公开(公告)号：CN115602714A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211382652.7

申请日：2022-11-07

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司(CN)

Inventor： 冯会会 ,  李宇柱 ,  郑婷婷 ,  张大华 ,  周东海 ,  叶枫叶 ,  严毅琳 ,  史志扬 ,  高晋文 ,  杨阳

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开了一种沟槽型IGBT终端及其制造方法，本发明在相邻场限环之间、主结区和第一个场限环之间设置场限环沟槽，利用器件耐压时自然产生的高电位，在场限环沟槽附近引入电子聚集，从而对前一个场限环横向耗尽做截止，可在保证耐压要求的同时有效缩短环与环之间的间距，从而减少IGBT终端面积。

公开(公告)号：CN118156293A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202211516026.2

申请日：2022-11-30

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 史志扬 ,  骆健 ,  严毅琳

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开了一种沟槽型IGBT结构及其制作方法，其中，IGBT结构的集电极上设有N型衬底，N型衬底上表面两端均设有P+区；N型衬底上表面形成沟槽，沟槽内形成N型注入区，N型注入区内设有第一二氧化硅层，第一二氧化硅层内设有下分离栅，下分离栅上设有第二二氧化硅层，第二二氧化硅层上设有上分离栅，第一二氧化硅层和第二二氧化硅层构成栅氧层；沟槽的两侧设有P型沟道区，P型沟道区上设有N+发射区；N+发射区、上分离栅以及栅氧层的上表面形成层间介质层；N型衬底两侧上表面通过孔光刻和刻蚀进行开孔，孔内形成P+区；P+区、N+发射区以及层间介质层的上表面形成金属连接层。本发明能够获得的兼顾导通压降低、开关速度快以及动态损耗低的IGBT结构。