公开(公告)号：CN105793727A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201480065588.7

申请日：2014-12-03

Applicant: ams有限公司

Inventor： 弗朗茨·施兰克 ,  尤金·G·迪施克 ,  马丁·施雷姆斯

IPC: G01S7/481 ,  G01S17/02 ,  H01L25/16 ,  H01L31/12 ,  H01L31/14

CPC classification number: G01S17/026 ,  G01S7/4813 ,  H01L25/167 ,  H01L27/1443 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/02165 ,  H01L31/02325 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/125 ,  H01L31/14 ,  H01L31/167 ,  H01L31/173 ,  H01L33/483 ,  H01L33/52 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种光学传感器装置、特别是光学距离传感器装置，包括三维集成电路，该三维集成电路进一步包括：第一层(1)，第一层(1)包括发光器件(LED)；第二层(2)，第二层(2)包括光检测器(PD)和驱动电路(IC)。驱动电路电连接至发光器件(LED)和光检测器(PD)，以控制发光器件(LED)和光检测器(PD)的操作。模制层(3)包括位于发光器件(LED)与光检测器(PD)之间的第一挡光件(33)，第一挡光件(33)被配置成阻挡光从发光器件(LED)直接传输至光检测器(PD)。

公开(公告)号：CN105789680A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610273983.5

申请日：2012-08-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 宋道英 ,  冲·蒋 ,  秉·圣·利奥·郭 ,  约瑟夫·G·戈登

IPC: H01M10/04

CPC classification number: H01L31/1876 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/024 ,  H01L31/0463 ,  H01L31/18 ,  H01M4/0471 ,  H01M6/40 ,  H01M10/0436 ,  H01M10/0404

Abstract: 通过激光直接图案化选择性除去诸如太阳能电池、电致变色装置和薄膜电池之类的薄膜结构和装置的指定层是通过将光热阻挡层包括在紧邻于待由激光烧蚀除去的指定层的装置/结构堆叠中来实现的。光阻挡层是吸收或反射穿透介电层/半导体层的一部分激光能量的金属层，并且热阻挡层是具有足够低的热扩散系数的导电层，以减少流入下层金属层的热量，使得下层金属层的温度达不到熔化温度Tm，或在一些实施方式中，使得下层金属层的温度在激光直接图案化期间达不到(Tm)/3。

公开(公告)号：CN105679842A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201510873100.X

申请日：2015-12-02

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 小出泰纪

IPC: H01L31/0216 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L31/02327 ,  H01L25/167 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14665 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/022416 ,  H01L31/125 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L31/0216 ,  H01L27/146 ,  H01L27/1462 ,  H01L31/02168

Abstract: 本发明提供光电转换装置及电子设备，该光电转换装置具有高感光灵敏度与高精度。作为光电转换装置的图像传感器(100)，其特征在于，具备：配置在基板(1)上的光电二极管(20)、晶体管(10)和平坦化层(7)，平坦化层(7)具有开口部(8a)、配置为包围开口部(8a)的倾斜部(7a)和覆盖晶体管(10)的平坦部(7b)，光电二极管(20)形成在开口部(8a)内，在平坦化层(7)的倾斜部(7a)上与平坦部(7b)上形成有反射膜(11)。

公开(公告)号：CN105518875A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201480046696.X

申请日：2014-07-11

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 夏秋和弘 ,  内田雅代 ,  泷本贵博 ,  粟屋信义 ,  石原数也 ,  中野贵司 ,  名仓满

IPC: H01L31/10 ,  G02B5/20 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/14

CPC classification number: H01L31/02162 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14645 ,  H01L31/02164

Abstract: 本发明提供能够防止本来不透射的波长的光的异常透射、能够使光谱波形的半值宽度减小的光电转换装置及其制造方法。在基板(100)上形成第一光电转换元件(101)，在该第一光电转换元件(101)之上隔着绝缘膜(1、2、3)形成具有周期性或非周期性地配置的多个开口(41)的第一金属膜(31)。设置覆盖上述第一金属膜(31)的多个开口(41)的一部分的第二金属膜(32)。

公开(公告)号：CN102738132B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201210098819.7

申请日：2012-03-31

Applicant: 意法半导体(格勒诺布尔2)公司

Inventor： R·考菲 ,  E·维吉尔-巴兰克

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L23/488

CPC classification number: G01S7/4813 ,  G01S17/026 ,  H01L25/167 ,  H01L27/14618 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/167 ,  H01L31/173 ,  H01L2224/16225

Abstract: 本发明涉及包括光学半导体器件的半导体封装体。提供一种半导体封装体，包括：支撑板(2)，由可以通过光辐射的材料制成，且至少在该支撑板的背面侧上具有至少一个细长孔(7)的开口；集成电路半导体器件(3)，安装在所述支撑板的背面上，且具有从所述支撑板的背面侧转动的至少两个光学元件，这些光学元件设置在所述细长孔的任意一侧上；以及密封块(4)，由不透明材料制成，密封所述支撑板上的半导体器件(3)并填充所述细长孔(7)，在所述光学元件之间形成光学隔离划分部(7a)，且在所述光学元件和所述支撑板之间留有腔体。

