公开(公告)号：CN113410235A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202110288110.2

申请日：2021-03-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许仁景 ,  金孝燮 ,  朴素贤 ,  朴台镇 ,  李承宪 ,  崔允硕 ,  韩成熙 ,  黄有商

IPC: H01L27/108

Abstract: 本申请提供了一种半导体存储器件及其制造方法，半导体存储器件包括：第一杂质区和第二杂质区，在半导体衬底中间隔开；位线，电连接到第一杂质区；存储节点接触部，电连接到第二杂质区；气隙，在位线与存储节点接触部之间；着落焊盘，电连接到存储节点接触部；掩埋介电图案，在着落焊盘的侧壁上且在气隙上；以及间隔物封盖图案，在掩埋介电图案与气隙之间。

公开(公告)号：CN114068550A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110638451.8

申请日：2021-06-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金熙中 ,  安濬爀 ,  尹宰铉 ,  李明东 ,  李锡奐 ,  韩成熙 ,  许仁景

IPC: H01L27/108

Abstract: 提供了半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：基底，具有第一有源图案，第一有源图案包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；栅电极，与第一有源图案相交并且设置在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间；位线，与第一有源图案相交并且电连接到第一源极/漏极区；间隔件，设置在位线的侧壁上；接触件，电连接到第二源极/漏极区并且与位线间隔开，间隔件置于接触件与位线之间；界面层，设置在第二源极/漏极区与接触件之间，并且在第二源极/漏极区与接触件之间形成欧姆接触；以及数据存储元件，设置在接触件上。接触件的底部比基底的顶表面低。接触件可以由金属、导电金属氮化物或它们的组合形成。

公开(公告)号：CN112310082A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010741490.6

申请日：2020-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴台镇 ,  柳原锡 ,  金根楠 ,  金孝燮 ,  朴素贤 ,  许仁景 ,  黄有商

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/528

Abstract: 提供了一种半导体装置。该半导体装置包括：衬底；位线结构，其设置在衬底上；沟槽，其与位线结构的至少一侧相邻；存储接触结构，其设置在沟槽内，并且包括按次序堆叠的存储接触件、硅化物层和存储焊盘；以及间隔件结构，其设置在位线结构与存储接触结构之间。

公开(公告)号：CN215731696U

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN202121279416.3

申请日：2021-06-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金熙中 ,  安濬爀 ,  尹宰铉 ,  李明东 ,  李锡奂 ,  韩成熙 ,  许仁景

IPC: H01L23/538 ,  H01L27/108

Abstract: 提供了半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：基底，具有第一有源图案，第一有源图案包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；栅电极，与第一有源图案相交并设置在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间；位线，与第一有源图案相交并电连接到第一源极/漏极区；间隔件，设置在位线的侧壁上；接触件，电连接到第二源极/漏极区并与位线间隔开，间隔件置于接触件与位线之间；界面层，设置在第二源极/漏极区与接触件之间，并且在第二源极/漏极区与接触件之间形成欧姆接触；以及数据存储元件，设置在接触件上。接触件的底部比基底的顶表面低。接触件可以由金属、导电金属氮化物或它们的组合形成。因此，其可以具有改善的电特性和集成度。