公开(公告)号：CN109494220A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201810639708.X

申请日：2018-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴星一 ,  刘庭均 ,  李东勳 ,  李允逸

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/775 ,  H01L21/8234 ,  B82Y10/00

Abstract: 本公开提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底；垂直沟道结构，包括在第一方向上延伸的一对有源鳍及夹置在所述一对有源鳍之间的绝缘部分，所述第一方向垂直于所述衬底的上表面；上源极/漏极，设置在所述垂直沟道结构上；下源极/漏极，设置在所述垂直沟道结构下方及所述衬底上；栅极电极，设置在所述上源极/漏极与所述下源极/漏极之间且环绕所述垂直沟道结构；以及栅极介电层，设置在所述栅极电极与所述垂直沟道结构之间。所述栅极电极与所述上源极/漏极之间在所述第一方向上的间隔可小于所述栅极电极与所述下源极/漏极之间在所述第一方向上的间隔。本公开的半导体器件具有适于按比例缩放的结构。

公开(公告)号：CN107026088A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201710063704.7

申请日：2017-02-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴起宽 ,  刘庭均 ,  金基一 ,  成石铉 ,  严命允

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/823821 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括由其面对的末端之间的第一沟槽分开的第一鳍式图案和第二鳍式图案，形成填充第一沟槽的第一绝缘层，去除第一绝缘层的一部分以在第一绝缘层上形成第二沟槽，以及通过增大第二沟槽的宽度形成第三沟槽。

公开(公告)号：CN106683987A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201610962976.6

申请日：2016-10-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基一 ,  朴起宽 ,  刘庭均 ,  金炯东 ,  成石铉 ,  严命允

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/027

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：在衬底上形成包括真实掩模图案和伪掩模图案的多个掩模图案；去除伪掩模图案；以及利用真实掩模图案作为掩模对衬底进行蚀刻，以形成第一沟槽、第二沟槽以及由第一沟槽和第二沟槽限定的鳍式图案。接触鳍式图案的第二沟槽包括凸出并且位于第二沟槽的底表面与侧表面之间的平滑图案、位于第二沟槽的侧表面与平滑图案之间的第一凹进部分和位于凸出部分与第二沟槽的底表面之间的第二凹进部分。

公开(公告)号：CN106486483A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610791568.9

申请日：2016-08-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成石铉 ,  刘庭均 ,  朴起宽 ,  金基一

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/7843 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7854

Abstract: 一种集成电路器件包括：鳍型有源区，从基板突出；多个衬层，顺序地覆盖鳍型有源区的下侧壁；器件隔离层，覆盖鳍型有源区的下侧壁并且多个衬层在器件隔离层和鳍型有源区之间；以及栅绝缘层，延伸以覆盖鳍型有源区的沟道区、多个衬层和器件隔离层，并包括位于栅绝缘层的覆盖多个衬层的部分上的突起。

公开(公告)号：CN106298670A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610463537.0

申请日：2016-06-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  朴起宽

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L27/0924 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7846 ,  H01L29/7848

Abstract: 一种集成电路(IC)器件包括第一鳍型有源区、第二鳍型有源区和区域间台阶部。第一鳍型有源区在基板的第一区中从基板突出并具有在第一方向上的第一宽度。第二鳍型有源区在基板的第二区中从基板突出并具有在第一方向上的第二宽度。第二宽度小于第一宽度。区域间台阶部形成在底表面上的第一区和第二区之间的界面处，该区域间台阶部是基板的在第一鳍型有源区和第二鳍型有源区之间的部分。

公开(公告)号：CN106206576A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610366218.8

申请日：2016-05-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成石铉 ,  刘庭均 ,  朴起宽

IPC: H01L27/088

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7846 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7854

Abstract: 提供了集成电路器件。器件可以包括从衬底突出的第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域，并且第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域可以在其间限定凹陷。器件还可以包括在凹陷下部部分中的隔离层。隔离层可以包括沿着第一鳍形沟道区域的侧部延伸的第一应力衬里、沿着第二鳍形沟道区域的侧部延伸的第二应力衬里以及在第一应力衬里与第一鳍形沟道区域的侧部之间并且在第二应力衬里与第二鳍形沟道区域的侧部之间的绝缘衬里。器件可以进一步包括第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域的上部部分的表面上的栅极绝缘层以及在栅极绝缘层上的栅极电极层。

公开(公告)号：CN106158968A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610141256.3

申请日：2016-03-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  成石铉

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/762 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/762 ,  H01L29/06 ,  H01L29/785

Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：第一鳍式图案，通过第一沟槽限定并且包括彼此面对的第一侧壁和第二侧壁；场绝缘膜，包括与第一侧壁接触的第一区域和与第二侧壁接触的第二区域，并且部分地填充第一沟槽，其中，第一侧壁具有与第一区域的顶表面接触的第一点，第二侧壁具有与第二区域的顶表面接触的第二点，第一区域的顶表面包括比第一侧壁的第一点高的部分。

公开(公告)号：CN106057890A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610169618.X

申请日：2016-03-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  李炯宗 ,  金盛民 ,  张锺光

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10

Abstract: 公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一和第二鳍图案，通过第一沟槽隔开；栅电极，与第一和第二鳍图案交叉；和接触件，在栅电极的至少一侧上，接触件接触第一鳍图案，接触件具有不接触第二鳍图案的底表面，在接触件与第一鳍图案交叉的区域中从第一沟槽的底部到第一鳍图案的最顶端的高度是第一高度，在接触件的沿第二方向延伸的延长线与第二鳍图案交叉的区域中从第一沟槽的底部到第二鳍图案的最顶端的高度是第二高度，第一高度小于第二高度。

公开(公告)号：CN105826385A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610032156.7

申请日：2016-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  朴世玩 ,  都承右 ,  朴寅源 ,  成石铉

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了一种用于制造半导体器件的方法。所述方法包括以下步骤：在衬底上形成包括上部和下部的第一鳍形图案；通过去除第一鳍形图案的上部的一部分形成第二鳍形图案；在第二鳍形图案上形成与第二鳍形图案交叉的虚设栅电极；以及在形成虚设栅电极之后通过去除第二鳍形图案的上部的一部分形成第三鳍形图案，其中，第二鳍形图案的上部的宽度小于第一鳍形图案的上部的宽度并且大于第三鳍形图案的上部的宽度。

公开(公告)号：CN112420842B

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202011299684.1

申请日：2016-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  严命允 ,  朴永俊 ,  李廷骁 ,  河智龙 ,  黃俊善

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：有源鳍，其从衬底向上突出，并且在第一方向上延伸；以及栅极结构，其在以与有源鳍交叉的第二方向上延伸，其中栅极结构的与有源鳍接触的下部的第一宽度大于栅极结构的与有源鳍间隔开的下部的第二宽度。