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公开(公告)号：CN107607516B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201710811976.0
申请日：2017-09-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 一种拉曼增强的化学传感器及其制备方法，属于检测化学分子的半导体微纳器件领域。该化学传感器包括四层结构，自下而上依次为玻璃基底、纳米小球结构层、金属层和单层石墨烯层。其中，聚苯乙烯等形成的纳米小球结构层用于形成表面阵列化结构，以加强拉曼光的散射，金属层用于实现拉曼电磁增强，单层石墨烯层在对分子吸附的同时实现化学增强；本发明拉曼增强的化学传感器同时利用贵金属实现电磁增强、单层石墨烯实现化学增强，大大增强了拉曼信号。
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公开(公告)号：CN107607516A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710811976.0
申请日：2017-09-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 一种拉曼增强的化学传感器及其制备方法，属于检测化学分子的半导体微纳器件领域。该化学传感器包括四层结构，自下而上依次为玻璃基底、纳米小球结构层、金属层和单层石墨烯层。其中，聚苯乙烯等形成的纳米小球结构层用于形成表面阵列化结构，以加强拉曼光的散射，金属层用于实现拉曼电磁增强，单层石墨烯层在对分子吸附的同时实现化学增强；本发明拉曼增强的化学传感器同时利用贵金属实现电磁增强、单层石墨烯实现化学增强，大大增强了拉曼信号。
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公开(公告)号：CN105183988A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510563377.2
申请日：2015-09-07
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属于仿真计算技术领域，涉及一种接地螺栓通电后温度及应力应变有限元分析计算方法。该方法：首先进行接地螺栓通电试验测量，采集螺栓通入不同电流后的数据；然后用Auto CAD建立几何模型，并将其导至仿真计算软件COMSOL Multiphysics，在该软件中建立物理模型、设定材料参数；根据试验数据和计算结果，动态地检验和修改边界条件，得到了接地螺栓通入电流的边界条件设定的优化方案；最后建立有限元网格并计算，导出计算结果至数据分析软件，得到通入不同电流的情况下，螺栓在此过程中温度、应力和应变的演变情况。本发明使得接地螺栓通入电流后温度及应力应变的建模计算结果更加准确，对接地螺栓的试验测量提供了支持。
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公开(公告)号：CN103872100A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410098676.9
申请日：2014-03-18
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H01L29/0684 , H01L21/18 , H01L29/267
Abstract: 一种低漏电流半导体薄膜异质结及其制备方法，属于材料技术领域。该低漏电流半导体薄膜异质结是在GaAs基片上沉积铌掺杂的钛酸锶作为缓冲层，然后在缓冲层上沉积铁电氧化物薄膜，形成铁电氧化物/NSTO缓冲层/GaAs基底异质结薄膜结构，其中缓冲层NSTO和铁电氧化物薄膜均采用激光脉冲沉积法制备。本发明制得的薄膜异质结有较低的界面态密度，良好的整流特性，较低的漏电流。
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公开(公告)号：CN102092774B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010609908.4
申请日：2010-12-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种氧化锌纳米线阵列的制备方法，属于材料技术领域。本发明首先采用薄膜沉积工艺在衬底表面沉积一层表面晶粒半径可控的金属薄膜；然后将金属薄膜采用面向下的方式浮于由等摩尔量的硝酸锌溶和六次甲基四胺配制的生长溶液表面，在60～90℃的温度条件下静置生长氧化锌纳米线阵列。通过控制金属薄膜表面晶粒的大小，可方便地获得不同生长密度的氧化锌纳米线阵列。与常规水热法利用生长溶液浓度控制氧化锌纳米线阵列生长密度的方法相比，本发明更易于实现氧化锌纳米线阵列生长密度的控制，且无需增加额外的步骤或成本就可以实现低温大面积对密度精度要求较高的氧化锌纳米线阵列的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119203731B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411217254.9
