公开(公告)号：CN116387264A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310335805.0

申请日：2023-03-31

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 ,  国网江苏省电力有限公司电力科学研究院

Inventor： 姚二现 ,  陈英毅 ,  骆健 ,  杨金龙 ,  童颜 ,  黄全全

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/49 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明公开了一种多芯片并联半桥型IGBT模块，本发明增设发射极信号铜层，直接将发射极电压信号从相应键合线蔟引出，减小了信号回路与功率回路的共发射极寄生电感，以及功率回路与信号控制回路间的互感，减小了共发射极寄生电感对信号控制回路的分压，降低了功率回路电流变化对信号控制回路电压变化的影响，使得芯片集电极‑发射极电压在开通过程中下降速度加快，降低了芯片在开通过程中的损耗，有利于提高模块的工作频率。

公开(公告)号：CN115421017A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202211170388.0

申请日：2022-09-23

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 董志意 ,  胡小刚 ,  李伟邦 ,  王天文 ,  花清源

IPC: G01R31/26 ,  G01R19/257 ,  G01R19/00

Abstract: 本发明公开了一种适用于功率器件的可靠性测试电路及方法，包括：采样电路、控制电路、电平转换电路和驱动电路；所述采样电路用于与功率器件的栅极相连，采集功率器件的栅极电流；所述控制电路的输入端与所述采样电路相连，根据采样电路输出的栅极电流产生或不产生PWM信号；所述电平转换电路的输入端与所述控制电路的输出端，对控制电路输出的PWM信号进行电平转换；所述驱动电路的输入端与所述电平转换电路的输出端相连，其输出端用于与功率器件的栅极相连，控制功率器件的开/关。本发明利用PWM技术对被测功率器件的门极‑发射极/源极进行开关控制，在高温下，对功率器件进行HTGB可靠性考核。

公开(公告)号：CN113889408A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202111196987.5

申请日：2021-10-14

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 王鑫

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明属于功率半导体器件设计技术领域，具体涉及一种屏蔽栅型IGBT器件的制造方法，包括：在半导体衬底上光刻刻蚀形成深沟槽；在深沟槽底部和侧壁形成第一源极绝缘层，并在深沟槽内填充第一源极导电物质；对半导体衬底进行各项同性刻蚀，在深沟槽顶部形成顶部沟槽；在顶部沟槽内形成栅介质层，并填充栅极导电物质；形成第二源极导电物质，第二源极导电物质与第一源极导电物质在所述深沟槽内连接；形成P型体区，在P型体区内形成N型源区；形成隔离介质层，接触孔及正面金属层；形成背面形成集电极区及背面金属层。使用本发明的方法制造屏蔽栅型IGBT器件，解决了接触孔对偏问题，工艺简单可控，降低了制造风险，提高了制造良率。

公开(公告)号：CN113140617A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202110280013.9

申请日：2021-03-16

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 ,  南瑞集团有限公司

Inventor： 田亮 ,  施俊 ,  刘昊 ,  邱凯兵

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/822

Abstract: 本发明公开了半导体器件技术领域的一种大功率半导体器件及其制备方法，降低了裂片过程中出现碎片的几率，提高了产品的合格率和产量。包括：在芯片第一表面进行各功能模块的制作，然后在第一表面的划片道处制作第一埋层；在芯片第二表面进行各功能模块的制作，然后在第二表面上制作与第一埋层相对的第二埋层；对芯片进行裂片，使芯片沿第一埋层和第二埋层产生裂痕，进而分割成若干个独立的半导体器件。

公开(公告)号：CN113140524A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202110348467.5

申请日：2021-03-31

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 吕宏水 ,  童颜 ,  刘克明 ,  姚二现

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/07 ,  H01L23/16

Abstract: 本发明公开了一种半导体模块结构，包括：基板、半导体芯片、触点元件和顶板，所述半导体芯片设有第一主电极和第二主电极，所述第一主电极耦接所述基板，所述第二主电极耦接所述触点元件，所述触点元件为螺纹结构，所述顶板与所述触点元件通过螺纹连接。通过采用触点元件的方式，单独旋转调节触点元件的高度来调整半导体芯片所承载的压力，实现单颗芯片压力可调，解耦芯片间的压力，实现芯片间应力均衡，一致性更高；通过采用螺纹结构的触点元件增大导电面积，降低热阻，提高通流能力，提高可靠性；针对超过阈值压力的部分通过承压体来承担，使得半导体芯片上的压力在规定的范围内，外部压力变化不会导致半导体芯片表面的压力变化。

公开(公告)号：CN112560318A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202011530910.2

