并且在第一方向上分隔开；第一接触插塞，布置在位线之间，接触基底的第一有源区，具有第一宽度，并且具有第一掺杂剂浓度；以及第二接触插塞，布置在位线之间，接触基底的第二有源区，具有第二宽度，并且具有比第一掺杂剂浓度小的第二掺杂剂浓度。

公开(公告)号：CN112447588A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010320780.3

申请日：2020-04-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俓旭 ,  姜玧求 ,  柳原锡 ,  李多仁

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/535

Abstract: 提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：导线，形成在基底上；绝缘间隔件，覆盖导线的侧壁并平行于导线延伸；以及导电插塞，与导线间隔开，且绝缘间隔件位于导线与导电插塞之间。绝缘间隔件包括：绝缘衬里，接触导线；外部间隔件，接触导电插塞；以及阻挡层，位于绝缘衬里与外部间隔件之间，以防止氧原子扩散到外部间隔件中。

公开(公告)号：CN117500268A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202310960724.X

申请日：2023-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐昌佑 ,  沈玄哲 ,  李多仁 ,  宋秀娟 ,  宋定垠 ,  柳原锡

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体存储器件包括：基板，包括沟槽和接触凹陷；直接接触，设置在沟槽内部并具有比沟槽的宽度小的宽度；位线结构，设置在直接接触上并具有比沟槽的宽度小的宽度；间隔物结构，设置在直接接触的侧表面和位线结构的侧表面上；以及掩埋接触，通过间隔物结构与直接接触和位线结构间隔开并填充接触凹陷。间隔物结构包括：氧化物膜，在沟槽内部设置在直接接触和掩埋接触之间；籽晶层，设置在氧化物膜上并在沟槽内部设置在直接接触和掩埋接触之间；以及体层，在籽晶层上填充沟槽并包括硅氮化物。籽晶层包括碳。

公开(公告)号：CN116997181A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202310473453.5

申请日：2023-04-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜玧求 ,  吴相允 ,  柳原锡 ,  丁璟钰 ,  姜荷诗

IPC: H10B12/00 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件包括：有源区；有源区的侧表面上的隔离区；栅极沟槽，与有源区相交，并且延伸到隔离区中；栅极沟槽中的栅极结构；第一杂质区和第二杂质区，在栅极结构的两侧上的有源区中，并且彼此间隔开；位线结构，包括与栅极结构相交的线部和在线部下方并电连接到第一杂质区的插塞部；以及在插塞部的侧表面上的绝缘结构。绝缘结构包括：间隔物，包括第一材料；绝缘图案，在插塞部和间隔物之间，并且包括第二材料；以及绝缘衬层，覆盖绝缘图案的侧表面和底表面，并且包括第三材料。

公开(公告)号：CN112310082A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010741490.6

申请日：2020-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴台镇 ,  柳原锡 ,  金根楠 ,  金孝燮 ,  朴素贤 ,  许仁景 ,  黄有商

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/528

Abstract: 提供了一种半导体装置。该半导体装置包括：衬底；位线结构，其设置在衬底上；沟槽，其与位线结构的至少一侧相邻；存储接触结构，其设置在沟槽内，并且包括按次序堆叠的存储接触件、硅化物层和存储焊盘；以及间隔件结构，其设置在位线结构与存储接触结构之间。