申请日：2024-09-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F30/27 , G01K13/00 , G01K1/02 , G06N3/0464 , G06N3/096 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种变温工况下光机系统的波前像差预测方法，包括以下步骤：步骤1、建立光学系统实物模型与仿真模型；步骤2、用光学系统实物模型测量并标定仿真模型；步骤3、用仿真模型构建神经网络数据集；步骤4、训练神经网络模型：卷积神经网络包含输入层、卷积层、池化层、全连接层和输出层；利用步骤3得到的样本对卷积神经网络进行训练，当卷积神经网的损失函数收敛时，整个训练过程完成；步骤5、利用卷积神经网络预测系统波前像差。本发明利用温度传感器实时监测关键点温度，通过训练深度学习网络，对光机系统的面形性能进行实时预测，能够有效提高系统的误差补偿效率和精度。
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公开(公告)号：CN119677189A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411760485.4
申请日：2024-12-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H10F30/227 , H10F77/20 , B82Y15/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明属于光电领域，具体为一种基于微纳结构的等离激元偏振敏感探测器。其创新点在于：(1)利用局域表面等离激元效应产生的电场增强了二硫化钼的光吸收率。(2)实现了二硫化钼光电探测器对偏振光的检测。主要的实现方案包括：将图形化金纳米结构转移到二硫化钼上，从而实现二硫化钼对偏振光的检测；通过金纳米阵列受到激发产生的局域表面等离激元效应，进一步使二硫化钼表面电场增强，从而增大了二硫化钼的载流子产生率。相较于传统的二硫化钼光电探测器，该器件可以实现对偏振光的检测，同时使二硫化钼对可见光(0.38～0.7μm)的吸收率有一定的增强，这极大提高了应用场景和适用范围。
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公开(公告)号：CN116314392B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202310177623.5
申请日：2023-02-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多效应耦合增强的光电传感器及其制备方法，包括二硫化钼层、金纳米颗粒、玻璃基底与多个氧化锌纳米棒，所述氧化锌纳米棒直立于所述玻璃基底上，所述金纳米颗粒附着在所述氧化锌纳米棒的侧壁上，所述二硫化钼层设置在所述多个氧化锌纳米棒上，且通过分子间作用力进行与所述氧化锌纳米棒进行连接。本申请的光电传感器通过将二硫化钼层与氧化锌纳米棒高差基底复合形成一维/二维异质结构；利用光刻模板调控，使氧化锌纳米棒实现周期性阵列生长；先后采用磁控溅射和热退火工艺，在氧化锌纳米棒上实现金纳米颗粒均匀分布；纳米棒顶端的单层二硫化钼产生周期性应变效果。本发明具有制备方法简单、结构可控、均一性优、稳定性佳等优点。
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公开(公告)号：CN119619286A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202510151637.9
申请日：2025-02-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N29/02 , G01N29/036 , G01N29/22 , G01N21/65
Abstract: 本发明涉及微机电技术领域及气体检测技术领域，具体为用于气体组分分析的压电谐振式MEMS光谱芯片，包括硅衬底，硅衬底为镂空的平板，其上形成有第一支撑梁和第二支撑梁，第一支撑梁和第二支撑梁交叉排布呈十字型，其中第一支撑梁上设有两个TPoS谐振器，两个TPoS谐振器关于十字型的交叉点对称，均包括自下而上依次设置的掺杂硅层、压电薄膜、以及顶部电极，顶部电极上设有自组装金纳米颗粒阵列，且该阵列中的金纳米颗粒为经官能团修饰的自组颗粒。本发明通过设置两个谐振与自组装金纳米颗粒阵列实现了对待检测气体的质量定量分析、以及对待检检测气体组分的精准分析。
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公开(公告)号：CN118313206A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410506300.0
申请日：2024-04-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/10 , G06F30/27 , G06N3/0464 , G06N3/096 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种变温工况下光机系统的波前像差预测方法，包括以下步骤：步骤1、建立光学系统实物模型与仿真模型；步骤2、用光学系统实物模型测量并标定仿真模型；步骤3、用仿真模型构建神经网络数据集；步骤4、训练神经网络模型：卷积神经网络包含输入层、卷积层、池化层、全连接层和输出层；利用步骤3得到的样本对卷积神经网络进行训练，当卷积神经网的损失函数收敛时，整个训练过程完成；步骤5、利用卷积神经网络预测系统波前像差。本发明利用温度传感器实时监测关键点温度，通过训练深度学习网络，对光机系统的面形性能进行实时预测，能够有效提高系统的误差补偿效率和精度。
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