公开(公告)号：CN116096080A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202211327424.X

申请日：2022-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李锡奂 ,  李基硕 ,  李相昊

IPC: H10B12/00 ,  H01L21/762

Abstract: 一种半导体器件包括：器件隔离层，该器件隔离层在衬底中限定单元有源区域；多个掩埋接触部，与衬底电连接并沿第一方向布置；位线结构，在多个掩埋接触部中的相邻掩埋接触部之间沿第二方向延伸，该位线结构包括位线通过部分和位线接触部分，位线结构与单元有源区域电连接；以及第一缓冲图案，设置在衬底和位线通过部分之间，该第一缓冲图案在沿第一方向截取的截面中具有T形状。

公开(公告)号：CN215731696U

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN202121279416.3

申请日：2021-06-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金熙中 ,  安濬爀 ,  尹宰铉 ,  李明东 ,  李锡奂 ,  韩成熙 ,  许仁景

IPC: H01L23/538 ,  H01L27/108

Abstract: 提供了半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：基底，具有第一有源图案，第一有源图案包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；栅电极，与第一有源图案相交并设置在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间；位线，与第一有源图案相交并电连接到第一源极/漏极区；间隔件，设置在位线的侧壁上；接触件，电连接到第二源极/漏极区并与位线间隔开，间隔件置于接触件与位线之间；界面层，设置在第二源极/漏极区与接触件之间，并且在第二源极/漏极区与接触件之间形成欧姆接触；以及数据存储元件，设置在接触件上。接触件的底部比基底的顶表面低。接触件可以由金属、导电金属氮化物或它们的组合形成。因此，其可以具有改善的电特性和集成度。