公开(公告)号：CN104952942A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510300435.2

申请日：2015-06-02

Applicant: 张一熙

Inventor： 张一熙

IPC: H01L31/0216

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/02164

Abstract: 本发明涉及一种解决聚光型光伏发电系统散热的方法，具体方法是将纳米薄膜镀制在太阳能电池基体上，本发明可通过镀制的纳米薄膜来反射太阳光中的红外光，不会导致太阳能电池基体因吸收较多的红外光而产生的过热问题，极大提高了太阳能电池的发电效率，延长了使用寿命。

公开(公告)号：CN104215996A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201410225306.7

申请日：2014-05-26

Applicant: 牛津仪器分析公司

Inventor： H·安德森 ,  P·科斯塔莫 ,  V·卡玛莱南 ,  S·南诺南

IPC: G01T1/24 ,  H01L27/144 ,  H01L31/08

CPC classification number: H01L31/0216 ,  G01T1/241 ,  H01L23/552 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/022416 ,  H01L31/085 ,  H01L31/115 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的实施方式涉及具有辐射屏蔽的半导体探测器。一种半导体辐射探测器包括半导体材料的主体层。在所述主体层的第一侧上为场电极以及用于从所述主体层收集辐射诱发的信号电荷的收集电极的布置。辐射屏蔽存在于所述主体层的与所述第一侧相对的第二侧上，该辐射屏蔽选择性地与所述收集电极的位置重叠。

公开(公告)号：CN103531610A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310517210.3

申请日：2013-10-28

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 舒适 ,  谷敬霞 ,  孔祥春 ,  张锋 ,  惠官宝

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L31/02164 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/5284

Abstract: 本发明涉及基板制造技术领域，特别涉及一种底发射基板、显示装置及该基板的制造方法，用于提高光的利用率，以及减轻环境光反射产生的影响，进而提高显示装置的显示效果。本发明公开了一种底发射基板，包括：衬底基板；设置于所述衬底基板上、具有多个开口区和多个非开口区的黑矩阵层；以及设置于所述黑矩阵层上的阵列基板单元，所述阵列基板单元中的各个金属层在所述黑矩阵层上的投影位于所述黑矩阵层的多个非开口区内。本发明同时还公开了上述底发射基板的制造方法，以及包括上述底发射基板的显示装置。

公开(公告)号：CN103489884A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310175434.0

申请日：2013-05-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曹钧涵 ,  赖志育 ,  黄志辉 ,  吴政达 ,  杜友伦 ,  王俊智 ,  丁世汎 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L31/02164 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/148 ,  H01L51/4273

Abstract: 一种包含半导体衬底的图像传感器器件，该半导体衬底包括阵列区和暗电平校正区。该阵列区包含多个辐射感应像素。该暗电平校正区包含一个或多个参考像素。该衬底具有正面和背面。该图像传感器器件包括在衬底背面上形成的第一压缩应变层。该第一压缩应变层包含氧化硅，且带有负电荷。该第二压缩应变层包含氮化硅，且带有负电荷。在暗电平校正区的至少一部分上方形成金属屏蔽件。图像传感器器件包括在金属屏蔽件上和在第二压缩应变层上形成的第三压缩应变层。该第三压缩应变层包含氧化硅。通过该第三压缩应变层保护金属屏蔽件的侧壁。本发明提供具有压缩层的图像传感器。

公开(公告)号：CN101563591B

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN200780046906.5

申请日：2007-10-17

Applicant: 美国亚德诺半导体公司

Inventor： 埃莱·海因斯 ,  威廉·莱恩 ,  爱德华·约翰·科因

IPC: G01J5/06 ,  G01J5/08 ,  G01J5/10 ,  G01J5/24

CPC classification number: G01J5/06 ,  G01J1/04 ,  G01J1/0411 ,  G01J5/0014 ,  G01J5/02 ,  G01J5/0225 ,  G01J5/024 ,  G01J5/045 ,  G01J5/08 ,  G01J5/0803 ,  G01J5/0806 ,  G01J5/0846 ,  G01J5/089 ,  G01J5/10 ,  G01J5/24 ,  G01J2005/068 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/02325 ,  H01L2924/16235

Abstract: 本发明提供了一种电磁辐射传感器，具有形成在第一衬底中的第一和第二传感器元件和形成在第二衬底中的第一和第二盖，第一和第二衬底彼此相对布置以使得第一和第二传感器元件的每个具有提供于其上方的相应的盖，从而提供独立的第一和第二单元，各单元分开形成，各单元的加盖用于限定各传感器上方的受控体积，其中第一单元提供基于第一响应特征的输出，和第二单元提供基于第二响应特征的输出。