公开(公告)号：CN103872100A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201410098676.9

申请日：2014-03-18

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 黄文 ,  杨骏珏 ,  曾慧中 ,  高关胤 ,  郝建华

IPC: H01L29/24 ,  H01L21/04

CPC classification number: H01L29/0684 ,  H01L21/18 ,  H01L29/267

Abstract: 一种低漏电流半导体薄膜异质结及其制备方法，属于材料技术领域。该低漏电流半导体薄膜异质结是在GaAs基片上沉积铌掺杂的钛酸锶作为缓冲层，然后在缓冲层上沉积铁电氧化物薄膜，形成铁电氧化物/NSTO缓冲层/GaAs基底异质结薄膜结构，其中缓冲层NSTO和铁电氧化物薄膜均采用激光脉冲沉积法制备。本发明制得的薄膜异质结有较低的界面态密度，良好的整流特性，较低的漏电流。