申请日：2020-12-22

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 潘政薇 ,  刘旭光 ,  董长城 ,  骆健

IPC: G06F30/23 ,  G06F30/28 ,  G06F30/367 ,  G06F113/08 ,  G06F119/14 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明公开了一种不同工况下IGBT器件各物理层温度监测仿真方法，通过三维制图软件，建立IGBT器件的3D热仿真模型；将3D热仿真模型导入Icepak仿真软件，对3D热仿真模型进行瞬态CFD模拟计算；将CFD模拟计算结果作为Simplorer仿真软件的输入，创建降阶模型；使用Simplorer建立IGBT动态封装模型；基于封装模型在Simplorer中搭建单相PWM逆变电路拓扑模型，通过PWM控制所述拓扑模型，得到IGBT器件动态封装模型的电压和电流数据；将所述电压和电流数据输入降阶模型，得到IGBT、二极管的结温以及IGBT器件各物理层的温度随时间变化的曲线。本发明大大减少了仿真计算的时间。

公开(公告)号：CN111787695A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN202010721380.3

申请日：2020-07-24

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 姚二现 ,  王立 ,  李宇柱 ,  黄全全 ,  杨金龙 ,  刘克明

IPC: H05K1/18

Abstract: 本发明公开了一种采用超声焊接端子的半导体功率模块，所述下壳体设置在金属基板上，下壳体内设置有多个间隔，每个间隔内设置有绝缘陶瓷衬板，每块绝缘陶瓷衬板上设置有IGBT芯片和FWD芯片，IGBT芯片和FWD芯片构成一个半桥电路，多个半桥电路构成一个全桥电路；所述下壳体两端分别嵌入有功率端子，功率端子的末端与绝缘陶瓷衬板相连接；所述信号端子嵌入间隔内设置的横梁，信号端子末端分别与绝缘陶瓷衬板相连接。本发明简化了模块的生产过程，提高了模块的生产效率，增强模块工作的可靠性。

公开(公告)号：CN118156293A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202211516026.2

申请日：2022-11-30

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 史志扬 ,  骆健 ,  严毅琳

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开了一种沟槽型IGBT结构及其制作方法，其中，IGBT结构的集电极上设有N型衬底，N型衬底上表面两端均设有P+区；N型衬底上表面形成沟槽，沟槽内形成N型注入区，N型注入区内设有第一二氧化硅层，第一二氧化硅层内设有下分离栅，下分离栅上设有第二二氧化硅层，第二二氧化硅层上设有上分离栅，第一二氧化硅层和第二二氧化硅层构成栅氧层；沟槽的两侧设有P型沟道区，P型沟道区上设有N+发射区；N+发射区、上分离栅以及栅氧层的上表面形成层间介质层；N型衬底两侧上表面通过孔光刻和刻蚀进行开孔，孔内形成P+区；P+区、N+发射区以及层间介质层的上表面形成金属连接层。本发明能够获得的兼顾导通压降低、开关速度快以及动态损耗低的IGBT结构。

公开(公告)号：CN113725190B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202110849006.6

申请日：2021-07-27

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 ,  国网山西省电力公司检修分公司

Inventor： 杨金龙 ,  姚晨阳 ,  王豹子 ,  柴駪 ,  黄全全 ,  杨腾飞 ,  谢龙飞 ,  王立 ,  藏传龙 ,  姚二现

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/15 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明公开了一种功率器件覆铜陶瓷衬板结构及其封装方法，包括两块覆铜陶瓷衬板，所述覆铜陶瓷衬板包括：氧化铝陶瓷层，所述氧化铝陶瓷层的边缘位置沿线型设置有多个邮票孔，正面覆铜金属层，所述正面覆铜金属层通过刻蚀形成电路图形，背面覆铜金属层，所述正面覆铜金属层及背面覆铜金属层与氧化铝陶瓷层通过直接结合的方式连接；两块覆铜陶瓷衬板中的氧化铝陶瓷层通过邮票孔连接在一起，组成第一覆铜陶瓷衬板封装体；本发明提高了功率器件的封装效率，减少生产过程中的半成品，实现在半成品阶段多种覆铜陶瓷衬板的同时封装。

公开(公告)号：CN112951905B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202110096995.6

申请日：2021-01-25

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 邱凯兵 ,  施俊 ,  田亮 ,  刘昊

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种SiC逆导型绝缘栅双极型晶体管器件及其制造方法，晶体管器件包括金属集电极，从金属集电极开始依次布置有第一导电类型衬底、第一导电类型buffer层、第二导电类型集电极、第一导电类型漂移区；在第一导电类型衬底和第一导电类型buffer层中有若干个沟槽，沟槽穿透第一导电类型衬底层和第一导电类型buffer层，沟槽内的填充集电极穿透第一导电类型衬底和第一导电类型buffer后与第二导电类型集电极相连；所述第二导电类型集电极是相互分离的阵列结构，各第二导电类型集电极与所述沟槽相对应。本发明的晶体管器件，将续流二极管集成到SiC IGBT中，降低电路寄生参数的同时，提高芯片面积利用率。